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PD快充A+C口:30W高效率氮化鎵電源方案U8722DE+U7110W

2025-06-17 14:40:35 

A+C口兼容雙接口電路,可滿足多設備充電需求,還可以兼容傳統USB-A設備,接口互補,場景覆蓋廣,依然是當前充電市場不可忽略的中堅力量。深圳銀聯寶科技推出的PD快充A+C口:30W高效率氮化鎵電源方案U8722DE+U7110W,最大程度簡化設計方案,易上手,低成本!

氮化鎵電源ICU8722DE采用峰值電流控制模式,可以自適應的工作在QR和降頻工作模式,從而實現全負載功率范圍內的效率優化。在滿載和重載工況下,系統工作在QR工作模式,可以大幅降低系統的開關損耗。芯片根據FB電壓值調節谷底個數,同時為了避免系統在臨界負載處的FB電壓波動導致谷底數跳變,產生噪音,U8722DE采用了谷底鎖定工作模式在負載一定的情況下,導通谷底數穩定,系統無噪音。隨著負載的逐漸降低,系統導通的谷底個數逐漸增加,當谷底數超過6個時,不再檢測谷底電壓,系統進入降頻工作模式,通過進一步降低開關頻率,減小開關損耗,優化系統輕載效率。

在同步整流內置MOSFET導通期間,同步整流ICU7110W采樣MOSFET-源兩端電壓(Vds)。當Vds電壓高于MOSFET關斷閾值Vth_off (典型值 0mV),經過關斷延遲Td_off (典型值 22ns)內置MOSFET的溝道關斷。在VDD電壓上升到VDD開啟電壓VDD_ON (典型值3.8V)之前,U7110W處于關機狀態。內部Gate智能鉗位電路可以保證內置MOSFET不會發生高dv/dt導致的誤開通。當VDD電壓達到VDD_ON之后,芯片啟動,內部控制電路開始工作,副邊繞組電流Is經內置MOSFET的溝道實現續流。當VDD電壓低于欠壓保護閾值VDD_OFF (典型值 3.5V)后,芯片關機,副邊繞組電流Is經內置MOSFET的體二極管實現續流。

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