- [公司新聞]全負載高效率、低空載損耗的充電器芯片U86212024年11月26日 11:18
- 超結MOSFET的優勢在于其具有高耐壓和低電阻的特點。相較于普通高壓VDMOS，超結MOSFET的導通電阻遠小，適用于高能效和高功率密度的快速開關應用。此外，超結MOSFET的額定電壓越高，導通電阻的下降越明顯，使其在中低功率水平下的高速運行非常適合。充電器芯片U8621是一款恒壓、恒功率、恒溫離線型電流模式PW電源管理芯片，內置1.9Ω/630V的超結硅功率MOS。 充電器芯片U8621主要功能如下： 1、系統啟動和靜態電流 充電器芯片U8621的啟動電流低至10uA，啟動
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