在選擇合適的肖特基之前，對肖特基二極管有一個深入的了解。
肖特基二極管則是利用金屬和半導體面接觸產生的勢壘（barrier）整流作用，這個接觸面稱為“金屬半導 體結”，其全名應為肖特基勢壘二極管，簡稱為肖特基二極管。
現有肖特基二極管大多數是用硅（Si）半導體材料制作的。20世紀90年代以來，出現了用砷化鎵（GaAs）制作SBD。
Si-SBD的特點是：正向壓降PN結二極管的UDF低，僅為后者的1/2～1/3；trr約為10 ns數量級；適用于低電壓（小于50 V）的功率電子電路中（當電路電壓高于100 V以上時，則要選用PIV高的SBD，其正向電阻將增大許多）。
肖特基二極管主要優勢：
1：低壓降，損耗電壓小。
2：開關速度快，損耗小，適用于高頻電路。
肖特基二極管主要劣勢：
1：反向偏壓較低，承受不了過大的反向電壓。
2：反向漏電是正溫度系數的，當溫度升高，IR反向漏電會隨之增大（這是設計工作者們容易忽略的參數）。
綜上所訴：肖特基二極管適用于高精度、小型化、功能復雜、低能耗、高頻率等特點的電路。根據實際電路的特點，進行進一步的選型。
銀聯寶科技的肖特基二極管選型表：
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