深圳銀聯(lián)寶科技的氮化鎵電源芯片U8722BH和昂寶OB2733、南芯SC3055對(duì)比，功能更全，負(fù)壓采樣可靠性更高，有BOP，高壓?jiǎn)?dòng)待機(jī)更優(yōu)、頻率更高，可調(diào)驅(qū)動(dòng)。BOOST供電能做3.3~20V，SR輕載應(yīng)力優(yōu)化。ESOP-7封裝比SOP-7 封裝尺寸大，同規(guī)格散熱更好。U8722BH繼承了公司原有氮化鎵產(chǎn)品優(yōu)點(diǎn)，主打性價(jià)比更高，并進(jìn)一步優(yōu)化新增功能。
氮化鎵電源芯片U8722BH采用峰值電流控制模式，可以自適應(yīng)的工作在QR和降頻工作模式，從而實(shí)現(xiàn)全負(fù)載功率范圍內(nèi)的效率優(yōu)化。在滿載和重載工況下，系統(tǒng)工作在QR工作模式，可以大幅降低系統(tǒng)的開關(guān)損耗。芯片根據(jù)FB電壓值調(diào)節(jié)谷底個(gè)數(shù)，同時(shí)為了避免系統(tǒng)在臨界負(fù)載處的FB電壓波動(dòng)導(dǎo)致谷底數(shù)跳變，產(chǎn)生噪音，U8722BH采用了谷底鎖定工作模式在負(fù)載一定的情況下，導(dǎo)通谷底數(shù)穩(wěn)定，系統(tǒng)無噪音。
氮化鎵電源芯片U8722BH采用峰值電流抖動(dòng)的方式實(shí)現(xiàn)進(jìn)一步的EMI性能優(yōu)化，峰值電流抖動(dòng)幅值最大為±8.3%。芯片根據(jù)輸入電壓的變化調(diào)節(jié)抖動(dòng)幅值，實(shí)現(xiàn)EMI優(yōu)化的基礎(chǔ)上進(jìn)一步優(yōu)化輸出紋波。隨著負(fù)載的逐漸降低，系統(tǒng)導(dǎo)通的谷底個(gè)數(shù)逐漸增加，當(dāng)谷底數(shù)超過6個(gè)時(shí)，不再檢測(cè)谷底電壓，系統(tǒng)進(jìn)入降頻工作模式，通過進(jìn)一步降低開關(guān)頻率，減小開關(guān)損耗，優(yōu)化系統(tǒng)輕載效率。
由于原邊功率開關(guān)寄生電容、變壓器寄生電容和副邊整流管反向恢復(fù)的原因，功率開關(guān)開通瞬間會(huì)在采樣電阻上產(chǎn)生電壓尖刺。為避免驅(qū)動(dòng)信號(hào)被錯(cuò)誤關(guān)閉，氮化鎵電源芯片U8722BH內(nèi)部集成有前沿消隱功能。在開關(guān)管導(dǎo)通之后的TLEB_OCP (典型值 232ns) 時(shí)間內(nèi)，峰值電流比較器不會(huì)關(guān)閉功率開關(guān)。在異常過流保護(hù)狀態(tài)下 (AOCP)，為保證系統(tǒng)可靠性，當(dāng)CS管腳電壓達(dá)到AOCP保護(hù)閾值VCS_AOCP(典型值-1.2)時(shí)，前沿消隱時(shí)間進(jìn)一步降低到TLEB_AOCP(典型值 131ns)。
氮化鎵電源芯片U8722BH通過DRAIN管腳對(duì)母線電壓進(jìn)行采樣，經(jīng)過內(nèi)部濾波處理，得到準(zhǔn)確的母線電壓值，當(dāng)母線電壓值小于BOP保護(hù)閾值VBOP (典型值99V)時(shí)，芯片內(nèi)部的BOP延遲計(jì)時(shí)使能，計(jì)時(shí)時(shí)間為TBOP_DELAY (典型值75ms)，計(jì)時(shí)結(jié)束后觸發(fā)BOP保護(hù)。如果母線電壓超過BOP恢復(fù)閾值VBOP_RE(典型值 110V)，芯片將重新啟動(dòng)。U8722BH內(nèi)部集成有軟啟動(dòng)功能，在軟啟動(dòng)時(shí)間TST (典型值5ms)內(nèi)，電流峰值從最小值逐步增加，避免變壓器磁芯飽和，系統(tǒng)每次重啟都會(huì)伴隨一次軟啟動(dòng)過程。