為了滿足客戶高端、高功率密度的要求，深圳銀聯寶科技推出的同步整流ICU7612，在提高效率的同時，也能夠極大地幫助瞬態負載調節，而且擁有更加穩定的控制環路特性，提高了傳統降壓轉換器，以及所有其他能夠使用同步整流的拓撲結構的動態性。
同步整流ICU7612是一款高頻率、高性能、CCM同步整流開關，可以在GaN系統中替代肖特基整流二極管以提高系統效率。U7612內置有VDD高壓供電模塊，無需輔助繞組供電可穩定工作，系統上支持High Side和LowSide配置，兼顧了系統性能和成本。
同步整流ICU7612PCB 設計建議：
1. 副邊主功率回路Loop1的面積盡可能小。
2. VDD 電容推薦使用1μF的貼片陶瓷電容，盡量緊靠IC，Loop2的面積盡可能小。
3. HV 到Drain建議串聯30~200Ω的電阻，推薦典型值100Ω。HV檢測點位置對CCM應力有影響，HV檢測點離Drain引腳越遠，CCM應力越小。High Side配置中，建議HV通過R2電阻連接到輸出電容的正端。
4. R1和C1構成同步整流開關的RC吸收電路，RC吸收回路Loop3的面積可能小。
5. Drain 引腳的PCB散熱面積盡可能大。
6.SOP-8的封裝框架與Drain引腳電位相同，芯片切筋后，框架金屬有少量暴露，考慮到絕緣要求，外圍元器件應與IC本體保持0.2mm以上的絕緣距離。
在VDD電壓上升到VDD開啟電壓VDD_ON (典型值3.8V)之前，同步整流ICU7612處于關機狀態。內部Gate智能鉗位電路可以保證內置MOSFET不會發生高dv/dt導致的誤開通。當VDD電壓達到VDD_ON之后，芯片啟動，內部控制電路開始工作，副邊繞組電流Is經內置MOSFET的溝道實現續流。當VDD電壓低于欠壓保護閾值VDD_OFF (典型值 3.5V) 后，芯片關機，副邊繞組電流Is經內置MOSFET的體二極管實現續流。
同步整流技術就是采用低導通電阻的功率MOS管代替開關變換器快恢復二極管，起整流管的作用，從而達到降低整流損耗，提高效率的目的。搜索深圳銀聯寶科技，可獲取更多同步整流IC及解決方案！