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[公司新聞]電源管理芯片U3205A擁有良好的線性調(diào)整率和負載調(diào)整率2025年04月17日 10:55: 銀聯(lián)寶電源管理芯片U3205A通過實時監(jiān)測負載狀態(tài)，自動調(diào)節(jié)MOSFET的開關(guān)頻率，輕載或空載時降低頻率（如待機狀態(tài)），減少開關(guān)損耗，典型待機功耗可低于50mW；重載時提升頻率以維持輸出穩(wěn)定性，確保系統(tǒng)效率最優(yōu)！ ■高壓啟動電路和超低待機功耗 (50mW) 電源管理芯片U3205A內(nèi)置有一個500V高壓啟動單元。在開機過程中該啟動單元開始工作，從Drain端取電并通過高壓電流源對VDD電容進行充電，如“功能模塊”中所述。當(dāng)VDD電壓上升至; 閱讀（7）標(biāo)簽：

[公司新聞]氮化鎵電源芯片U8722X系列喜迎U8722FE料號功率65W2025年04月10日 11:19: 深圳銀聯(lián)寶科技氮化鎵電源芯片U8722X家族，喜提“芯”成員——U8722FE，推薦最大輸出功率65W，集成MOS耐壓700V，采用ESOP-7，編帶盤裝，5000顆/卷，內(nèi)置Boost供電電路，非常適用于寬輸出電壓的應(yīng)用場景。氮化鎵電源芯片U8722FE采用峰值電流控制模式，可以自適應(yīng)的工作在QR和降頻工作模式，從而實現(xiàn)全負載功率范圍內(nèi)的效率優(yōu)化。在滿載和重載工況下，系統(tǒng)工作在QR工作模式，可以大幅降低系統(tǒng)的開關(guān)損耗。芯片; 閱讀（15）標(biāo)簽：

[公司新聞]無需輔助繞組的電流過零檢測電源芯片U61132025年03月31日 10:48: 無需輔助繞組的電流過零檢測技術(shù)，可省去輔助繞組和VDD電容，減少外圍元件數(shù)量，還能準(zhǔn)諧振模式降低開關(guān)損耗，集成逐周期電流限制、VDD欠壓保護、過熱保護等多重安全機制?？偟膩碚f，可顯著簡化電路設(shè)計，同時滿足高精度、高可靠性的應(yīng)用需求。銀聯(lián)寶電源芯片U6113具備此功能！為了保證系統(tǒng)工作在準(zhǔn)諧振模式下，電源芯片U6113利用檢測流經(jīng)內(nèi)部高壓MOSFET漏極和門極間寄生的米勒電容Crss的電流實現(xiàn)電流過零點的檢測。當(dāng)電感電流續(xù)流到零后，電感和高壓MOSFET的輸出電容開始諧; 閱讀（8）標(biāo)簽：

[公司新聞]電源ic U5402內(nèi)置互鎖和死區(qū)保護功能增強系統(tǒng)可靠性2025年03月28日 10:02: 電源icU5402通過硬件電路實現(xiàn)雙通道輸入的信號互鎖，確保高低側(cè)驅(qū)動信號無法同時導(dǎo)通，避免功率器件（如MOSFET/IGBT）因直通電流導(dǎo)致短路損壞。U5402具有完善保護功能，包括：輸入浮空或輸入脈沖寬度不足時，輸出保持低電平。內(nèi)置互鎖和死區(qū)保護功能，可防止高低側(cè)驅(qū)動同時打開，同時具有高側(cè)和低側(cè) UVLO 保護，系統(tǒng)可靠性強。電源icU5402典型應(yīng)用： ▲功率 MOSFET / IGBT 驅(qū)動器 ▲電機驅(qū)動應(yīng)用，家電 ▲照明, LED 電源 ▲感應(yīng)加熱 ▲DC-AC; 閱讀（7）標(biāo)簽：

[公司新聞]“芯”產(chǎn)品開箱——12v1a充電器芯片U6203D2025年03月21日 14:55: 華為手機新品Pura X，稱為全球首款闊折疊屏手機，折疊起來，就變成小手機，合上很小巧，正面和背面都有屏幕。它還能擴屏使用，橫過來用就像平板一樣體驗。這款新品為折疊屏手機的發(fā)展打開了新思路，或許會為未來的手機和手機配件市場注入新活力。深圳銀聯(lián)寶科技一如既往為各位小伙伴提供優(yōu)質(zhì)高效的手機充電器芯片，誠意推薦這顆12v1a充電器芯片U6203D！ 12v1a充電器芯片U6203D是一款高度集成的電流模式PWM控制驅(qū)動，內(nèi)置4A高壓MOS，適合應(yīng)用于高性能、低待機功耗、低成本離線; 閱讀（12）標(biāo)簽：

