開關電源芯片U8608集成高壓E-Mode GaN FET，為了保障GaN FET工作的可靠性和高系統效率，芯片內置了高精度、高可靠性的驅動電路，驅動電壓為VDRV (典型值 6.25V)。EMI性能為高頻交直流轉換器的設計難點，為此U8608通過DEM管腳集成了驅動電流分檔配置功能。如下圖所示，通過配置DEM管腳分壓電阻值，可以選擇不同檔位的驅動電流，進而調節GaNFET的開通速度，系統設計者可以獲得最優的EMI性能和系統效率的平衡。具體分壓電阻值可參照參數表。
在滿載和重載工況下，系統工作在QR工作模式，可以大幅降低系統的開關損耗。芯片根據FB電壓值調節谷底個數，同時為了避免系統在臨界負載處的FB電壓波動導致谷底數跳變，產生噪音，開關電源芯片U8608采用了谷底鎖定工作模式，在負載一定的情況下，導通谷底數穩定，系統無噪音。
一旦檢測到故障，包含VDD過壓保護、過溫保護、輸入過欠壓保護、輸出過壓保護、異常過流保護等，開關電源芯片U8608立即停止開關動作并進入計時狀態，同時VDD電壓被高壓供電電路鉗位到VVDD_REG_ST (典型值 12V)，經過TRECOVERY (典型值 1.3s) 時間后如果故障仍然存在，那么系統將繼續重復一個計時動作，如果故障狀態消失，系統將重新啟動。
開關電源芯片U8608系列還集成輕載SR應力優化功能，在驅動電流配置為第一、第二、第四檔位時，當芯片工作于輕載模式時，將原邊開通速度減半，減小空載時SR的Vds應力過沖。U8608采用峰值電流控制模式，可以自適應的工作在QR和降頻工作模式，從而實現全負載功率范圍內的效率優化。