- [公司新聞]氮化鎵PD快充芯片U8733集成恒功率與主動降功率多控制功能2025年05月09日 11:32
- 芯片恒功率控制，意味著無論負載變化如何，系統都能保持恒定的輸出功率，確保設備在各種工作條件下都能穩定運行。當檢測到系統溫度過高時，主動降功率功能會啟動，以降低系統溫度，防止過熱。深圳銀聯寶科技的氮化鎵PD快充芯片U8733，就集成了恒功率控制和主動降功率控制功能，一起來看看！ 氮化鎵PD快充芯片U8733集成恒功率控制與主動降功率控制功能，在恒功率區間，通過控制輸出電流隨輸出電壓變化，實現恒功率功能。外置溫度檢測環境溫度，當溫度過高主動降功率以降低系統溫度，保證系統穩定
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- [公司新聞]ESOP-10W封裝輸入欠壓保護氮化鎵快充芯片U87662025年05月08日 15:14
- 在65W氮化鎵快充設計中，輸入欠壓保護與過壓保護協同工作，保障充電頭在電網波動時仍能穩定輸出，并避免因輸入異常導致次級電路損壞。今天介紹的65W全壓氮化鎵快充芯片U8766，輸入欠壓保護(BOP)，采用ESOP-10W封裝！ 氮化鎵快充芯片U8766通過HV管腳對母線電壓進行采樣，當母線電壓值小于BOP保護閾值VBOP (典型值 100V)時，芯片內部的BOP延遲計時使能，計時時間為TBOP_DELAY(典型值 80ms)，計時結束后觸發BOP保護。如果母線電壓超過BOP恢復
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- [公司新聞]30~65W快充應用CCM同步整流芯片U71062025年05月08日 09:31
- 同步整流芯片U7106采用PDFN5*6封裝，是一款高頻率、高性能、CCM 同步整流開關，典型應用于30~65W快充，無需輔助繞組供電可穩定工作，可以在GaN系統中替代肖特基整流二極管以提高系統效率。 同步整流芯片U7106電路設計參考如下： 1. 副邊主功率回路 Loop1 的面積盡可能小。 2. VDD 電容推薦使用 1μF 的貼片陶瓷電容，盡量緊靠 IC，Loop2的面積盡可能小。 3. HV 到Drain建議串聯30~200Ω的電阻，推薦典型值100Ω。HV連接到D
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- [公司新聞]PD 20W氮化鎵單電壓應用方案：U8722AH+U77152025年05月07日 14:23
- 深圳銀聯寶科技推出的PD20W氮化鎵單電壓應用方案，主控芯片使用的是氮化鎵快充芯片U8722AH，同步整流芯片U7715，協議338E。輸入規格：180V-264V 50Hz，輸出規格：C口，PD20W：5V3A / 9V2.22A / 12V1.67A。 氮化鎵快充芯片U8722AH特點： 1.集成 700V E-GaN 2.集成高壓啟動功能 3.超低啟動和工作電流，待機功耗 30mW 4.谷底鎖定模式， 最高工作頻率兩檔可調(220kHz，130kHz) 5.集
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- [公司新聞]SOP-7封裝20W氮化鎵快充芯片U8722SP來咯！2025年04月29日 11:14
- 深圳銀聯寶氮化鎵系列又雙叒叕上“芯”料啦——U8722SP！氮化鎵快充芯片U8722SP采用SOP-7封裝，推薦最大輸出功率20W，集成MOS耐壓700V，典型應用于快速充電器和適配器上，腳位如下： 1 GND P 芯片參考地 2 CS I/O 電流采樣輸入、最高頻率選擇管腳 3 FB I 系統反饋輸入管腳 4 DEM I/O 消磁檢測、輸出 OVP 檢測、驅動能力分檔判定管腳 5 SW P Boost 電路內置 MOS 的漏極
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- [公司新聞]氮化鎵快充芯片U8608集成多維度安全防護機制2025年04月28日 14:25
- 深圳銀聯寶氮化鎵快充芯片U8608具有多重故障保護機制，通過集成多維度安全防護，防止設備出現過充電、過放電、過電流等問題，在電子設備中構建起全方位的安全屏障，今天具體分析一下！ ■輸入過欠壓保護 (Line OVP/BOP) 氮化鎵快充芯片U8608通過DRAIN管腳對母線電壓進行采樣，當母線電壓值小于Line BOP 保護閾值VBOP (典型值70Vac)時，芯片內部的Line BOP延遲計時使能，計時時間為TBOP_DELAY(典型值 80ms)，計時結束后觸發Lin
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- [公司新聞]25W帶恒功率12V單高壓氮化鎵快充芯片U8723AH2025年04月24日 10:17
- 芯片內置Boost電路將功率開關器件（如MOSFET）、驅動電路、反饋網絡等集成于單一封裝，省去分立元件布局，顯著降低PCB面積需求。深圳銀聯寶氮化鎵快充芯片U8723AH內置Boost供電電路，非常適用于寬輸出電壓的應用場景。U8723AH集成峰值電流抖動功能和驅動電流配置功能，可極大的優化系統EMI性能！ 氮化鎵快充芯片U8723AH特性： ●集成 高壓 E-GaN ●集成高壓啟動功能 ●超低啟動和工作電流，待機功耗 30mW ●谷底鎖定模式， 最高工作頻率兩檔可調(2
