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[公司新聞]36W E-GaN快充電源ic U8609前沿消隱復(fù)合保護(hù)體系2025年06月23日 11:01: 前沿消隱是開(kāi)關(guān)電源系統(tǒng)中用于消除功率器件導(dǎo)通瞬間脈沖尖峰引發(fā)誤觸發(fā)動(dòng)作的保護(hù)技術(shù)。該技術(shù)通過(guò)在開(kāi)關(guān)管導(dǎo)通后設(shè)定特定消隱時(shí)間窗口，在此期間屏蔽電流檢測(cè)信號(hào)，避免寄生電容充放電或變壓器漏感導(dǎo)致的尖峰電壓誤觸發(fā)過(guò)流保護(hù)機(jī)制。現(xiàn)代電源芯片普遍將LEB功能與逐周期限流、退飽和保護(hù)等模塊集成，形成復(fù)合保護(hù)體系。一起來(lái)看看36W E-GaN快充電源icU8609的前沿消隱是如何發(fā)揮作用的！由于原邊功率開(kāi)關(guān)寄生電容、變壓器寄生電容和副邊整流管反向恢復(fù)的原因，功率開(kāi)關(guān)開(kāi)通瞬間會(huì)在采樣電阻上; 閱讀（5）標(biāo)簽：

[公司新聞]同步整流芯片U7610X搭配不同主控電源管理芯片方案推介！2025年06月20日 14:39: 同步整流技術(shù)是一種提高電源效率的技術(shù)。同步整流技術(shù)采用導(dǎo)通電阻極低的功率MOSFET管來(lái)代替二極管，以降低整流過(guò)程中的能量損耗。深圳銀聯(lián)寶科技推出了多套同步整流芯片U7610X系列快充電源方案，降耗提效，效果顯著！同步整流芯片U7610B+U8621，推薦功率22.5W！電源管理芯片U8621是一款恒壓、恒功率、恒溫離線型電流模式PWM電源管理芯片,內(nèi)置1.9Ω/630V的超結(jié)硅功率MOS。U8621具有全負(fù)載高效率、低空載損耗、低EMI干擾和高EMS抗干擾、極少外圍應(yīng)用; 閱讀（6）標(biāo)簽：

[公司新聞]PD快充芯片U8766穩(wěn)定的電壓和頻率優(yōu)化電源設(shè)備2025年06月18日 10:11: 芯片工作頻率指芯片內(nèi)部時(shí)鐘信號(hào)的振蕩速率，是芯片性能的重要基礎(chǔ)。晶體管導(dǎo)通電阻越小、切換速度越快，信號(hào)傳輸效率越高。PD快充芯片U8766的工作頻率最高可達(dá)220kHz，可全范圍工作在準(zhǔn)諧振模式。芯片集成峰值電流抖動(dòng)功能和驅(qū)動(dòng)電流配置功能，可極大的優(yōu)化系統(tǒng)EMI性能。U8766內(nèi)置Boost供電電路，非常適用于寬輸出電壓的應(yīng)用場(chǎng)景。針對(duì)寬輸出電壓應(yīng)用場(chǎng)合，為了滿足VDD的寬電壓應(yīng)用需求，往往需要添加額外的電路或者輔助繞組，導(dǎo)致系統(tǒng)功耗和電路成本的增加。PD快充芯片U876; 閱讀（8）標(biāo)簽：

[公司新聞]PD快充A+C口：30W高效率氮化鎵電源方案U8722DE+U7110W2025年06月17日 14:40: A+C口兼容雙接口電路，可滿足多設(shè)備充電需求，還可以兼容傳統(tǒng)USB-A設(shè)備，接口互補(bǔ)，場(chǎng)景覆蓋廣，依然是當(dāng)前充電市場(chǎng)不可忽略的中堅(jiān)力量。深圳銀聯(lián)寶科技推出的PD快充A+C口：30W高效率氮化鎵電源方案U8722DE+U7110W，最大程度簡(jiǎn)化設(shè)計(jì)方案，易上手，低成本！氮化鎵電源ICU8722DE采用峰值電流控制模式，可以自適應(yīng)的工作在QR和降頻工作模式，從而實(shí)現(xiàn)全負(fù)載功率范圍內(nèi)的效率優(yōu)化。在滿載和重載工況下，系統(tǒng)工作在QR工作模式，可以大幅降低系統(tǒng)的開(kāi)關(guān)損耗。芯片根據(jù)FB電; 閱讀（5）標(biāo)簽：

