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熱門關(guān)鍵詞： 電源ic PD協(xié)議芯片開關(guān)電源芯片電源管理芯片電源IC 充電器芯片適配器方案肖特基二極管 MOS管 MOS管 AP3401 SOT23

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: 原邊5W開關(guān)電源芯片 SF6010R

原邊反饋/外驅(qū)三極管
支持高50V輸出電壓
內(nèi)置專利的線損電壓補償，提高量產(chǎn)精度
自動補償輸入電壓、電感感量變化，實現(xiàn)高精度
內(nèi)置軟啟動，啟動電流，管腳浮空保護
逐周期電流限制，內(nèi)置前沿消隱
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: 原邊5W開關(guān)電源芯片 SF6072

原邊反饋/內(nèi)置三極管
“多模式PSR”控制提高可靠性和效率
支持高50V輸出電壓
?內(nèi)置專利的線損電壓補償，提高量產(chǎn)精度
自動補償輸入電壓、電感感量變化，實現(xiàn)高精度
內(nèi)置軟啟動，啟動電流，管腳浮空保護
逐周期電流限制，內(nèi)置前沿消隱
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: 原邊5W開關(guān)電源芯片 SF6010N

原邊反饋/外驅(qū)三極管
支持高50V輸出電壓
內(nèi)置專利的線損電壓補償，提高量產(chǎn)精度
自動補償輸入電壓、電感感量變化，實現(xiàn)高精度
內(nèi)置軟啟動，啟動電流，管腳浮空保護
逐周期電流限制，內(nèi)置前沿消隱
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: 原邊15W開關(guān)電源芯片 SF5928S

專利的“NC-Cap/PSR-II?”控制技術(shù)
“多模式PSR”控制提高可靠性和效率
小于±5%恒壓恒流高精度
原邊反饋（PSR）控制，無需光耦和TL431
內(nèi)置專利的線損電壓補償
自動補償輸入電壓、電感感量變化，實現(xiàn)高精度
內(nèi)置軟啟動，啟動電流，管腳浮空保護
原邊反饋/內(nèi)置MOSFET,輸出過壓保護
逐周期電流限制，內(nèi)置前沿消隱
VDD欠壓保護（UVLO），過壓保護及鉗位
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: 原邊9W開關(guān)電源芯片 SF5926S

專利的“NC-Cap/PSR-II?”控制技術(shù)
“多模式PSR”控制提高可靠性和效率
小于±5%恒壓恒流高精度
原邊反饋（PSR）控制，無需光耦和TL431
內(nèi)置專利的線損電壓補償
自動補償輸入電壓、電感感量變化，實現(xiàn)高精度
內(nèi)置軟啟動，啟動電流，管腳浮空保護
原邊反饋/內(nèi)置MOSFET,輸出過壓保護
逐周期電流限制，內(nèi)置前沿消隱
VDD欠壓保護（UVLO），過壓保護及鉗位
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: 原邊6W開關(guān)電源芯片 SF5922S

專利的“NC-Cap/PSR-II?”控制技術(shù)
“多模式PSR”控制提高可靠性和效率
小于±5%恒壓恒流高精度
原邊反饋（PSR）控制，無需光耦和TL431
內(nèi)置專利的線損電壓補償
自動補償輸入電壓、電感感量變化，實現(xiàn)高精度
內(nèi)置軟啟動，啟動電流，管腳浮空保護
原邊反饋/內(nèi)置MOSFET,輸出過壓保護
逐周期電流限制，內(nèi)置前沿消隱
VDD欠壓保護（UVLO），過壓保護及鉗位
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: 副邊150W開關(guān)電源芯片 SF1565

頻率可外部編程，并內(nèi)置頻率抖動EMI
副邊反饋/外驅(qū)MOSFET,啟動電流
管腳浮空保護
內(nèi)置同步斜率補償
逐周期電流限制，內(nèi)置前沿消隱
內(nèi)置高低壓過流補償實現(xiàn)全電壓平坦OCP曲線
VDD欠壓保護（UVLO），過壓保護及鉗位
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: 副邊150W開關(guān)電源芯片 SF1560

頻率可外部編程，并內(nèi)置頻率抖動EMI
副邊反饋/外驅(qū)MOSFET,啟動電流
管腳浮空保護
內(nèi)置同步斜率補償
逐周期電流限制，內(nèi)置前沿消隱
內(nèi)置高低壓過流補償實現(xiàn)全電壓平坦OCP曲線
VDD欠壓保護（UVLO），過壓保護及鉗位
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: 副邊150W開關(guān)電源芯片 SF5897

滿足六級能效
副邊反饋/外驅(qū)MOSFET,內(nèi)置軟啟動
輸出過壓保護（OVP）電壓可外部編程
內(nèi)置拔插頭鎖存(latch plugoff)保護
管腳浮空保護
逐周期電流限制，內(nèi)置前沿消隱
內(nèi)置高低壓過流補償實現(xiàn)全電壓平坦OCP曲線
VDD欠壓保護（UVLO），過壓保護及鉗位
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: 副邊70W開關(guān)電源芯片 SF5887

