同步整流芯片在PD快充領域的應用主要體現在提升效率、降低損耗以及適配小型化設計等方面。深圳銀聯寶科技同步整流芯片U7610B采用低導阻MOSFET替代傳統肖特基二極管，顯著降低導通損耗，高集成度設計減少外圍元件需求，簡化了電路布局！
在VDD電壓上升到VDD開啟電壓VDD_ON (典型值4.5V)之前，同步整流芯片U7610B處于關機狀態。內部Gate智能鉗位電路可以保證內置MOSFET不會發生高dv/dt導致的誤開通。當VDD電壓達到VDD_ON之后，芯片啟動，內部控制電路開始工作，副邊繞組電流Is經內置MOSFET的溝道實現續流。當VDD電壓低于欠壓保護閾值VDD_OFF(典型值 3.3V)后，芯片關機，副邊繞組電流Is經內置MOSFET的體二極管實現續流。
同步整流芯片U7610B特點：
&內置 60V MOSFET
&支持 DCM、QR 和 CCM 工作模式
&集成高壓供電電路，無需 VDD 輔助繞組供電
&支持寬范圍輸出電壓應用，特別適用于支持QC、PD 等協議的快充領域
&支持 High Side 和 Low Side 配置
&<30ns 開通和關斷延時
&智能開通檢測功能防止誤開通
&智能過零檢測功能
&啟動前 Gate 智能鉗位
&封裝類型 SOP-8
&管腳名稱：
1、2 GND G IC 參考地
3 VDD P IC 供電引腳，VDD 到 GND 建議放置一個 1μF 的貼片陶瓷電容
4 NC -
5、6、7、8 SW P 內置功率 MOSFET 漏極
同步整流芯片U7610B是一款帶快速關斷功能的高性能副邊同步整流功率開關，可以替代肖特基整流二極管以提高系統效率。U7610B的快速關斷功能可以幫助功率器件獲得較低的電壓應力，可支持斷續工作模式(DCM)、準諧振工作模式(QR)及連續工作模式(CCM)。其內部集成有智能的開通檢測功能，可以有效防止反激電路中寄生參數振蕩引起的同步整流開關誤開通。
深圳銀聯寶科技研發生產的同步整流芯片，一直在推動PD快充、服務器電源等場景的能效認證，優化電路可靠性?，開發低成本、高可靠性同步電源方案，利用效率優勢強化市場競爭力，獲得了很多客戶青睞，是同步整流芯片甄選供應商！