[公司新聞]氮化鎵快充芯片U8722SP調(diào)整封裝形式為SOP-8輸出20W2025年06月16日 10:51: 氮化鎵快充芯片U8722SP封裝形式升級(jí)調(diào)整為SOP-8，集成完備的保護(hù)功能：VDD過(guò)壓/欠壓保護(hù)(VDD OVP/UVLO)、輸出過(guò)壓保護(hù)(OVP)、輸出欠壓保護(hù)(DEM UVP)、輸入過(guò)壓保護(hù)(LOVP)、輸入欠壓保護(hù)(BOP)、片內(nèi)過(guò)熱保護(hù)(OTP)、逐周期電流限制(OCP)、異常過(guò)流保護(hù)(AOCP)、短路保護(hù)(SCP)、過(guò)載保護(hù)(OLP)、前沿消隱(LEB)、CS管腳開(kāi)路保護(hù)等。氮化鎵快充芯片U8722SP管腳說(shuō)明： 1 GND P 芯片參考地 2 CS I/O 電; 閱讀（8）標(biāo)簽：

[公司新聞]12v2a快充電源ic U8607完善保護(hù)增強(qiáng)防御機(jī)制2025年06月12日 14:41: 電源ic的保護(hù)功能，其核心意義在于構(gòu)建多層次安全防線，確保硬件安全、數(shù)據(jù)完整及系統(tǒng)可靠性，通過(guò)實(shí)時(shí)監(jiān)測(cè)電流電壓，異常時(shí)切斷電路，減少開(kāi)關(guān)損耗，降低故障率并提升能效。今天介紹的是深圳銀聯(lián)寶科技12v2a快充電源icU8607多種保護(hù)功能！ ■ 輸入過(guò)欠壓保護(hù) (Line OVP/BOP) 快充電源icU8607通過(guò)DRAIN管腳對(duì)母線電壓進(jìn)行采樣，當(dāng)母線電壓值小于Line BOP保護(hù)閾值VBOP(典型值70Vac)時(shí)，芯片內(nèi)部的Line BOP延遲計(jì)時(shí)使能，計(jì)時(shí)時(shí)間為TBOP; 閱讀（5）標(biāo)簽：

[公司新聞]銀聯(lián)寶快充電源ic U8731滿足快速充電硬核需求2025年06月11日 14:15: 作為蘋果全新打造的iOS操作系統(tǒng)，視覺(jué)效果確實(shí)令人耳目一新，但新界面所帶來(lái)的耗電量嚴(yán)重、續(xù)航時(shí)間縮短、機(jī)身發(fā)熱發(fā)燙等問(wèn)題，讓體驗(yàn)感大打折扣。無(wú)論系統(tǒng)多么炫酷，對(duì)于手機(jī)而言，電量是血液，手機(jī)充電器則是供血站。還好有深圳銀聯(lián)寶科技帶來(lái)的，集成GaN FET、帶恒功率功能的高性能快充電源icU8731，可以讓充電效率翻倍，續(xù)航升級(jí)，一起看看吧！ E-GaN快充電源icU8731特點(diǎn)： ●集成 700V E-GaN ●集成高壓?jiǎn)?dòng)功能 ●超低啟動(dòng)和工作電流，待機(jī)功耗 30mW ●谷; 閱讀（7）標(biāo)簽：

[公司新聞]低靜態(tài)電流快充電源芯片U8621功耗低、待機(jī)長(zhǎng)2025年06月06日 14:57: 靜態(tài)電流是指芯片在不進(jìn)行任何操作時(shí)的電流消耗，如果靜態(tài)電流低，說(shuō)明芯片在待機(jī)狀態(tài)下消耗的電能非常少。這種特性使得芯片特別適用于需要長(zhǎng)時(shí)間運(yùn)行且耗電量要求較低的場(chǎng)合，如便攜式充電器和需要長(zhǎng)時(shí)間待機(jī)的適配器等設(shè)備。快充電源芯片U8621的啟動(dòng)電流低至10uA，啟動(dòng)電路的電阻值可以高達(dá)4M，這樣使電源系統(tǒng)擁有更低的損耗；芯片靜態(tài)電流低至500uA，使得電源系統(tǒng)設(shè)計(jì)者更加輕松應(yīng)對(duì)能源之星6或者能效6級(jí)的能效標(biāo)準(zhǔn)。快充電源芯片U8621是一款恒壓、恒功率、恒溫離線型電流模式PWM; 閱讀（11）標(biāo)簽：

