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25W氮化鎵電源芯片方案U8723AH+U7612B輸出可選5V、9V、12V

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瀏覽:- 發布日期:2025-06-13 10:44:19【

同一套電源芯片方案,可直接應用于不同的電壓輸出上,這不僅有效節省成本,更是大大縮短了開發時間,使項目收益最大化。深圳銀聯寶科技最新推出的25W氮化鎵電源芯片方案U8723AH+U7612B,輸出可選5V9V、12V,注重空間布局和兼容性問題,通過了認證測試,低耗高效,值得推薦!

同步整流芯片U7612B是一款高頻率、高性能、CCM同步整流開關,可以在GaN系統中替代肖特基整流二極管以提高系統效率。在VDD電壓上升到VDD開啟電壓VDD_ON (典型值4.5V)之前,芯片處于關機狀態。內部Gate智能鉗位電路可以保證內置MOSFET不會發生高dv/dt導致的誤開通。當VDD電壓達到VDD_ON之后,芯片啟動,內部控制電路開始工作,副邊繞組電流Is經內置MOSFET的溝道實現續流。當VDD電壓低于欠壓保護閾值VDD_OFF(典型值 3.3V)后,芯片關機,副邊繞組電流Is經內置MOSFET的體二極管實現續流。


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同步整流芯片U7612BPCB設計建議:

1) 副邊主功率回路Loop1的面積盡可能小。

2) VDD 電容推薦使用1μF的貼片陶瓷電容,盡量緊靠IC,Loop2的面積盡可能小。

3) R1C1構成同步整流開關的RC吸收電路,RC吸收回路Loop3的面積可能小。

氮化鎵電源芯片U8723AH引腳說明:

1 CS I/O 電流采樣輸入、最高頻率選擇管腳

2 FB I 系統反饋輸入管腳

3 DEM I/O 消磁檢測、輸出 OVP 檢測、驅動能力分檔判定管腳

4 SW P Boost 電路內置 MOS 的漏極管腳

5 GND P 芯片參考地

6 VDD P 芯片供電管腳

7 DRAIN P 內置高壓 GaN FET 漏極、高壓啟動供電管腳


氮化鎵電源芯片U8723AH是一款集成E-GaN的高頻高性能準諧振模式交直流轉換功率開關。芯片集成高壓啟動電路,可獲得快速啟動功能和超低的工作電流,實現小于30mW的超低待機功耗。U8723AH的工作頻率最高可達220kHz,可全范圍工作在準諧振模式。芯片集成峰值電流抖動功能和驅動電流配置功能,可極大的優化系統EMI性能。芯片內置Boost供電電路,非常適用于寬輸出電壓的應用場景。

氮化鎵電源芯片U8723AH+同步整流芯片U7612B組合方案,可顯著降低空載待機功耗,和大幅提升滿載和輕載效率,同時縮短市場投放時間和減少物料清單成本,適用于快速充電器、筆記本電源適配器、小功率電動工具充電器、服務器輔助電源等多種應用場景!

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