- [公司新聞]集成E-GaN的QR模式PSR反激功率開關電源芯片U86082024年06月05日 14:23
- 開關電源芯片U8608集成高壓E-Mode GaN FET，為了保障GaN FET工作的可靠性和高系統效率，芯片內置了高精度、高可靠性的驅動電路，驅動電壓為VDRV (典型值 6.25V)。EMI性能為高頻交直流轉換器的設計難點，為此U8608通過DEM管腳集成了驅動電流分檔配置功能。如下圖所示，通過配置DEM管腳分壓電阻值，可以選擇不同檔位的驅動電流，進而調節GaNFET的開通速度，系統設計者可以獲得最優的EMI性能和系統效率的平衡。具體分壓電阻值可參照參數表。 在滿載和
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