隨著六級能效的實施及快速充電技術的普及，同步整流在反激變換器中得到了電源工程師們的廣泛應用。同步整流( SR )是采用通態電阻極低的功率MOSFET取代整流二極管以降低損耗的一項新技術。它能提升轉換效率，并可利用其二次側的優勢電源指標，符合開關電源小型化、高能效、智能化的發展趨勢。介紹這款用于替代反激變換器中副邊肖特基二極管的高性能同步整流功率開關的同步整流芯片U7711給大家！
同步整流芯片U7711是一款用于替代Flyback副邊肖特基二極管的高性能同步整流開關，內置超低導通阻抗功率MOSFET以提升系統效率。U7711支持“浮地”和“共地”同步整流兩種架構，同時支持系統斷續工作模式 (DCM) 和準諧振工作模式 (QR)。內置VDD高壓供電模塊，無需VDD輔助繞組供電，降低了系統成本。U7711內部集成有VDD欠壓保護功能和VDD電壓鉗位。
在原邊MOSFET導通期間，同步整流芯片U7711內部7.1V穩壓器將從其Drain管腳抽取電流向VDD供電，以使VDD電壓恒定在7.1V 左右?；诟哳l解耦和供電考慮，推薦選取容量為1uF的陶瓷電容作為VDD電容。初始階段同步整流MOSFET處于關閉狀態，副邊電流經MOSFET體二極管實現續流，同時在體二極管兩端形成一負向Vds電壓(<-500mV)。該負向Vds電壓遠小于U7711內部MOSFET開啟檢測閾值，故經過開通延遲（Td_on，約200ns）后內部MOSFET開通。
在同步整流 MOSFET 導通期間，同步整流芯片U7711采樣MOSFET漏-源兩端電壓(Vds)。當Vds電壓高于MOSFET關斷閾值，內部MOSFET將在關斷延遲（Td_off，約 60ns）后被關斷。在內部同步整流MOSFET開通瞬間，芯片漏-源(Drain-Source) 之間會產生電壓尖峰。為避免此類電壓尖峰干擾系統正常工作導致芯片誤動作，芯片內部集成有前沿消隱電路(LEB)。在 LEB時間（約1us）內，關斷比較器被屏蔽，無法關斷內部同步整流MOSFET，直至消隱時間結束。
同步整流芯片U7711價格實惠性能穩定，后續供應有保障，技術服務一直在線，歡迎選購！