隨著環保意識的提升，在多國政府法規積極推動之下，促使電子產品對電源供應器規格要求越來越嚴格。電源功率密度的不斷提高，對于電源次級整流的要求越來越高，整流器件從最初的肖特基管整流，發展到用同步整流開關管替代二極管以降低功耗。今天推薦的就是一款可提高電源效率的負端同步整流芯片U7710！
負端同步整流芯片U7710是一款用于替代Flyback副邊肖特基二極管的高性能同步整流開關，內置超低導通阻抗功率MOSFET以提升系統效率。U7710支持““共地”同步整流配置，也支持系統斷續工作模式(DCM)和準諧振工作模式(QR)。U7710采用輸出直接給VDD供電，不需要輔助繞阻，也不需要VDD電容,降低了系統成本。內置智能開通檢測邏輯防止同步整流誤導通。5V輸出直接給VDD供電, 無需輔助繞阻，省略了VDD電容，系統成本降低。
系統開機以后，負端同步整流芯片U7710內部高壓LDO從Drain管腳抽取電流向VDD電容供電。當VDD電壓低于欠壓保護閾值后（3.2V 典型值），芯片進入睡眠模式，同時內部同步整流MOSFET進入關斷狀態，副邊繞組電流經內部同步整流MOSFET的體二極管實現續流。當VDD電壓高于VDD開啟電壓后（3.4V 典型值），芯片開始工作。芯片內部同步整流MOSFET只在副邊續流期間才能開通。
開通階段，變壓器副邊續流階段開始時，同眇整流MOSFET處于關閉狀態，副邊電流經MOSFET體二極管實現續流，同時在體二極管兩端形成一負向Vds電壓(<-500mV)。該負向Vds電壓遠小于負端同步整流芯片U7710內部MOSFET開啟檢測閾值，(典型值-200mV)，故經過開通延遲（典型值 20nS）后內部MOSFET開通。
關斷階段，在同步整流 MOSFET 導通期間，負端同步整流芯片U7710采樣MOSFET漏-源兩端電壓 (Vds)。當Vds電壓高于MOSFET關斷閾值(典型值-6mV)，內部MOSFET將在關斷延遲（Td_off，約20ns）后被關斷。
在內部同步整流MOSFET開通瞬間，負端同步整流芯片U7710漏-源(Drain-Source)之間會產生電壓尖峰。為避免此類電壓尖峰干擾系統正常工作導致芯片誤動作，芯片內部集成有前沿消隱電路 (LEB)。在LEB時間（約1.12us）內，關斷比較器被屏蔽，無法關斷內部同步整流MOSFET，直至消隱時間結束。
深圳銀聯寶科技這款負端同步整流芯片U7710，推薦輸出5v2A，還有5v2.4A的U7711，5v3A的U7712，都能輕松地幫助客戶提高電源效率及功率密度的同時降低設計成本，滿足最新的能效標準。