開關(guān)電源芯片把開關(guān)電源所需要的控制邏輯都集成在芯片中，作用當(dāng)然是來簡化電路設(shè)計、提高可靠性的。開關(guān)電源芯片U6113在同一晶元上集成了高壓功率MOSFET和控制器。此外，芯片還集成有高壓啟動電路和無需輔助繞組的電感電流過零檢測電路，利用此功能，系統(tǒng)工作在準(zhǔn)諧振模式下并且最大程度地簡化了系統(tǒng)的設(shè)計。
在開關(guān)電源芯片U6113內(nèi)部，只要當(dāng)內(nèi)部高壓MOSFET關(guān)斷時，5.8V的穩(wěn)壓器就會從芯片的Drain管腳端抽取一定的電流給VDD電容充電至5.8V；再當(dāng)內(nèi)部高壓MOSFET導(dǎo)通的時候，5.8V穩(wěn)壓器則停止工作而芯片靠VDD電容提供供電以正常運行。由于芯片的工作電流超低，所以利用從芯片Drain管腳抽取的電流足以使其連續(xù)穩(wěn)定地工作。通常情況下，建議使用1uF的VDD電容用以濾除高頻噪聲和作為芯片供電。
為了保證系統(tǒng)工作在準(zhǔn)諧振模式下，開關(guān)電源芯片U6113利用檢測流經(jīng)內(nèi)部高壓MOSFET漏極和門極間寄生的米勒電容Crss的電流實現(xiàn)電流過零點的檢測。當(dāng)電感電流續(xù)流到零后，電感和高壓MOSFET的輸出電容開始諧振過程。此過程中MOSFET的Drain端電壓開始下降 ，同時會有一由地到MOSFET Drain端的負向電流流經(jīng)Crss電容。反之，當(dāng)MOFET關(guān)斷Drain端電壓上升時，會有一正向電流流經(jīng)Crss電容。如圖芯片利用檢測到的流經(jīng)Crss電容的負向電流實現(xiàn)了電感電流過零點的檢測。
開關(guān)電源芯片U6113是一款內(nèi)部高度集成的降壓型準(zhǔn)諧振式（QR-Buck）LED照明恒流驅(qū)動功率開關(guān)芯片，工作電流典型值為140uA。如此低的工作電流降低了對于VDD電容大小的要求，同時也可以幫助系統(tǒng)獲得更高的效率。U6113設(shè)計的軟驅(qū)動結(jié)構(gòu)的驅(qū)動電路優(yōu)化了系統(tǒng)的EMI性能。