為了滿足5G、大屏幕以及處理器的負(fù)載要求，智能手機勢必要搭載越來越大容量的電池。在不能過多的增長手機的體積以及重量的情況下，手機廠商都執(zhí)著于不斷發(fā)展快充技術(shù)。采用深圳銀聯(lián)寶科技的PD快充芯片U6615S，可有效縮短充電時長，及時給手機續(xù)航。
低待機功率、低功耗、低電磁兼容性和低成本的PD快充芯片U6615S結(jié)合了一個專用的電流模式PWM帶4A/630V MOSFEET的模式控制器，適用于18W范圍內(nèi)的離線反激變換器輸出功率。U6615S集成 650V MOSFET，±4% 恒流、恒壓精度，待機功耗<70mW，多模式原邊控制方式，工作無異音，優(yōu)化的動態(tài)響應(yīng)，可調(diào)式線損補償，集成線電壓和負(fù)載電壓的恒流補償，集成有多種保護功能：VDD欠壓保護(UVLO)、VDD過壓保護(OVP)、逐周期限流保護 (OCP)、短路保護(SLP)和VDD箝位等。
PD快充芯片U6615S具有數(shù)字頻率洗牌技術(shù)進行改進電磁干擾性能，固定65k HzPWM開關(guān)頻率，低待機功耗(<75米W@230Vac)；軟啟動，以減少MOSFET VD S應(yīng)力；低啟動電流(<10uA@VCC=12V)。輸出規(guī)格為5、9、12-18W，應(yīng)用于PD/QC市場，VDD-40V max18W，引腳特征如下：
1 腳GND 芯片參考地。
2 腳VDD 芯片供電管腳。
3 腳FB 反饋輸入管腳。閉環(huán)控制時連接于光電耦合器相連，此腳位電壓決定了PWM驅(qū)動信號的占空比和CS管腳的關(guān)斷電壓。
4 腳CS 電流采樣輸入管腳
5、6、7、8 腳D 內(nèi)置功率 MOSFET 漏極。
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