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- [公司新聞]700V/165mΩ HV高壓啟動頻率可調氮化鎵快充芯片U87662025年04月23日 14:32
- 700V/165mΩ HV高壓啟動頻率可調氮化鎵快充芯片U8766，推薦功率為65W，代表機型有5V3A、9V3A、12V3A、15V3A、20V3.25A等。 氮化鎵快充芯片U8766集成了高壓啟動功能。在啟動階段，U8766通過芯片HV腳對VDD充電，當VDD電壓達到VVDD_ON(典型值 12V)時，高壓供電關閉。輸出建立后，芯片供電由輔助繞組提供。在啟動過程中，當VDD低于3V時，高壓供電電路對VDD電容的充電電流為IHV1 (典型值 0.5mA)，小電流充電，可以
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- [公司新聞]700V/365mΩ高壓啟動GaN快充芯片U86092025年04月21日 14:31
- GaN快充芯片U8609最高工作頻率130kHz，700V/365mΩ，采用DASOP-7封裝，主推12V3A，合封第三代半導體GaN FET，有利于降低電源尺寸。U8609采用CS Jitter技術，通過調制峰值電流參考值實現頻率抖動，以優化系統EMI。 GaN快充芯片U8609復用CS管腳以設定系統最高工作頻率，CS管腳連接如圖所示。芯片啟動時，U8609通過檢測RSEL電阻從而決定芯片最大工作頻率。設定不同的RSEL電阻值即可選擇兩檔不同的系統工作頻率上限。選檔判定結束
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- [公司新聞]12V單高壓20W-25W氮化鎵快充芯片U8722BAS2025年04月18日 14:39
- 氮化鎵快充芯片U8722BAS復用CS管腳以設定系統最高工作頻率，CS管腳連接如圖所示。 芯片啟動時，U8722BAS通過檢測RSEL電阻從而決定芯片最大工作頻率。設定不同的RSEL電阻值即可選擇兩檔不同的系統工作頻率上限。選檔判定結束后系統鎖定，每一次啟動都伴隨一次判定。 氮化鎵快充芯片U8722BAS封裝類型 ASOP7-T4，引腳名稱如下： 1 CS I/O 電流采樣輸入、最高頻率選擇管腳 2 FB I 系統反饋輸入管腳 3 DEM I/O 消磁檢測、輸出 OVP 檢
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- [公司新聞]20W恒壓、恒功率、恒溫離線電源方案U8621+ U7610C2025年04月03日 10:37
- 恒功率一般通過動態補償和多模式切換等方式實現，通占空比動態調整，確保輸入電壓波動時輸出功率穩定，另外根據FB腳電平自動切換打嗝模式、變頻模式、恒功率模式，優化全負載效率。銀聯寶電源芯片U8621支持快充適配器應用，具有全負載高效率、低空載損耗、低EMI干擾和高EMS抗干擾、極少外圍應用元件等優點。再搭配同步整流芯片U7610C，打造出一款優質耐用的20W恒壓、恒功率、恒溫離線電源方案！ 銀聯寶電源芯片U8621特性： * 固定 65K 赫茲的開關頻率 * 內置抖頻技
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- [公司新聞]外置OTP自帶降功率氮化鎵快充芯片U87322025年04月01日 10:18
- 當設備溫度超過設定閾值時，外置OTP功能會自動觸發，降低設備功率或關閉設備，以防止過熱，這對于保護設備內部組件和延長設備壽命至關重要。在檢測到溫度升高時，設備會自動降低功率輸出，以減少熱量產生，從而防止過熱。這種功能可以與OTP協同工作，提供雙重保護。深圳銀聯寶氮化鎵快充芯片U8732外置OTP自帶降功率，單高壓30W，一起了解下！ 氮化鎵快充芯片U8732特點： 集成 700V E-GaN 集成高壓啟動功能 超低啟動和工作電流，待機功耗 30mW 谷底鎖定模式，最高
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- [公司新聞]65W全壓700V底部無PAD氮化鎵快充芯片U87662025年03月20日 15:32
- 深圳銀聯寶科技推出的氮化鎵快充芯片集成高頻高性能準諧振模式，顯著降低磁性元件體積，同時通過同步整流技術將效率翻番。比如今天介紹的65W全壓700V底部無PAD氮化鎵快充芯片U8766，擁有超低啟動和工作電流，可實現小于30mW的超低待機功耗，勢如破竹！ 氮化鎵快充芯片U8766集成高壓E-Mode GaN FET，為了保障GaN FET工作的可靠性和高系統效率，芯片內置了高精度、高可靠性的驅動電路，驅動電壓為VDRV (典型值 6.2V)。EMI性能為高頻交直流轉換器的
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- [公司新聞]PD快充寬電壓應用同步整流芯片U7610B2025年03月19日 10:45
