充電器和適配器等快充設備，需匹配高功率密度與寬電壓輸出范圍的快充芯片。深圳銀聯寶科技推出的20V單高壓帶恒功率氮化鎵PD快充芯片U8725AHE，集成高壓啟動、功率器件和保護電路，省去外部Boost/Buck電路及分立元件，縮小PCB面積；內置高壓E-GaN和Boost供電電路，支持寬電壓輸出，切莫錯過！
PD快充芯片U8725AHE主要特性：
1.集成 高壓 E-GaN
2.集成高壓啟動功能
3.超低啟動和工作電流，待機功耗 <30mW
4.谷底鎖定模式， 最高工作頻率兩檔可調(220kHz，130kHz)
5.集成 EMI 優化技術
6.驅動電流分檔配置
7.集成 Boost 供電電路
8.集成完備的保護功能：
VDD 過壓/欠壓保護 (VDD OVP/UVLO)
輸出過壓/欠壓保護 (DEM OVP/UVP)
輸入過壓/欠壓保護 (LOVP /BOP)
片內過熱保護 (OTP)
逐周期電流限制 (OCP)
異常過流保護 (AOCP)
短路保護 (SCP)
過載保護 (OLP)
前沿消隱 (LEB)
CS 管腳開路保護
9.封裝類型 ESOP-7
針對寬輸出電壓應用場合，為了滿足VDD的寬電壓應用需求，往往需要添加額外的電路或者輔助繞組，導致系統功耗和電路成本的增加。PD快充芯片U8725AHE集成了Boost供電技術，僅在SW管腳添加一顆貼片電感即可，在輸出電壓較低時，Boost電路啟動工作，維持VDD電壓在VBOOST_REG (典型值10.1V)，當輸出電壓升高，輔助繞組電壓高于VBOOST_REG時，Boost電路停止工作，VDD由輔助繞組供電。
PD快充芯片U8725AHE引腳說明：
1 CS I/O 電流采樣輸入、最高頻率選擇管腳
2 FB I 系統反饋輸入管腳
3 DEM I/O 消磁檢測、輸出 OVP 檢測、驅動能力分檔判定管腳
4 VDD P 芯片供電管腳
5 SW P Boost 電路內置 MOS 的漏極管腳
6 GND P 芯片參考地
7 DRAIN P 內置高壓 GaN FET 漏極、高壓啟動供電管腳
深圳銀聯寶科技這款20V單高壓帶恒功率氮化鎵PD快充芯片U8725AHE，通過高集成設計、動態功率穩定、谷底鎖定及降頻工作模式等高效能表現，顯著優化了系統體積、可靠性和能效，成為快充設備電源芯片方案的理想選擇！