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霍爾IC FD1157H
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將馬達驅動程序與霍爾傳感器集成, 從而簡化了 pcb (印刷電路板) 的設計
鎖關和 auto-restart 功能使電動機不被過熱, 并在鎖定后重新啟動馬達。
采用 "軟開關" 相位開關技術來減小振動和噪聲。
熱關閉保護確保馬達驅動程序在指定的溫度范圍內運行
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霍爾IC FS200
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由霍爾傳感器和輸出線圈驅動組成的1芯片, 適用于2相直流電機
霍爾效應傳感器的高靈敏度適用于微型 cpu 冷卻器到鼓風機和直流風扇馬達
典型的運行電流高達0.45A 和工作電壓范圍是從 2.0V ~ 20V
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霍爾IC FS211
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由霍爾傳感器和輸出線圈驅動組成的1芯片, 適用于2相 dc電機
霍爾效應傳感器的高靈敏度適用于微型 cpu 的電動機冷卻器到鼓風機和直流風扇
典型操作電流為 0.4A, 工作電壓范圍為廣泛. fg 信號
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霍爾IC FS220
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由霍爾傳感器和輸出線圈驅動組成的1芯片, 適用于2相直流電機
典型的操作電流為 0.45A, 工作電壓范圍為 2.8V ~ 28V
霍爾效應傳感器的高靈敏度適用于微型 cpu 冷卻器到鼓風機和直流風扇馬達
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霍爾IC FS210
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由霍爾傳感器和輸出線圈驅動組成的1芯片, 適用于2相直流電機
霍爾效應傳感器的高靈敏度適用于微型 cpu 冷卻器到鼓風機和直流風扇馬達
典型的運行電流高達0.45A 和工作電壓范圍是從 2.8V ~ 20V
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霍爾IC FS209
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由霍爾傳感器和輸出線圈驅動組成的1芯片, 適用于2相直流電機
霍爾效應傳感器的高靈敏度適用于微型 cpu 冷卻器到鼓風機和直流風扇馬達
典型的運行電流高達0.45A 和工作電壓范圍是從 2.0V ~ 20V
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副邊150W開關電源芯片 SF5877
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副邊反饋/外驅MOSFET,內置軟啟動
效率滿足六級能效
輸出過壓保護（OVP）電壓可外部編程
外部編程過溫（OTP）保護
內置拔插頭鎖存(latch plugoff)保護
管腳浮空保護
啟動電流 <>br/內置高低壓過流補償實現全電壓平坦OCP曲線
內置前沿消隱
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原邊15W開關電源芯片 SF5928S
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專利的“NC-Cap/PSR-II?”控制技術
“多模式PSR”控制提高可靠性和效率
小于±5%恒壓恒流高精度
原邊反饋（PSR）控制，無需光耦和TL431
內置專利的線損電壓補償
自動補償輸入電壓、電感感量變化，實現高精度
內置軟啟動，啟動電流，管腳浮空保護
原邊反饋/內置MOSFET,輸出過壓保護
逐周期電流限制，內置前沿消隱
VDD欠壓保護（UVLO），過壓保護及鉗位
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原邊9W開關電源芯片 SF5926S
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專利的“NC-Cap/PSR-II?”控制技術
“多模式PSR”控制提高可靠性和效率
小于±5%恒壓恒流高精度
原邊反饋（PSR）控制，無需光耦和TL431
內置專利的線損電壓補償
自動補償輸入電壓、電感感量變化，實現高精度
內置軟啟動，啟動電流，管腳浮空保護
原邊反饋/內置MOSFET,輸出過壓保護
逐周期電流限制，內置前沿消隱
VDD欠壓保護（UVLO），過壓保護及鉗位
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原邊6W開關電源芯片 SF5922S
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專利的“NC-Cap/PSR-II?”控制技術
“多模式PSR”控制提高可靠性和效率
