EMI性能為高頻交直流轉換器的設計難點，為此氮化鎵電源芯片U8726AHE通過DEM管腳集成了驅動電流分檔配置功能。通過配置DEM管腳分壓電阻值，可以選擇不同檔位的驅動電流，進而調節GaN FET的開通速度，系統設計者可以獲得最優的EMI性能和系統效率的平衡。
氮化鎵電源芯片U8726AHE引腳：
1 CS I/O 電流采樣輸入、最高頻率選擇管腳
2 FB I 系統反饋輸入管腳
3 DEM I/O 消磁檢測、輸出 OVP 檢測、驅動能力分檔判定管腳
4 VDD P 芯片供電管腳
5 SW P Boost 電路內置 MOS 的漏極管腳
6 GND P 芯片參考地
7 DRAIN P 內置高壓 GaN FET 漏極、高壓啟動供電管腳
氮化鎵電源芯片U8726AHE特點：
1.集成 高壓 E-GaN
2.集成高壓啟動功能
3.超低啟動和工作電流，待機功耗 <30mW
4.谷底鎖定模式， 最高工作頻率兩檔可調(220kHz，130kHz)
5.集成 EMI 優化技術
6.驅動電流分檔配置
7.集成 Boost 供電電路
8.集成完備的保護功能：
VDD 過壓/欠壓保護 (VDD OVP/UVLO)
輸出過壓/欠壓保護 (DEM OVP/UVP)
輸入過壓/欠壓保護 (LOVP /BOP)
片內過熱保護 (OTP)
逐周期電流限制 (OCP)
異常過流保護 (AOCP)
短路保護 (SCP)
過載保護 (OLP)
前沿消隱 (LEB)
CS 管腳開路保護
9.封裝類型 ESOP-7
氮化鎵電源芯片U8726AHE集成高壓E-Mode GaN FET，為了保障GaN FET工作的可靠性和高系統效率，芯片內置了高精度、高可靠性的驅動電路，驅動電壓為VDRV (典型值 6.4V)。U8726AHE還集成輕載SR應力優化功能，在驅動電流配置為第一、第二、第三檔位時，當芯片工作于輕載模式時，將原邊開通速度減半，減小空載時SR的Vds應力過沖。