[公司新聞]PD快充寬電壓應(yīng)用同步整流芯片U7610B2025年03月19日 10:45: 同步整流芯片在PD快充領(lǐng)域的應(yīng)用主要體現(xiàn)在提升效率、降低損耗以及適配小型化設(shè)計等方面。深圳銀聯(lián)寶科技同步整流芯片U7610B采用低導(dǎo)阻MOSFET替代傳統(tǒng)肖特基二極管，顯著降低導(dǎo)通損耗，高集成度設(shè)計減少外圍元件需求，簡化了電路布局！在VDD電壓上升到VDD開啟電壓VDD_ON (典型值4.5V)之前，同步整流芯片U7610B處于關(guān)機狀態(tài)。內(nèi)部Gate智能鉗位電路可以保證內(nèi)置MOSFET不會發(fā)生高dv/dt導(dǎo)致的誤開通。當(dāng)VDD電壓達到VDD_ON之后，芯片啟動，內(nèi)部控制; 閱讀（20）標(biāo)簽：

[公司新聞]電源管理IC U8623采用單邊漏極并聯(lián)封裝增加散熱效果2025年03月13日 14:52: 芯片在實現(xiàn)數(shù)據(jù)處理、存儲和傳輸?shù)裙δ艿倪^程中，會伴隨電阻、電容、電感等能量損耗，這些損耗會被轉(zhuǎn)化為熱能，因此會產(chǎn)生大量熱量。過高的溫度會影響電子設(shè)備工作性能，甚至導(dǎo)致電子設(shè)備損壞。今天推薦的電源管理ICU8623采用SOP-8封裝，并采用單邊漏極并聯(lián)封裝增加散熱效果，從而提高了散熱效率，積極保護電子設(shè)備。電源管理ICU8623是一款恒壓、恒功率、恒溫離線型電流模式PWM電源芯片，內(nèi)置0.85Ω/650V的超結(jié)硅功率 MOS。U8623具有全負載高效率、低空載損耗、低EMI; 閱讀（9）標(biāo)簽：

[公司新聞]實時評測皆好評的充電器芯片SF1538DP2025年03月03日 15:30: 隨著消費者對手機攝影要求的不斷提高，傳感器尺寸的進一步增加成為廠商們探索的方向，對手機的內(nèi)部空間提出了不小的挑戰(zhàn)。而手機充電器的內(nèi)部空間，可以選擇深圳銀聯(lián)寶開發(fā)的充電器芯片，體積小效率高，讓總體設(shè)計更為靈活，或許是個不錯的解決方案。今天推薦的是SF1538DP！充電器芯片SF1538DP封裝形式DIP-8，內(nèi)置高功率MOSFET管，耐壓650V；可編程外部過溫保護OTP，專利的“零OCP恢復(fù)間隙控制”避免低壓啟動失敗；內(nèi)置4ms軟啟動，管腳浮空保; 閱讀（8）標(biāo)簽：

[公司新聞]同步整流芯片U7110W優(yōu)化控制關(guān)斷損耗2025年02月27日 11:11: 同步整流芯片會實時監(jiān)測電路中的相關(guān)參數(shù)，比如電壓、電流等信號。一旦檢測到滿足開通或者需要關(guān)斷的條件，芯片內(nèi)部的控制電路會生成一個驅(qū)動或者關(guān)斷信號，以確保電路的正常運行，減少損耗。同步整流芯片在開通和關(guān)斷階段的精確控制，對于提高開關(guān)電源的效率和性能起著至關(guān)重要的作用。讓我們看看同步整流芯片U7110W是如何控制的！變壓器副邊續(xù)流階段開始時，同步整流內(nèi)置MOSFET的溝道處于關(guān)閉狀態(tài)，副邊電流Is經(jīng)MOSFET體二極管實現(xiàn)續(xù)流，同時在體二極管兩端形成一負向Vds電壓(-500; 閱讀（18）標(biāo)簽：

[公司新聞]超結(jié)硅功率MOS電源管理芯片U8621展現(xiàn)低功耗特性2025年02月20日 10:08: 在全負載范圍內(nèi)，相比傳統(tǒng)功率器件，超結(jié)硅功率MOS電源管理芯片U8621能為用戶節(jié)省更多的電能。同時，在空載狀態(tài)下，U8621的低功耗特性得以體現(xiàn)，滿足了六級能效標(biāo)準(zhǔn)，有效避免了能源的無謂消耗，對于電子設(shè)備的應(yīng)用而言，是非常值得推薦的一顆芯片！電源管理芯片U8621是一款恒壓、恒功率、恒溫離線型電流模式PWM 電源管理芯片，內(nèi)置1.9Ω/630V的超結(jié)硅功率MOS。U8621具有全負載高效率、低空載損耗、低EMI干擾和高EMS抗干擾、極少外圍應(yīng)用元件等優(yōu)點。U8621在一; 閱讀（15）標(biāo)簽：

