銀聯寶介紹，LED倒裝芯片之所以被稱為“倒裝”是相對于傳統的金屬線鍵合連接方式與植球后的工藝而言的。傳統的通過金屬線鍵合與基板連接的晶片電氣面朝上，而倒裝晶片的電氣面朝下，相當于將前者翻轉過來，故稱其為“倒裝芯片”。

銀聯寶倒裝LED芯片，通過MOCVD技術在藍寶石襯底上生長GaN基LED結構層，由P/N結發光區發出的光透過上面的P型區射出。由于P型GaN傳導性能不佳，為獲得良好的電流擴展，需要通過蒸鍍技術在P區表面形成一層Ni- Au組成的金屬電極層。P區引線通過該層金屬薄膜引出。為獲得好的電流擴展，Ni-Au金屬電極層就不能太薄。為此，器件的發光效率就會受到很大影響，通常要同時兼顧電流擴展與出光效率二個因素。但無論在什麼情況下，金屬薄膜的存在，總會使透光性能變差。此外，引線焊點的存在也使器件的出光效率受到影響。 采用GaN LED倒裝芯片的結構可以從根本上上面的問題。

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