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低耗、設(shè)計合理的正負端同步整流芯片U7712

2024-07-15 10:14:07 

肖特基整流管可以看成一條建在泥土上沒有鋪水泥的灌溉用的水道,從源頭下來的水源在中途滲漏了很多,十方水可能只有七、八方到了農(nóng)田里面。而同步整流技術(shù)就如同一條鑲嵌了光滑瓷磚的引水通道,除了一點點被太陽曬掉的損失外,十方水能有9.5方以上的水真正用于澆灌那些我們?nèi)杖召囈陨娴募Z食。既如此,還不快點來深圳銀聯(lián)寶科技挑選一顆合適您的同步整流芯片?!

正負端同步整流芯片U7712是一款用于替代Flyback副邊肖特基二極管的高性能同步整流開關(guān),內(nèi)置超低導(dǎo)通阻抗功率MOSFET以提升系統(tǒng)效率。U7712支持“浮地”和“共地”同步整流兩種架構(gòu),也支持系統(tǒng)斷續(xù)工作模式(DCM)和準(zhǔn)諧振工作模式(QR)U7712集成有VDD欠壓保護功能和VDD電壓鉗位。U7712內(nèi)置VDD高壓供電模塊,無需VDD輔助繞組供電,減低了系統(tǒng)成本。

7.1V 穩(wěn)壓器

在原邊MOSFET導(dǎo)通期間,同步整流芯片U7712內(nèi)部7.1V穩(wěn)壓器將從其Drain管腳抽取電流向VDD供電,以使VDD電壓恒定在7.1V左右?;诟哳l解耦和供電考慮,推薦選取容量為1uF的陶瓷電容作為VDD電容。

系統(tǒng)啟動

系統(tǒng)開機以后,同步整流芯片U7712內(nèi)部高壓LDODrain管腳抽取電流向VDD電容供電。當(dāng)VDD電壓低于欠壓保護閾值后(3.1V 典型值),芯片進入睡眠模式,同時內(nèi)部同步整流MOSFET進入關(guān)斷狀態(tài),副邊繞組電流經(jīng)內(nèi)部同步整流MOSFET的體二極管實現(xiàn)續(xù)流。當(dāng)VDD電壓高于VDD開啟電壓后(4V 典型值),芯片開始工作。芯片內(nèi)部同步整流MOSFET只在副邊續(xù)流期間才能開通。

開通、關(guān)斷

初始階段同步整流MOSFET處于關(guān)閉狀態(tài),副邊電流經(jīng)MOSFET體二極管實現(xiàn)續(xù)流,同時在體二極管兩端形成一負向Vds電壓(<-500mV)。該負向Vds 電壓遠小于同步整流芯片U7712內(nèi)部MOSFET開啟檢測閾值,故經(jīng)過開通延遲(Td_on,約 200ns)后內(nèi)部MOSFET開通。在同步整流 MOSFET 導(dǎo)通期間, U7712采樣MOSFET-源兩端電壓(Vds)。當(dāng)Vds電壓高于MOSFET關(guān)斷閾值,內(nèi)部MOSFET將在關(guān)斷延遲(Td_off,約60ns)后被關(guān)斷。

正負端同步整流芯片U7712,高轉(zhuǎn)換效率性能,讓電源設(shè)計更加低耗、合理,在應(yīng)用市場反饋頗佳,是很多電源廠商采購清單上的???,需要更多關(guān)于U7712詳細資料的小伙伴,可直接聯(lián)系深圳銀聯(lián)寶科技,在線咨詢、電話溝通,實時為您服務(wù)!

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