[公司新聞]同步整流芯片U7612可搭配不同快充應(yīng)用主控2025年02月17日 14:48: 同步整流芯片與主控配合，使整流元件與主開關(guān)管同步工作，避免了二極管反向恢復(fù)時間產(chǎn)生的電流諧波，能有效減少電磁干擾，使產(chǎn)品更易通過電磁兼容性測試。同步整流芯片U7612是一款帶快速關(guān)斷功能的高性能副邊同步整流功率開關(guān)，可以替代肖特基整流二極管以提高系統(tǒng)效率。同步整流芯片U7612內(nèi)置有VDD高壓供電模塊，無需輔助繞組供電可穩(wěn)定工作，系統(tǒng)上支持High Side和Low Side配置，兼顧了系統(tǒng)性能和成本。主要特征有： ●內(nèi)置 60V MOSFET ●支持 DCM、QR 和; 閱讀（12）標(biāo)簽：

[公司新聞]20W、22.5W、30W氮化鎵電源芯片方案介紹2025年02月07日 11:24: 今天給各位小伙伴介紹幾款氮化鎵電源芯片方案！ ■20W氮化鎵電源芯片方案U8621+U7610C 氮化鎵電源芯片U8621是一款恒壓、恒功率、恒溫離線型電流模式PWM電源管理芯片，內(nèi)置1.9Ω/630V的超結(jié)硅功率MOS。U8621具有全負載高效率、低空載損耗、低EMI干擾和高EMS抗干擾、極少外圍應(yīng)用元件等優(yōu)點。U8621在一定條件下適用于輸入電壓AC90V-264V的輸出功率為18W以內(nèi)的離線式反激開關(guān)變換器，滿足VI級能效標(biāo)準(zhǔn)。U8621采用SOP8并采用單邊漏極并聯(lián)封; 閱讀（32）標(biāo)簽：

[公司新聞]開關(guān)電源芯片U8623解鎖超結(jié)硅功率MOS管理新境界2025年01月17日 15:05: 超結(jié)硅功率MOS在開關(guān)電源芯片U8623中對降低EMI（電磁干擾）干擾、增強EMS（電磁抗擾度）抗干擾能力起到了重要作用。在開關(guān)電源工作時，超結(jié)硅功率MOS的快速開關(guān)特性，配合U8623內(nèi)置的抖頻技術(shù)，優(yōu)化了EMI性能。其能夠?qū)㈦姶鸥蓴_的能量分散到更寬的頻帶上，從而降低了在特定頻率上的干擾強度，減少了對周邊電子設(shè)備的影響。例如，在手機充電器中，如果EMI干擾過大，可能會對手機的信號接收、通話質(zhì)量等產(chǎn)生不良影響。而采用了該超結(jié)硅功率MOS的U8623，能有效降低這種干擾，確保充; 閱讀（29）標(biāo)簽：

[公司新聞]LED照明驅(qū)動電源管理ic U6113力求更強、更高效2025年01月17日 14:31: 就手機品類而言，創(chuàng)新則主要向著高端化方向發(fā)展，同時有力地拉動了換機需求。深圳銀聯(lián)寶科技電源管理ic一直在創(chuàng)新求變的路上探索，力求更強、更高效。銀聯(lián)寶電源管理icU6113是一款內(nèi)部高度集成的降壓型準(zhǔn)諧振式（QR-Buck）LED照明恒流驅(qū)動功率開關(guān)芯片，性能更強、更高效！電源管理icU6113主要特性： * 內(nèi)部集成 550V 高壓 MOSFET * ±4% 恒流精度 * 超低 VDD 工作電流 * 準(zhǔn)諧振工作模式提高系統(tǒng)效率 * 無需輔助繞組 * 集成式高壓; 閱讀（12）標(biāo)簽：

[公司新聞]同時具備高側(cè)和低側(cè)UVLO保護能力的電源管理ic U54022025年01月10日 14:53: 電機驅(qū)動器可以根據(jù)外部控制信號，精確地控制電機的轉(zhuǎn)速。這使得電機可以在不同的工作條件下，實現(xiàn)最佳的運行效率。還可以根據(jù)負載的變化，自動調(diào)節(jié)電機的轉(zhuǎn)矩。這有助于提高電機的運行穩(wěn)定性，減少能耗和噪音。今天推薦的電源管理icU5402，常常在電機驅(qū)動應(yīng)用發(fā)揮高效作用，不可錯過！電源管理ic U5402是一款650V耐壓的半橋柵極驅(qū)動器，具有0.3A拉電流和1A灌電流能力，專用于驅(qū)動功率MOSFETs或IGBTs。U5402采用必易微高壓器件工藝技術(shù)，具有良好的電流輸出及出色的抗瞬; 閱讀（24）標(biāo)簽：