[公司新聞]20V單高壓帶恒功率氮化鎵PD快充芯片U8725AHE2025年06月05日 15:07: 充電器和適配器等快充設(shè)備，需匹配高功率密度與寬電壓輸出范圍的快充芯片。深圳銀聯(lián)寶科技推出的20V單高壓帶恒功率氮化鎵PD快充芯片U8725AHE，集成高壓?jiǎn)?dòng)、功率器件和保護(hù)電路，省去外部Boost/Buck電路及分立元件，縮小PCB面積；內(nèi)置高壓E-GaN和Boost供電電路，支持寬電壓輸出，切莫錯(cuò)過(guò)！ PD快充芯片U8725AHE主要特性： 1.集成高壓 E-GaN 2.集成高壓?jiǎn)?dòng)功能 3.超低啟動(dòng)和工作電流，待機(jī)功耗 30mW 4.谷底鎖定模式，最高工作頻率兩檔可; 閱讀（8）標(biāo)簽：

[公司新聞]集成MOS耐壓700V低啟動(dòng)低功耗的PD快充芯片U8722SP2025年05月30日 14:16: 耐壓值定義了芯片安全工作電壓上限，若輸入電壓超過(guò)該值（如動(dòng)態(tài)波動(dòng)或負(fù)載突變），可能引發(fā)擊穿或永久損壞，直接影響器件可靠性、性能表現(xiàn)及系統(tǒng)適配性。高耐壓芯片需更大厚度或更高電阻率的半導(dǎo)體材料，工藝制程要求更高。深圳銀聯(lián)寶科技的PD快充芯片U8722SP是一款集成 E-GaN 的高頻高性能準(zhǔn)諧振模式交直流轉(zhuǎn)換功率開(kāi)關(guān)，集成MOS耐壓700V，值得一試！ PD快充芯片U8722SP集成了高壓?jiǎn)?dòng)功能。如圖1所示，在啟動(dòng)階段，U8722SP通過(guò)芯片DRAIN腳對(duì)VDD充電，當(dāng)VDD電; 閱讀（10）標(biāo)簽：

[公司新聞]12v3a原邊反饋快充電源ic U8609節(jié)省光耦和TL4312025年05月29日 14:48: GaN FET支持MHz級(jí)開(kāi)關(guān)頻率，顯著高于傳統(tǒng)硅基器件，通過(guò)減小無(wú)源元件體積實(shí)現(xiàn)系統(tǒng)小型化，使開(kāi)關(guān)損耗降低20%-30%。深圳銀聯(lián)寶快充電源icU8609合封第三代半導(dǎo)體GaN FET，最高工作頻率130kHz，采用原邊反饋控制，可節(jié)省光耦和TL431，簡(jiǎn)化電源BOM，有利于降低電源尺寸！快充電源icU8609是一款集成E-GaN的恒壓恒流PSR反激功率開(kāi)關(guān)管，可為18~65W適配器應(yīng)用提供全新的解決方案。U8609集成谷底鎖定技術(shù)可以防止頻率抖動(dòng)產(chǎn)生噪音。它采用CS; 閱讀（10）標(biāo)簽：

[公司新聞]ASOP7-T4封裝E-GaN快充電源芯片U8724AHS2025年05月29日 11:25: 芯片的腳位是芯片與外部電路進(jìn)行連接的橋梁。通過(guò)引腳，芯片可以與電路板上的其他組件進(jìn)行連接，構(gòu)成完整的電路。引腳用于為芯片提供電源和接地，還可以用于控制和指示芯片的工作狀態(tài)。今天，就請(qǐng)跟著銀聯(lián)寶小編的視角，一起看看關(guān)于快充電源芯片U8724AHS引腳的事！快充電源芯片U8724AHS封裝形式ASOP7-T4，引腳特征如下： 1 CS I/O 電流采樣輸入、最高頻率選擇管腳 2 FB I 系統(tǒng)反饋輸入管腳 3 DEM I/O 消磁檢測(cè)、輸出 OVP 檢測(cè)、驅(qū)動(dòng)能力分檔判定管腳; 閱讀（5）標(biāo)簽：

