同步整流可提高效率，同時也能夠極大地幫助瞬態負載調節。它為電源預加載提供了一種高效的方法。另外，相比擺動電感，它還擁有更加穩定的控制環路特性。同步整流icU7718是一款用于替代反激變換器中副邊肖特基二極管的低成本、高性能同步整流功率開關，內置超低導通阻抗功率MOSFET以提升系統效率。有興趣的小伙伴可以多了解下！
同步整流icU7718支持High Side和Low Side配置，同時支持系統斷續工作模式(DCM)和準諧振工作模式(QR)。內置VDD高壓供電模塊，無需VDD輔助繞阻供電，簡化了外圍電路，降低系統成本。U7718內部集成智能開通檢測功能,可以有效防止斷續工作模式(DCM)中由于Vds振蕩引起的SR誤開通。
在原邊MOSFET導通期間，同步整流ic U7718內部7.1V穩壓器將從其Drain管腳抽取電流向VDD供電，以使VDD電壓恒定在7.1V左右。基于高頻解偶和供電考濾,推薦選取容量為1uF的陶瓷電容作為VDD電容。
變壓器副邊續流階段開始時，同步整流MOSFET處于關閉狀態，副邊電流經MOSFET體二極管實現續流，同時在體二極管兩端形成一負向Vds電壓(<-500mV)。該負向Vds電壓遠小于同步整流icU7718內部MOSFET開啟檢測閾值, 故經過開通延遲（典型值200nS）后內部MOSFET開通。在同步整流MOSFET導通期間，U7718采樣MOSFET漏-源兩端電壓 (Vds)。當Vds電壓高于MOSFET 關斷閾值(典型值-6mV)，內部MOSFET將在關斷延遲（Td_off，約60ns）后被關斷。
同步整流icU7718管腳功能描述：
1、2、3 GND P IC 參考地，同時也是內部功率 MOSFET 的源極
4 VDD P IC 供電腳，
5、6、7、8 Drain I 內置功率 MOSFET 漏極
在內部同步整流MOSFET開通瞬間，芯片漏-源(Drain-Source)之間會產生電壓尖峰。為避免此類電壓尖峰干擾系統正常工作導致芯片誤動作，芯片內部集成有前沿消隱電路(LEB)。在LEB時間（約1.12us）內，關斷比較器被屏蔽，無法關斷內部同步整流MOSFET，直至消隱時間結束。
同步整流icU7718方案能滿足客戶高效適配器、反激變換器、充電器的應用，使得電源設計盡可能達到最優化。方案簡單有效，成本經濟可控，更多實惠請致電400-778-5088！