對于開關電源，在次級必然要有一個整流輸出的過程。作為整流電路的主要元件，通常用的是整流二極管（利用它的單向導電特性），它可以理解為一種被動式器件，但容易導致電源效率降低，損耗產生的高溫帶來新的問題。同步整流技術和通態電阻（幾毫歐到十幾毫歐）極低的專用功率MOSFET就是在這個時刻走上開關電源技術發展的歷史舞臺了。同步整流icU7711HS高壓供電模塊，無需VDD輔助繞組供電，減低了系統成本，值得了解！
同步整流icU7711HS是一款用于替代反激變換器中副邊肖特基二極管的高性能同步整流功率開關，內置超低導通阻抗功率MOSFET以提升系統效率。U7711HS支持“浮地”和“共地”同步整流兩種架構，同時支持系統斷續工作模式(DCM)和準諧振工作模式(QR)。U7711HS內置VDD高壓供電模塊，無需VDD輔助繞組供電，降低了系統成本。U7711HS內部集成有VDD欠壓保護功能和VDD電壓鉗位。
同步整流icU7711HS主要特點：
1.反激拓撲副邊同步整流功率開關
2.支持“浮地”和“共地”同步整流兩種拓撲
3.支持斷續工作模式(DCM)和準諧振工作模式(QR)
4.<300uA 超低靜態電流
5.內置VDD高壓供電模塊，無需VDD輔助繞組供電
6.內置 40V 功率 MOSFET
7.內部集成保護：
VDD欠壓保護(UVLO)
VDD電壓鉗位(>5mA 鉗位電流)
8.封裝信息 SOP-8
在原邊MOSFET導通期間，同步整流icU7711HS內部7.1V穩壓器將從其Drain管腳抽取電流向VDD供電，以使VDD電壓恒定在7.1V左右。基于高頻解耦和供電考慮，推薦選取容量為1uF的陶瓷電容作為VDD電容。系統開機以后，芯片內部高壓LDO從Drain管腳抽取電流向VDD電容供電。當VDD電壓低于欠壓保護閾值后（3.1V 典型值），芯片進入睡眠模式，同時內部同步整流MOSFET進入關斷狀態，副邊繞組電流經內部同步整流MOSFET的體二極管實現續流。當VDD電壓高于VDD開啟電壓后（4V 典型值），芯片開始工作。芯片內部同步整流MOSFET只在副邊續流期間才能開通。
肖特基整流管可以看成一條建在泥土上沒有鋪水泥的灌溉用的水道，從源頭下來的水源在中途滲漏了很多，十方水可能只有七、八方到了農田里面。而同步整流技術就如同一條鑲嵌了光滑瓷磚的引水通道，除了一點點被太陽曬掉的損失外，十方水能有9.5方以上的水真正用于澆灌那些我們日日賴以生存的糧食。想要提供更高轉換效率的電源轉換器，記得選擇同步整流icU7711HS！