12V單高壓20W-25W氮化鎵快充芯片U8722BAS
氮化鎵快充芯片U8722BAS復用CS管腳以設定系統最高工作頻率，CS管腳連接如圖所示。 芯片啟動時，U8722BAS通過檢測RSEL電阻從而決定芯片最大工作頻率。設定不同的RSEL電阻值即可選擇兩檔不同的系統工作頻率上限。選檔判定結束后系統鎖定，每一次啟動都伴隨一次判定。
氮化鎵快充芯片U8722BAS封裝類型 ASOP7-T4，引腳名稱如下：
1 CS I/O 電流采樣輸入、最高頻率選擇管腳
2 FB I 系統反饋輸入管腳
3 DEM I/O 消磁檢測、輸出 OVP 檢測、驅動能力分檔判定管腳
4 VDD P 芯片供電管腳
5 SW P Boost 電路內置 MOS 的漏極管腳
6 GND P 芯片參考地
7 DRAIN P 內置高壓 GaN FET 漏極、高壓啟動供電管腳
氮化鎵快充芯片U8722BAS集成高壓E-Mode GaN FET，為了保障GaN FET工作的可靠性和高系統效率，芯片內置了高精度、高可靠性的驅動電路，驅動電壓為VDRV(典型值 6.2V)。EMI性能為高頻交直流轉換器的設計難點，為此U8722BAS通過DEM管腳集成了驅動電流分檔配置功能。通過配置DEM管腳分壓電阻值，可以選擇不同檔位的驅動電流，進而調節GaN FET的開通速度，系統設計者可以獲得最優的EMI性能和系統效率的平衡。具體分壓電阻值可參照參數表。
氮化鎵快充芯片U8722XAS系列還有20W的U8722BAS、30W的U8722CAS、35W的U8722DAS，這個系列還集成輕載SR應力優化功能，在驅動電流配置為第一、第二、第三檔位時，當芯片工作于輕載模式時，將原邊開通速度減半，減小空載時SR的Vds應力過沖。
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