副邊反饋/外驅(qū)MOSFET,內(nèi)置軟啟動
效率滿足六級能效
輸出過壓保護（OVP）電壓可外部編程
外部編程過溫（OTP）保護
內(nèi)置拔插頭鎖存(latch plugoff)保護
管腳浮空保護
啟動電流
內(nèi)置高低壓過流補償實現(xiàn)全電壓平坦OCP曲線
內(nèi)置前沿消隱
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: 副邊50W開關(guān)電源芯片 SF1530

副邊反饋/外驅(qū)MOSFET,管腳浮空保護
系統(tǒng)頻率可編程，并內(nèi)置頻率抖動EMI
內(nèi)置同步斜率補償
逐周期電流限制，內(nèi)置前沿消隱
內(nèi)置高低壓過流補償實現(xiàn)全電壓平坦OCP曲線
更多 +

: 副邊25W開關(guān)電源芯片 SF5930

專利的“NC-Cap/PSR-II?”控制技術(shù)
“多模式PSR”控制提高可靠性和效率
±5%恒壓恒流精度
快速動態(tài)響應(yīng)，大小減小輸出紋波
支持輸出電壓大小50V
原邊反饋（PSR）控制，無需光耦和TL431
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: 副邊25W開關(guān)電源芯片 SF5920

專利的“NC-Cap/PSR-II?”控制技術(shù)
“多模式PSR”控制提高可靠性和效率
±5%恒壓恒流精度
快速動態(tài)響應(yīng)，大小減小輸出紋波
支持輸出電壓大小50V
原邊反饋（PSR）控制，無需光耦和TL431
更多 +

: 原邊10W開關(guān)電源芯片 U6117SA

原邊反饋/內(nèi)置MOSFET
效率滿足六級能效要求
低待機功耗小于70mW
內(nèi)置600V 功率MOSFET
QR-PSR控制提高工作效率
±4％恒壓恒流精度，多模式PSR控制
更多 +

: 原邊25W開關(guān)電源芯片 SF6771T

原邊反饋/外置MOSFET
效率滿足六級能效要求
優(yōu)化降頻技術(shù)提率
零OCP恢復間隙控制避免低壓啟動失敗
內(nèi)置頻率抖動EMI
內(nèi)置同步斜率補償. 逐周期電流限制, 內(nèi)置前沿消隱
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: 副邊60W開關(guān)電源芯片 U6201

恒流控制支持CCM和DCM模式
自動補償輸入電壓.電感感量變化
±5％恒壓恒流精度, 快速動態(tài)響應(yīng)控制
副邊反饋/外驅(qū)MOSFET,待機功耗小于75Mw
65KHZ 固定工作頻率
啟動電流
逐周期電流限制,
內(nèi)置斜率補償
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: 原邊6W開關(guān)電源芯片 U6117S

效率滿足六級能效要求
低待機功耗小于70mW
內(nèi)置600V 功率MOSFET
QR-PSR控制提高工作效率
±4％恒壓恒流精度，多模式PSR控制
內(nèi)置快速動態(tài)響應(yīng)控制，無異音工作
內(nèi)置可編程線損電壓補償
自動補償輸入電壓.電感感量變化,實現(xiàn)高精度
原邊反饋/內(nèi)置MOSFET,內(nèi)置短路保護
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: 原邊12W開關(guān)電源芯片 U6315

QR-PSR控制提高工作效率。
±4% 的恒流恒壓精度,PSR控制模式。
系統(tǒng)效率滿足 ‘DoE六級能效’ Tier2 要求,待機＜70mW。
原邊反饋/內(nèi)置三極管,內(nèi)置專利的線損電壓補償。
內(nèi)置軟啟動，啟動電流，管腳浮空保護。
VDD欠壓保護，VDD過壓保護及鉗位。
更多 +

: 原邊6W開關(guān)電源芯片 U6215

效率滿足六級能效要求
內(nèi)置700V 功率三極管
QR-PSR控制提高工作效率
±4％恒壓恒流精度，多模式PSR控制
內(nèi)置可編程線損電壓補償
自動補償輸入電壓.電感感量變化,實現(xiàn)高精度
原邊反饋/內(nèi)置三極管,內(nèi)置短路保護
逐周期電流限制, 內(nèi)置前沿消隱
OTP過溫保護
更多 +

: 副邊65W開關(guān)電源芯片 SF5533

副邊反饋/外驅(qū)MOSFET
效率滿足六級能效要求
優(yōu)化降頻技術(shù)提率
無異音OCP補償?shù)蛪褐剌d異音
零OCP恢復間隙控制避免低壓啟動失敗
內(nèi)置頻率抖動EMI
內(nèi)置4mS軟啟動, 管腳浮空保護
內(nèi)置同步斜率補償. 逐周期電流限制, 內(nèi)置前沿消隱
更多 +

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