小于±5%恒壓恒流高精度
原邊反饋（PSR）控制，無需光耦和TL431
內置專利的線損電壓補償
自動補償輸入電壓、電感感量變化，實現高精度
內置軟啟動，啟動電流，管腳浮空保護
原邊反饋/內置MOSFET,輸出過壓保護
逐周期電流限制，內置前沿消隱
VDD欠壓保護（UVLO），過壓保護及鉗位
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副邊150W開關電源芯片 SF5897
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滿足六級能效
副邊反饋/外驅MOSFET,內置軟啟動
輸出過壓保護（OVP）電壓可外部編程
內置拔插頭鎖存(latch plugoff)保護
管腳浮空保護
逐周期電流限制，內置前沿消隱
內置高低壓過流補償實現全電壓平坦OCP曲線
VDD欠壓保護（UVLO），過壓保護及鉗位
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副邊70W開關電源芯片 SF5887
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副邊反饋/外驅MOSFET,內置軟啟動
效率滿足六級能效
輸出過壓保護（OVP）電壓可外部編程
外部編程過溫（OTP）保護
內置拔插頭鎖存(latch plugoff)保護
管腳浮空保護
啟動電流
內置高低壓過流補償實現全電壓平坦OCP曲線
內置前沿消隱
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副邊25W開關電源芯片 SF5930
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專利的“NC-Cap/PSR-II?”控制技術
“多模式PSR”控制提高可靠性和效率
±5%恒壓恒流精度
快速動態響應，大小減小輸出紋波
支持輸出電壓大小50V
原邊反饋（PSR）控制，無需光耦和TL431
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副邊25W開關電源芯片 SF5920
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專利的“NC-Cap/PSR-II?”控制技術
“多模式PSR”控制提高可靠性和效率
±5%恒壓恒流精度
快速動態響應，大小減小輸出紋波
支持輸出電壓大小50V
原邊反饋（PSR）控制，無需光耦和TL431
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原邊10W開關電源芯片 U6117SA
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原邊反饋/內置MOSFET
效率滿足六級能效要求
低待機功耗小于70mW
內置600V 功率MOSFET
QR-PSR控制提高工作效率
±4％恒壓恒流精度，多模式PSR控制
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PFC肖特基 PFS5A60
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在相同的VR、IR和晶片尺寸下，VF較低
在相同的額定VR、VF和IF下，電流密度較大
在相同的EPI和晶片尺寸下，漏電電流較少
在較高的反向電壓下，開關速度更快
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PFC肖特基 P5L45F-A
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在相同的VR、IR和晶片尺寸下，VF較低
在相同的額定VR、VF和IF下，電流密度較大
在相同的EPI和晶片尺寸下，漏電電流較少
在較高的反向電壓下，開關速度更快
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10W系列 5V 2A電源方案
PSR控制模式，無光耦，無431。更多 +
±5% 的恒流恒壓精度。
專利的‘NC-Cap/PSR’技術。
系統效率滿足 ‘DoE六級能效’ Tier2 要求,待機＜75mW。
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24W系列 12V2A能效六級方案
提高系統效率，異音更多 +
內置軟啟動, 管腳浮空保護
效率滿足 六級能效
啟動電流
QR技術提高全負載效率,EMI和谷底切換異音
輸出過壓保護電壓可外部編程
逐周期電流限制, 內置前沿消隱
VDD欠壓保護(ULVO), 過壓保護及鉗位
零電壓帶載啟動減小OCP恢復間隙
內置頻率抖動EMI
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18W系列12V1.5A能效六級方案
更多 +
效率滿足六級能效要求
內置650V 功率MOSFET
內置65KHz 工作頻率
零OCP恢復間隙控制避免低壓啟動失敗
電流啟動
內置4mS軟啟動, 管腳浮空保護
內置頻率抖動EMI
內置逐周期電流限制, 內置前沿消隱
內置高低壓過流補償實現全電壓平坦OCP曲線
VDD欠壓保護(ULVO), 過壓保護及鉗位
OLP可編程
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