一般開關(guān)電源芯片IC工作在非常靠近特性參數(shù)限值時(shí)，其重要的寄生參數(shù)不能忽略，而且還需要考慮溫度變化因素。因?yàn)闇囟茸兓瘜⒂绊懶剩瑥亩绊懰璧恼伎毡取?/span>
溫度對(duì)開關(guān)電源效率的影響也是很難預(yù)期估計(jì)的，因此溫度變化對(duì)占空比的影響也很難估計(jì)。溫度升高使有些損耗升高，而有些損耗降低。然而保守估算中，少應(yīng)考慮溫度升高時(shí)對(duì)MOSFET管導(dǎo)通壓降的影響。低壓MOSFET（額定值約為30V），當(dāng)開關(guān)管溫度從室溫到發(fā)熱時(shí)，RDS(導(dǎo)通阻抗）一般將會(huì)增加30%~50%，故一般將室溫下的導(dǎo)通阻抗乘以1.4便可得到發(fā)熱時(shí)的導(dǎo)通阻抗。而通常用于離線式開關(guān)電源的高壓MOSFET中，RDS增加達(dá)到80%~100%。所以在求取發(fā)熱時(shí)的導(dǎo)通阻抗時(shí)，應(yīng)乘以系數(shù)1.8。
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