[公司新聞]22.5W PD快充電源芯片應(yīng)用方案之U8621+U7610B2025年05月28日 14:28: 受限于設(shè)備本身的體積和當(dāng)下電池技術(shù)的瓶頸，電池容量無(wú)法顯著突破，快速“補(bǔ)電”成為了眼下解決電量焦慮的最切實(shí)可行的解決辦法。深圳銀聯(lián)寶今天推薦的是22.5W快充電源芯片應(yīng)用方案之——U8621+U7610B！快充電源芯片U8621是一款峰值電流控制方式的PWM電源管理芯片，適用于離線型的反激拓?fù)溟_(kāi)關(guān)變換器。U8621內(nèi)置合封一顆1.9Ω/630V的高壓MOS。芯片設(shè)計(jì)有完善的多種保護(hù)功能和自適應(yīng)選擇工作模式，使得適用U8621; 閱讀（7）標(biāo)簽：

[公司新聞]耐壓650V氮化鎵快充芯片U8733L優(yōu)化能源利用效率2025年05月27日 11:34: 恒功率控制方式通過(guò)精確的控制策略和先進(jìn)的電子技術(shù)，實(shí)現(xiàn)了在各種工況下輸出功率的恒定。其基本原理是通過(guò)調(diào)節(jié)系統(tǒng)的輸入或輸出參數(shù)（如電壓、電流等），使得系統(tǒng)在負(fù)載變化時(shí)能夠維持輸出功率不變。銀聯(lián)寶氮化鎵快充芯片U8733L集成恒功率控制與主動(dòng)降功率控制功能，在恒功率區(qū)間，通過(guò)控制輸出電流隨輸出電壓變化，實(shí)現(xiàn)恒功率功能。氮化鎵快充芯片U8733L特征：集成 700V E-GaN 集成高壓?jiǎn)?dòng)功能超低啟動(dòng)和工作電流，待機(jī)功耗 30mW 谷底鎖定模式，最高工作頻率兩; 閱讀（5）標(biāo)簽：

[公司新聞]氮化鎵快充電源ic U8765全負(fù)載功率范圍內(nèi)效率優(yōu)化2025年05月26日 11:41: QR模式一般工作在變頻模式下，根據(jù)負(fù)載大小改變變換器的頻率。當(dāng)負(fù)載變輕時(shí)，變換器的頻率會(huì)增加，以適應(yīng)輕載條件下的高效運(yùn)行。QR模式通過(guò)檢測(cè)原邊電流和電壓的變化，實(shí)現(xiàn)開(kāi)關(guān)管的最佳開(kāi)通時(shí)機(jī)，從而減少開(kāi)關(guān)損耗。氮化鎵快充電源icU8765采用峰值電流控制模式，可以自適應(yīng)的工作在QR和降頻工作模式，從而實(shí)現(xiàn)全負(fù)載功率范圍內(nèi)的效率優(yōu)化！在滿載和重載工況下，系統(tǒng)工作在QR工作模式，可以大幅降低系統(tǒng)的開(kāi)關(guān)損耗。氮化鎵快充電源icU8765根據(jù)FB電壓值調(diào)節(jié)谷底個(gè)數(shù)，同時(shí)為了避免系統(tǒng)在臨界; 閱讀（10）標(biāo)簽：

[公司新聞]氮化鎵GaN快充芯片U8732輕松應(yīng)對(duì)充電問(wèn)題2025年05月21日 14:36: 氮化鎵充電器與普通充電器在充電效率方面對(duì)比，性能遙遙領(lǐng)先。它支持多種快充協(xié)議，如PD、QC等，能夠智能識(shí)別設(shè)備所需的充電功率，實(shí)現(xiàn)快速充電。無(wú)論是蘋果手機(jī)、安卓手機(jī)，還是筆記本電腦、平板電腦，氮化鎵充電器都能輕松應(yīng)對(duì)，一充搞定。充電器自然離不開(kāi)芯片的支持，今天主推的就是來(lái)自深圳銀聯(lián)寶科技的氮化鎵GaN快充芯片U8732！氮化鎵GaN快充芯片U8732特點(diǎn)： 1.集成 700V E-GaN 2.集成高壓?jiǎn)?dòng)功能 3.超低啟動(dòng)和工作電流，待機(jī)功耗 30mW 4.谷底鎖定模式，; 閱讀（18）標(biāo)簽：

