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原邊5W開關電源芯片 SF6072
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原邊反饋/內置三極管
“多模式PSR”控制提高可靠性和效率
支持高50V輸出電壓
?內置專利的線損電壓補償，提高量產精度
自動補償輸入電壓、電感感量變化，實現高精度
內置軟啟動，啟動電流，管腳浮空保護
逐周期電流限制，內置前沿消隱
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原邊5W開關電源芯片 SF6010N
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原邊反饋/外驅三極管
支持高50V輸出電壓
內置專利的線損電壓補償，提高量產精度
自動補償輸入電壓、電感感量變化，實現高精度
內置軟啟動，啟動電流，管腳浮空保護
逐周期電流限制，內置前沿消隱
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原邊15W開關電源芯片 SF5928S
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專利的“NC-Cap/PSR-II?”控制技術
“多模式PSR”控制提高可靠性和效率
小于±5%恒壓恒流高精度
原邊反饋（PSR）控制，無需光耦和TL431
內置專利的線損電壓補償
自動補償輸入電壓、電感感量變化，實現高精度
內置軟啟動，啟動電流，管腳浮空保護
原邊反饋/內置MOSFET,輸出過壓保護
逐周期電流限制，內置前沿消隱
VDD欠壓保護（UVLO），過壓保護及鉗位
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原邊9W開關電源芯片 SF5926S
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專利的“NC-Cap/PSR-II?”控制技術
“多模式PSR”控制提高可靠性和效率
小于±5%恒壓恒流高精度
原邊反饋（PSR）控制，無需光耦和TL431
內置專利的線損電壓補償
自動補償輸入電壓、電感感量變化，實現高精度
內置軟啟動，啟動電流，管腳浮空保護
原邊反饋/內置MOSFET,輸出過壓保護
逐周期電流限制，內置前沿消隱
VDD欠壓保護（UVLO），過壓保護及鉗位
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原邊6W開關電源芯片 SF5922S
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專利的“NC-Cap/PSR-II?”控制技術
“多模式PSR”控制提高可靠性和效率
小于±5%恒壓恒流高精度
原邊反饋（PSR）控制，無需光耦和TL431
內置專利的線損電壓補償
自動補償輸入電壓、電感感量變化，實現高精度
內置軟啟動，啟動電流，管腳浮空保護
原邊反饋/內置MOSFET,輸出過壓保護
逐周期電流限制，內置前沿消隱
VDD欠壓保護（UVLO），過壓保護及鉗位
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副邊25W開關電源芯片 SF5930
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專利的“NC-Cap/PSR-II?”控制技術
“多模式PSR”控制提高可靠性和效率
±5%恒壓恒流精度
快速動態響應，大小減小輸出紋波
支持輸出電壓大小50V
原邊反饋（PSR）控制，無需光耦和TL431
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副邊25W開關電源芯片 SF5920
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專利的“NC-Cap/PSR-II?”控制技術
“多模式PSR”控制提高可靠性和效率
±5%恒壓恒流精度
快速動態響應，大小減小輸出紋波
支持輸出電壓大小50V
原邊反饋（PSR）控制，無需光耦和TL431
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原邊10W開關電源芯片 U6117SA
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原邊反饋/內置MOSFET
效率滿足六級能效要求
低待機功耗小于70mW
內置600V 功率MOSFET
QR-PSR控制提高工作效率
±4％恒壓恒流精度，多模式PSR控制
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原邊25W開關電源芯片 SF6771T
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原邊反饋/外置MOSFET
效率滿足六級能效要求
優化降頻技術提率
零OCP恢復間隙控制避免低壓啟動失敗
內置頻率抖動EMI
內置同步斜率補償. 逐周期電流限制, 內置前沿消隱
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原邊6W開關電源芯片 U6117S
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效率滿足六級能效要求
低待機功耗小于70mW
內置600V 功率MOSFET
QR-PSR控制提高工作效率
±4％恒壓恒流精度，多模式PSR控制
內置快速動態響應控制，無異音工作
內置可編程線損電壓補償
自動補償輸入電壓.電感感量變化,實現高精度
原邊反饋/內置MOSFET,內置短路保護
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原邊12W開關電源芯片 U6315
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QR-PSR控制提高工作效率。
