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高頻率高性能CCM同步整流芯片U7612

2023-09-06 14:56:48 

同步整流芯片U7612是一款高頻率、高性能、CCM 同步整流開關,可以在GaN系統中替代肖特基整流二極管以提高系統效率。U7612 內置有VDD高壓供電模塊,無需輔助繞組供電可穩定工作,系統上支持High SideLowSide配置,兼顧了系統性能和成本。

U7612

同步整流芯片U7612 的快速關斷功能可以幫助功率器件獲得較低的電壓應力,可支持斷續工作模式 (DCM)、準諧振工作模式 (QR) 及連續工作模式 (CCM)。其內部集成有智能的開通檢測功能,可以有效防止反激電路中寄生參數振蕩引起的同步整流開關誤開通。

同步整流芯片U7612主要特點

&內置 60V MOSFET

&支持反激、有源鉗位反激拓撲

&支持 DCMQR CCM 工作模式

&集成 180V 高耐壓檢測電路和高壓供電電路,無需 VDD 輔助繞組供電

&支持寬范圍輸出電壓應用,特別適用于支持QCPD 等協議的快充領域

&支持 High Side Low Side 配置

&<30ns 開通和關斷延時

&智能開通檢測功能防止誤開通

&智能過零檢測功能

&啟動前 Gate 智能鉗位

&封裝類型 SOP-8

同步整流芯片U7612VDD電壓上升到VDD開啟電壓VDD_ON (典型值3.8V)之前,芯片處于關機狀態。內部Gate智能鉗位電路可以保證內置MOSFET不會發生高dv/dt導致的誤開通。當VDD電壓達到VDD_ON之后,芯片啟動,內部控制電路開始工作,副邊繞組電流Is經內置MOSFET的溝道實現續流。當VDD電壓低于欠壓保護閾值VDD_OFF (典型值 3.5V) 后,芯片關機,副邊繞組電流Is經內置MOSFET的體二極管實現續流。

同步整流芯片U7612引腳說明:

1 HV I漏極檢測引腳。HV Drain 建議串聯 30~200Ω 的電阻,推薦典型值 100Ω

2 VDD P IC 供電引腳,VDD GND 建議放置一個 1μF 的貼片陶瓷電容

3/4 GND G IC 參考地

5/6/7/8 Drain P 內置功率 MOSFET 漏極

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