這幾天被刷屏的長征十一號運載火箭選擇在黃海海域發(fā)射升空，科技迷們紛紛發(fā)出疑問：為什么要在海上發(fā)射呢？小編了解到，海上能夠讓火箭充分利用赤道上地球自轉(zhuǎn)的附加速度，節(jié)省燃料，提升運載能力。平臺周圍人口，很大程度上保障了。海上發(fā)射平臺更容易大規(guī)模移動，機動性強。電源IC友恩半導(dǎo)體為祖國的強實力喝彩。
電源IC TB3815集成抖頻功能可優(yōu)化EMI表現(xiàn)，突發(fā)模式能降低系統(tǒng)的待機功耗，極低的啟動電流和軟啟動控制電路保證系統(tǒng)快速的啟動，效率滿足六級能效要求，副邊反饋/內(nèi)置600V 功率MOSFET，內(nèi)置65KHz 工作頻率，零OCP恢復(fù)間隙控制避免低壓啟動失敗，內(nèi)置4mS軟啟動，管腳浮空保護。完整的保護功能，包含VDD欠壓保護（UVLO）、逐周期電流保護（OCP）電流過壓保護（OVP）、過溫保護（OTP）、短路輸出保護（OLP）和CS開短路保護等。
電源IC TB3815各腳的功能以及調(diào)試中注意事項：
1.VDD供電腳：TB3815 的啟動電流低1uA，可有效地減少系統(tǒng)啟動電路的損耗，減小待機功耗。啟動閾值電壓13.6V 關(guān)斷閾值電壓7.6V，OVP電壓為30V。建議在調(diào)試計算中VCC輔助繞組電壓一般設(shè)置在20V內(nèi)， VCC電解推薦為10uF。
2.CS原邊電流采樣端：CS端是原邊電流采樣端，峰值電流預(yù)檢測閾值是580Mv。當(dāng)MOS管打開時，過沖電流會產(chǎn)生在采樣電阻上。為了避免開關(guān)誤操作，芯片內(nèi)置了一個前沿消隱LEB時間，人為產(chǎn)生一個 500ns 的空白期，使得MOS管不會被誤操作而關(guān)閉。CS腳的峰值電流檢測閾值為580mV。這個腳不需要外接電容。
3.GND：芯片的電源接地腳，畫PCB時注意與功率地分開布線。
4.DRAIN 腳：TB3815內(nèi)部集成一個600V/2A的高壓功率 MOSFET，該腳為內(nèi)部高壓功率 MOSFET的漏極，接變壓器初級。
5.FB腳：反饋輸入引腳。
副邊15W電源IC TB3815 能廣泛應(yīng)用于智能機充電器、PDA/數(shù)碼相機充電器、電視/個人電腦的輔助電源、可替代線性穩(wěn)壓器/RCC電源等 。放眼全球，各國都在不斷推進海上發(fā)射技術(shù)。走出舒適圈，不斷突破現(xiàn)有技術(shù)，不斷開拓新領(lǐng)地，也是友恩半導(dǎo)體一直在做的事情。