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副邊15W開關電源芯片 TB3815
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效率滿足六級能效要求
副邊反饋/內置600V 功率MOSFET
內置65KHz 工作頻率
零OCP恢復間隙控制避免低壓啟動失敗
內置4mS軟啟動, 管腳浮空保護
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原邊12W開關電源芯片 TB6812
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效率滿足六級能效要求
原邊反饋/內置650V 功率MOSFET
自動補償輸入電壓.電感感量變化,實現(xiàn)高精度
多模式PSR 控制提高可靠性和效率
內置軟啟動，啟動電流，管腳浮空保護
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副邊65W開關電源芯片 TB3865
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恒流控制支持CCM和DCM模式
自動補償輸入電壓.電感感量變化
±5％恒壓恒流精度, 快速動態(tài)響應控制
副邊反饋/外驅MOSFET,待機功耗小于75Mw
65KHZ 固定工作頻率
啟動電流
逐周期電流限制,
內置斜率補償
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副邊90W開關電源芯片TB3890
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頻率可外部編程，并內置頻率抖動EMI
副邊反饋/外驅MOSFET,啟動電流
管腳浮空保護
內置同步斜率補償
逐周期電流限制，內置前沿消隱
內置高低壓過流補償實現(xiàn)全電壓平坦OCP
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原邊25W開關電源芯片 TB6825
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原邊反饋/外驅MOSFET
恒流控制支持CCM和DCM模式
自動補償輸入電壓.電感感量變化
±5％恒壓恒流精度, 快速動態(tài)響應控制
待機功耗小于75Mw
65KHZ 固定工作頻率
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原邊6W開關電源芯片 TB5806
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效率滿足六級能效要求
內置700V 功率三極管
QR-PSR控制提高工作效率
±4％恒壓恒流精度，多模式PSR控制
內置可編程線損電壓補償
自動補償輸入電壓.電感感量變化,實現(xiàn)高精度
原邊反饋/內置三極管,內置短路保護
逐周期電流限制, 內置前沿消隱
OTP過溫保護
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原邊12W開關電源芯片 TB5812
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QR-PSR控制提高工作效率。
±4% 的恒流恒壓精度,PSR控制模式。
系統(tǒng)效率滿足 ‘DoE六級能效’ Tier2 要求,待機＜75mW。
原邊反饋/內置三極管,內置專利的線損電壓補償。
內置軟啟動，啟動電流，管腳浮空保護。
VDD欠壓保護，VDD過壓保護及鉗位。
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副邊75W開關電源芯片U6101D
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頻率可外部編程，并內置頻率抖動EMI
副邊反饋/外驅MOSFET,啟動電流
管腳浮空保護
內置同步斜率補償
逐周期電流限制，內置前沿消隱
內置高低壓過流補償實現(xiàn)全電壓平坦OCP
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副邊75W開關電源芯片U6101S
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頻率可外部編程，并內置頻率抖動EMI
副邊反饋/外驅MOSFET,啟動電流
管腳浮空保護
內置同步斜率補償
逐周期電流限制，內置前沿消隱
內置高低壓過流補償實現(xiàn)全電壓平坦OCP
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原邊13W開關電源芯片 U6773S
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效率滿足六級能效要求
原邊反饋/內置650V 功率MOSFET
自動補償輸入電壓.電感感量變化,實現(xiàn)高精度
多模式PSR 控制提高可靠性和效率
內置軟啟動，啟動電流，管腳浮空保護
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開關電源芯片U6113
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±3%LED恒流精度
恒流輸出值可調
1%線電壓補償精度
優(yōu)異地保護功能
過溫保護（OTP）
逐周期過流保護（OCP
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開關電源芯片U6112
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內置650V MOSFET。
LED開路/短路保護。
內置線輸入電壓恒流補償。
工作電流，4%恒流精底。
內置快速啟動電路，啟動電流，管腳浮空保護。
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原邊18W開關電源芯片 U6217S
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原邊反饋/內置MOSFET
內置環(huán)路補償，省去額外的補償或濾波電容
提高系統(tǒng)效率優(yōu)化降頻曲線和減小電磁干擾，可實現(xiàn)輕載無異音
多模（Multi-Mode）控制的高精度原邊反饋控制（PSR）恒流恒壓（CC/CV）控制器
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副邊150W開關電源芯片 SF5877
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副邊反饋/外驅MOSFET,內置軟啟動
效率滿足六級能效
輸出過壓保護（OVP）電壓可外部編程
外部編程過溫（OTP）保護
內置拔插頭鎖存(latch plugoff)保護
管腳浮空保護
啟動電流 <>br/內置高低壓過流補償實現(xiàn)全電壓平坦OCP曲線
內置前沿消隱
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原邊12W開關電源芯片 U6117D
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效率滿足六級能效要求
低待機功耗小于70mW
原邊反饋,內置600V 功率MOSFET
QR-PSR控制提高工作效率
±4％恒壓恒流精度，多模式PSR控制
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原邊6W開關電源芯片 SF6772S
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效率滿足六級能效要求
內置反饋腳（FB）電路保護
原邊反饋/內置MOSFET,±5%恒壓恒流精度
自動補償輸入電壓、電感感量變化，實現(xiàn)高精度
內置軟啟動，啟動電流，管腳浮空保護
逐周期電流限制，內置前沿消隱
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副邊15W開關電源芯片 SF1539HT
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內置600V功率MOSFET
可編程外部過溫保護OTP
專利的“零OCP恢復間隙控制”避免低壓啟動失敗
副邊反饋/內置MOSFET,內置4ms軟啟動
管腳浮空保護
啟動電流
內置頻率抖動EMI
內置同步斜率補償實現(xiàn)全電壓平坦OCP曲線
內置前沿消隱
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副邊15W開關電源芯片 SF1539
更多 +
內置600V功率MOSFET
可編程外部過溫保護OTP
專利的“零OCP恢復間隙控制”避免低壓啟動失敗
內置4ms軟啟動
管腳浮空保護
啟動電流
內置頻率抖動EMI
內置同步斜率補償實現(xiàn)全電壓平坦OCP曲線
副邊反饋/內置MOSFET,內置前沿消隱
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副邊15W開關電源芯片 SF1538
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副邊反饋/內置600V功率MOSFET
可編程外部過溫保護OTP
專利的“零OCP恢復間隙控制”避免低壓啟動失敗
內置4ms軟啟動
管腳浮空保護
啟動電流
內置頻率抖動EMI
內置同步斜率補償實現(xiàn)全電壓平坦OCP曲線
內置前沿消隱
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原邊6W開關電源芯片 SF6020P
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原邊反饋/內置三極管
“多模式PSR”控制提高可靠性和效率
內置反饋腳（FB）短路保護
內置專利的線損電壓補償，提高量產精度
自動補償輸入電壓、電感感量變化，實現(xiàn)高精度
內置軟啟動，啟動電流，管腳浮空保護
逐周期電流限制，內置前沿消隱
VDD欠壓保護（UVLO），過壓保護及鉗位
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