- 同步整流芯片在PD快充領域的應用主要體現在提升效率、降低損耗以及適配小型化設計等方面。深圳銀聯寶科技同步整流芯片U7610B采用低導阻MOSFET替代傳統肖特基二極管，顯著降低導通損耗，高集成度設計減少外圍元件需求，簡化了電路布局！ 在VDD電壓上升到VDD開啟電壓VDD_ON (典型值4.5V)之前，同步整流芯片U7610B處于關機狀態。內部Gate智能鉗位電路可以保證內置MOSFET不會發生高dv/dt導致的誤開通。當VDD電壓達到VDD_ON之后，芯片啟動，內部控制
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- [公司新聞]集成GaN FET的帶恒功率快充電源芯片U8733L2025年03月18日 14:51
- 一些集成GaN FET的芯片能夠根據輸入電壓和負載的變化自動調整工作模式，這種自適應調整可以使芯片在不同的工作條件下都能實現恒功率輸出，同時保持較高的效率。深圳銀聯寶科技推出的集成GaN FET帶恒功率快充電源芯片U8733L，可以在充電器使用過程中，根據設備的需求提供合適的功率，提高充電效率！ 快充電源芯片U8733L集成恒功率控制與主動降功率控制功能，在恒功率區間，通過控制輸出電流隨輸出電壓變化，實現恒功率功能。外置溫度檢測環境溫度，當溫度過高主動降功率以降低系統溫度，
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- [公司新聞]35W PD快充芯片U8724AHS寬幅電壓輸出超穩的2025年02月19日 10:42
- 寬幅電源的輸出電壓范圍一般在85 ~ 265VAC的標準，而普通電源的輸出電壓范圍一般在180V-240V的標準。電源的寬幅越大，輸出電壓隨負載電流變化的程度就越小，輸出電壓就越穩定。35W PD快充芯片U8724AHS內置Boost供電電路，非常適用于寬輸出電壓的應用場景。 35W PD快充芯片U8724AHS的工作頻率最高可達220kHz，可全范圍工作在準諧振模式。芯片集成峰值電流抖動功能和驅動電流配置功能，可極大的優化系統EMI性能。芯片集成高壓啟動電路，可獲得快速啟動
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- [公司新聞]副邊開關電源芯片U6101S運行平穩功耗低2025年02月18日 14:54
- 開關頻率影響電機的運行平穩性和效率，以及芯片的功耗和EMI性能。高頻開關可使電機運行更平穩、減小電感電容等元件尺寸，但會增加開關損耗。開關電源芯片U6101S集成電路內置綠色和突發模式控制輕負載和零負載，被大量應用在電機驅動電源上，可實現小于75mW的待機功率。認證可做到90W，不認證做非標的可以做150W！ 開關電源芯片U6101S輸出規格可選擇5V-12A/1A和12V-5A/1A，自帶恒流，適用于快充充電器，如QC 2.0快充、QC3.0快充等，還可以應用于大功率的機頂
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- [公司新聞]同步整流芯片U7612可搭配不同快充應用主控2025年02月17日 14:48
- 同步整流芯片與主控配合，使整流元件與主開關管同步工作，避免了二極管反向恢復時間產生的電流諧波，能有效減少電磁干擾，使產品更易通過電磁兼容性測試。同步整流芯片U7612是一款帶快速關斷功能的高性能副邊同步整流功率開關，可以替代肖特基整流二極管以提高系統效率。 同步整流芯片U7612內置有VDD高壓供電模塊，無需輔助繞組供電可穩定工作，系統上支持High Side和Low Side配置，兼顧了系統性能和成本。主要特征有： ●內置 60V MOSFET ●支持 DCM、QR 和
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- [公司新聞]快充電源芯片U876X可極大的優化系統EMI性能2025年02月10日 14:20
- 快充電源芯片U876X產品型號有U8765/U8766，推薦最大輸出功率分別為65W/100W，集成高壓E-Mode GaN FET，為了保障GaN FET工作的可靠性和高系統效率，芯片內置了高精度、高可靠性的驅動電路，驅動電壓為VDRV (典型值 6.2V)。 快充電源芯片U876X主要特性： ●集成高壓 E-GaN ●集成高壓啟動功能 ●超低啟動和工作電流，待機功耗 30mW ●谷底鎖定模式， 最高工作頻率兩檔可調(220kHz，130kHz) ●集成 EMI 優化技術
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- [公司新聞]U860X氮化鎵快充芯片系列升級增加U8609料號2025年02月08日 14:43
- U860X氮化鎵快充芯片系列在原有的U8607、U8608基礎上，升級增加U8609料號，同時具備了輸入欠壓及軟入過壓保護功能，有需求的小伙伴趕緊看過來！ 氮化鎵快充芯片U860X是一款集成E-GaN的恒壓恒流PSR反激功率開關管，可為18~65W適配器應用提供全新的解決方案。U860X采用原邊反饋控制，可節省光耦和TL431，簡化電源BOM。它合封第三代半導體GaN FET，最高工作頻率130kHz，有利于降低電源尺寸。U860X集成谷底鎖定技術可以防止頻率抖動產生噪音。
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