深圳銀聯(lián)寶氮化鎵系列又雙叒叕上“芯”料啦——U8722SP！氮化鎵快充芯片U8722SP采用SOP-7封裝，推薦最大輸出功率20W，集成MOS耐壓700V，典型應用于快速充電器和適配器上，腳位如下：
1 GND P 芯片參考地
2 CS I/O 電流采樣輸入、最高頻率選擇管腳
3 FB I 系統(tǒng)反饋輸入管腳
4 DEM I/O 消磁檢測、輸出 OVP 檢測、驅動能力分檔判定管腳
5 SW P Boost 電路內置 MOS 的漏極管腳
6 VDD P 芯片供電管腳
7 DRAIN P 內置高壓 GaN FET 漏極、高壓啟動供電管腳
氮化鎵快充芯片U8722SP主要特征：
1.集成 高壓 E-GaN
2.集成高壓啟動功能
3.超低啟動和工作電流，待機功耗 <30mW
4.谷底鎖定模式， 最高工作頻率兩檔可調(220kHz，130kHz)
5.集成 EMI 優(yōu)化技術
6.驅動電流分檔配置
7.集成 Boost 供電電路
8.集成完備的保護功能：
VDD 過壓/欠壓保護 (VDD OVP/UVLO)
輸出過壓保護 (OVP)
輸出欠壓保護 (DEM UVP)
輸入過壓保護 (LOVP)
輸入欠壓保護 (BOP)
片內過熱保護 (OTP)
逐周期電流限制 (OCP)
異常過流保護 (AOCP)
短路保護 (SCP)
過載保護 (OLP)
前沿消隱 (LEB)
CS 管腳開路保護
在輕載和空載狀態(tài)下，當FB管腳電壓低于VSKIP_IN(典型值 0.4V)時，系統(tǒng)進入打嗝模式工作,，停止開關動作。當FB電壓超過VSKIP_OUT(典型值 0.5V/0.7V) 時，氮化鎵快充芯片U8722SP重新開始開關動作。打嗝模式降低了輕載和待機狀態(tài)下的系統(tǒng)功耗。芯片采用了打嗝噪音優(yōu)化技術，可自適應的調節(jié)打嗝VSKIP_OUT的閾值，實現噪音和紋波的最優(yōu)化。
GaN氮化鎵產品的高壓特性，在封裝設計過程對設計要求與其他IC有明顯的差異。深圳銀聯(lián)寶科技充分考慮芯片本身的性能需求、以及客戶的差異化需求，推出了不同封裝的氮化鎵快充芯片，更好的服務于客戶！