[公司新聞]帶恒功率、底部無PAD的氮化鎵芯片U872XAHS系列2025年01月06日 11:38: 帶恒功率、底部無PAD的氮化鎵芯片U872XAHS系列型號分別為U8722AHS、U8723AHS、U8724AHS。耐壓700V，內(nèi)阻1.0--1.2R。封裝類型ASOP-7-T4，具體腳位如下： 1 CS I/O 電流采樣輸入、最高頻率選擇管腳 2 FB I 系統(tǒng)反饋輸入管腳 3 DEM I/O 消磁檢測、輸出 OVP 檢測、驅(qū)動能力分檔判定管腳 4 VDD P 芯片供電管腳 5 SW P Boost 電路內(nèi)置 MOS 的漏極管腳 6 GND P 芯片參考地 7 DRAI; 閱讀（24）標(biāo)簽：

[公司新聞]內(nèi)置1.9Ω/630V的超結(jié)硅功率開關(guān)電源芯片U86212025年01月03日 10:14: 超結(jié)功率MOSFET在高電壓開關(guān)應(yīng)用中占據(jù)主導(dǎo)地位，適用于需要高效能和緊湊設(shè)計的場合。超結(jié)結(jié)構(gòu)能夠在保持高電壓的同時實現(xiàn)低導(dǎo)通電阻，突破了傳統(tǒng)硅極限，超結(jié)MOSFET中的電荷平衡特性，能夠設(shè)計更薄、摻雜更多的區(qū)域，實現(xiàn)更快的開關(guān)速度，降低開關(guān)損耗，提高效率。深圳銀聯(lián)寶內(nèi)置合封一顆1.9Ω/630V的高壓MOS開關(guān)電源芯片U8621，在175V--264Vac推薦22.5W，85V-264Vac推薦18W，一起了解下！開關(guān)電源芯片U8621擁有自適應(yīng)工作模式，根據(jù)FB腳電; 閱讀（23）標(biāo)簽：

[公司新聞]電源管理芯片U6203D可省略系統(tǒng)的光耦和TL4312024年12月24日 10:34: 智能手表的三大標(biāo)配功能：運動、通訊以及醫(yī)療健康，正好滿足身體監(jiān)測與運動監(jiān)測的健康剛需，所以消費者的需求大幅增加。智能手表充電器電源管理芯片銷量也水漲船高。副邊反饋內(nèi)置MOS電源管理芯片U6203D可省略系統(tǒng)的光耦和TL431，推薦應(yīng)用于功率15W以內(nèi)的充電器、適配器、控制板系統(tǒng)、LED照明驅(qū)動電源系統(tǒng)等，介紹給各位小伙伴！電源管理芯片U6203D工作模式如下： 1. CC 工作模式：在CC工作狀態(tài)，U6203D采樣FB引腳的信號（由輔助繞組信號通過電阻分壓），輔助繞組信號脈; 閱讀（10）標(biāo)簽：

[公司新聞]高效化、小型化的適配器電源芯片U86232024年12月17日 15:18: 應(yīng)對現(xiàn)今適配器的高效化，小型化趨勢，深圳銀聯(lián)寶科技順勢推出了一款恒壓、恒功率、恒溫離線型電流模式PWM適配器電源芯片U8623，內(nèi)置0.85Ω/650V的超結(jié)硅功率MOS。更有利于實現(xiàn)電源輕量化。適配器電源芯片U8623具備恒功率輸出模式，當(dāng)FB腳電平大于3.7V以后，芯片PWM占空比由CS引腳電平對應(yīng)的VOCP來控制，為保證在AC90V-264V輸入范圍內(nèi) 的恒功率性能，對VOCP值根據(jù)占空比進行補償。恒溫輸出U8623具備一定條件的恒溫模式，當(dāng)芯片內(nèi)部溫度達到設(shè)定溫度范; 閱讀（26）標(biāo)簽：

[公司新聞]智能照明電源芯片U3205構(gòu)建綠色低耗應(yīng)用2024年12月16日 15:16: 光與照明息息相關(guān)，燈具的發(fā)展應(yīng)該其實就是在模擬自然光的變化，追求更高的調(diào)光深度和精度。品控是燈光保障的重要問題，也需要芯片產(chǎn)品提供更高的解決方案。今天給小伙伴們推薦深圳銀聯(lián)寶科技的新產(chǎn)品——智能照明電源芯片U3205！智能照明電源芯片U3205系列是一款集成高壓MOSFET的多模式PWM控制功率開關(guān)。該系列產(chǎn)品支持離線式非隔離降壓和升降壓型拓撲電路，適用于小家電電源和線性電源替代等場所。同時，U3205具有輸出精度高和外圍成本低的特點。智能照明電源; 閱讀（28）標(biāo)簽：

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