- [公司新聞]65W全壓700V底部無PAD氮化鎵快充芯片U87662025年03月20日 15:32
- 深圳銀聯(lián)寶科技推出的氮化鎵快充芯片集成高頻高性能準(zhǔn)諧振模式，顯著降低磁性元件體積，同時通過同步整流技術(shù)將效率翻番。比如今天介紹的65W全壓700V底部無PAD氮化鎵快充芯片U8766，擁有超低啟動和工作電流，可實現(xiàn)小于30mW的超低待機功耗，勢如破竹！ 氮化鎵快充芯片U8766集成高壓E-Mode GaN FET，為了保障GaN FET工作的可靠性和高系統(tǒng)效率，芯片內(nèi)置了高精度、高可靠性的驅(qū)動電路，驅(qū)動電壓為VDRV (典型值 6.2V)。EMI性能為高頻交直流轉(zhuǎn)換器的
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