[公司新聞]氮化鎵PD快充ic U8608輸入過(guò)欠壓保護(hù)電路安全運(yùn)行2025年05月19日 11:36: 過(guò)壓保護(hù)和欠壓保護(hù)是維護(hù)芯片電路安全運(yùn)行的關(guān)鍵功能。有些芯片會(huì)提供一個(gè)欠壓保護(hù)引腳，當(dāng)欠壓保護(hù)被觸發(fā)時(shí)，該引腳會(huì)產(chǎn)生一個(gè)信號(hào)。通過(guò)檢測(cè)該引腳的狀態(tài)，可以判斷芯片是否處于欠壓保護(hù)狀態(tài)。深圳銀聯(lián)寶氮化鎵PD快充icU8608輸入過(guò)欠壓保護(hù) (Line OVP/BOP)，先來(lái)看看它的引腳。 PD快充icU8608引腳特征： 1 NTC I/O 外置過(guò)溫檢測(cè)管腳 2 COMP I/O 運(yùn)放輸出，在該 pin 腳和 GND 之間連接阻容網(wǎng)絡(luò)用于調(diào)節(jié)環(huán)路。 3 FB I/O 輸出反饋、; 閱讀（8）標(biāo)簽：

[公司新聞]氮化鎵PD快充芯片U8722DAS可減少高頻噪聲和應(yīng)力沖擊2025年05月16日 11:48: 氮化鎵PD快充芯片U8722DAS集成輕載SR應(yīng)力優(yōu)化功能，在輕載模式下，芯片將原邊開(kāi)通速度減半（如配置為特定驅(qū)動(dòng)電流檔位時(shí)），減緩開(kāi)關(guān)動(dòng)作的瞬態(tài)變化，從而減小次級(jí)側(cè)SR器件的電壓尖峰，通過(guò)分壓電阻設(shè)置驅(qū)動(dòng)電流檔位（三檔可選），平衡EMI性能與效率。低驅(qū)動(dòng)電流檔位可降低SR開(kāi)關(guān)速度，減少高頻噪聲和應(yīng)力沖擊。氮化鎵PD快充芯片U8722DAS特征： ▲集成高壓 E-GaN ▲集成高壓?jiǎn)?dòng)功能 ▲超低啟動(dòng)和工作電流，待機(jī)功耗 30mW ▲谷底鎖定模式，最高工作頻率兩檔可調(diào)(; 閱讀（0）標(biāo)簽：

[公司新聞]45W集成高壓E-GaN快充電源方案U8726AHE+U72692025年05月15日 10:56: 氮化鎵電源電路由于減少了元件數(shù)量和功率轉(zhuǎn)換器占用的空間而更具吸引力。深圳銀聯(lián)寶科技作為E-GaN快充電源方案制造商，大量投入工程研發(fā)以應(yīng)對(duì)各類技術(shù)挑戰(zhàn)，為市場(chǎng)提供了各種功率級(jí)和多種功能的集成解決方案，今天推薦的是銀聯(lián)寶45W集成高壓E-GaN快充電源方案U8726AHE+U7269！快充電源芯片U8726AHE集成高壓E-Mode GaN FET，為了保障GaN FET工作的可靠性和高系統(tǒng)效率，芯片內(nèi)置了高精度、高可靠性的驅(qū)動(dòng)電路，驅(qū)動(dòng)電壓為VDRV (典型值6.4V)。E; 閱讀（12）標(biāo)簽：

[公司新聞]30W E-GaN高頻高性能快充電源ic U87312025年05月14日 11:14: GaN器件采用二維電子氣結(jié)構(gòu)，能夠提供更高的電子遷移率和導(dǎo)電性能，因此適用于高頻應(yīng)用，可以實(shí)現(xiàn)更高效的功率轉(zhuǎn)換。深圳銀聯(lián)寶科技研發(fā)生產(chǎn)的快充電源icU8731，集成700VE-GaN，高頻高性能，推薦工作頻率130KHz/220KHz，推薦最大輸出功率30W，介紹給小伙伴們！快充電源icU8731采用的是HSOP-7封裝，管腳說(shuō)明如下： 1 CS I/O 電流采樣輸入、最高頻率選擇管腳 2 FB I 系統(tǒng)反饋輸入管腳 3 DEM I/O 消磁檢測(cè)、輸出 OVP 檢測(cè)、驅(qū)動(dòng)能; 閱讀（8）標(biāo)簽：

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