±4% 的恒流恒壓精度,PSR控制模式。
系統效率滿足 ‘DoE六級能效’ Tier2 要求,待機＜70mW。
原邊反饋/內置三極管,內置專利的線損電壓補償。
內置軟啟動，啟動電流，管腳浮空保護。
VDD欠壓保護，VDD過壓保護及鉗位。
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原邊6W開關電源芯片 U6215
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效率滿足六級能效要求
內置700V 功率三極管
QR-PSR控制提高工作效率
±4％恒壓恒流精度，多模式PSR控制
內置可編程線損電壓補償
自動補償輸入電壓.電感感量變化,實現高精度
原邊反饋/內置三極管,內置短路保護
逐周期電流限制, 內置前沿消隱
OTP過溫保護
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原邊5W開關電源芯片 SF6022
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效率滿足六級能效要求
原邊反饋/內置反饋腳(FB)短路保護
±4％恒壓恒流精度，支持高50V 輸出電壓
內置快速動態響應控制，無異音工作，
內置專利的線損電壓補償，提高量產精度
自動補償輸入電壓.電感感量變化,實現高精度
內置軟啟動,啟動電流,管腳浮空保護
逐周期電流限制, 內置前沿消隱
多模式PSR 控制提高可靠性和效率
零電壓帶載啟動減小OCP恢復間隙
VDD欠壓保護（UVLO）,過壓保護及鉗位
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原邊15W開關電源芯片 SF5938S
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效率滿足六級能效要求
原邊反饋/內置600V 功率MOSFET
內置反饋腳(FB)短路保護
內置專利的線損補償,提高量產精度
內置快速動態響應控制
自動補償輸入電壓.電感感量變化,實現高精度
內置軟啟動,啟動電流,管腳浮空保護
逐周期電流限制, 內置前沿消隱
支持高50V 輸出電壓
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原邊13W開關電源芯片 SF6773V
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效率滿足六級能效要求
原邊反饋/內置650V 功率MOSFET
自動補償輸入電壓.電感感量變化,實現高精度
多模式PSR 控制提高可靠性和效率
內置軟啟動，啟動電流，管腳浮空保護
- [公司新聞]12v3a原邊反饋快充電源ic U8609節省光耦和TL4312025年05月29日 14:48
- GaN FET支持MHz級開關頻率，顯著高于傳統硅基器件，通過減小無源元件體積實現系統小型化，使開關損耗降低20%-30%。深圳銀聯寶快充電源icU8609合封第三代半導體GaN FET，最高工作頻率130kHz，采用原邊反饋控制，可節省光耦和TL431，簡化電源BOM，有利于降低電源尺寸！ 快充電源icU8609是一款集成E-GaN的恒壓恒流PSR反激功率開關管，可為18~65W適配器應用提供全新的解決方案。U8609集成谷底鎖定技術可以防止頻率抖動產生噪音。它采用CS
- 閱讀（10） 標簽：
- [公司新聞]12V2A/3A氮化鎵電源方案U8607/U8609+同步整流芯片U76132025年05月13日 10:54
- 深圳銀聯寶科技最新上市的氮化鎵電源方案：U8607/U8609+同步整流芯片U7613，推薦輸出功率12V2A、12V3A，非標共板，方案成熟，性能可靠，可滿足更高性能要求、更低成本需求！ 氮化鎵電源芯片U8607/U8609采用原邊反饋控制，可節省光耦和TL431，簡化電源BOM。它合封第三代半導體GaN FET，最高工作頻率130kHz，有利于降低電源尺寸。特征如下： *原邊反饋控制，無需光耦和 TL431 *集成 700V GaN FET 驅動 *集成高壓啟動功能 *
- 閱讀（11） 標簽：
- [公司新聞]電源管理ic U6101S僅需少量外圍元件即可實現穩定恒流輸出2025年04月11日 15:09
- 外驅副邊內置恒流芯片如深圳銀聯寶電源管理icU6101S采用副邊控制技術，將恒流功能集成于芯片部，僅需少量外圍元件即可實現穩定的恒流輸出，顯著降低系統復雜度。典型設計包含原邊反饋（FB）管腳，通過電阻分壓調節輸出電壓/電流，支持寬電壓輸入范圍（85-265V AC）。高效率、外圍簡單，與昂寶OB2269腳位一致，可兼容多種啟動供電模式。U6101S引腳如下： 1 GND 芯片參考地。 2 FB 系統反饋管腳。輔助繞組電壓經電阻分壓后送至FB管腳，用于CV模式輸出電壓控制及 C
- 閱讀（5） 標簽：
- [公司新聞]原邊反饋5V2A充電器芯片CY3783A精準控壓2025年04月10日 14:23
- 通過檢測原邊繞組參數（如電流、電壓）間接控制輸出電壓，無需次級反饋電路，降低系統復雜度并提升響應速度，可以有效提高芯片恒壓控制精度。銀聯寶充電器芯片CY3783A具有出色的恒壓控制精度，且內置準諧振導通模式和多模式控制（PWM+PFM），優化輕載效率，適用功率10W！
- 閱讀（20） 標簽：
- [公司新聞]5v2.4a電源芯片U6773V電磁兼容性強節能耐用2025年03月14日 11:53
- 電磁兼容性強的芯片能夠在復雜電磁環境中正常工作，不會受到外部電磁干擾的影響，從而保證設備的穩定性和可靠性；還能夠減少因電磁干擾導致的硬件故障和維修需求，從而延長設備的使用壽命。5v2.4a充電器icU6773V電磁兼容性較強，而且具有節能環保特性，外圍電路也很簡單，適合應用在充電器、適配器等領域。 5v2.4a充電器icU6773V是高精度原邊反饋控制（PSR）恒流恒壓（CC/CV）控制器。應用靈活性價比高，最大限度地減少了系統元件的數目，用頻率調制方法來提高
- 閱讀（9） 標簽：
電 話：133-1680-5165 Q Q：1957650001
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