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12V 1A能效六級方案
更多 +
效率滿足六級能效要求。
內(nèi)置頻率抖動EMI。
內(nèi)置高低壓過流補償。
內(nèi)置軟啟動，啟動電流，管腳浮空保護。
內(nèi)置專利的線損補償,提高量產(chǎn)精度。
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10W系列 5V 2A電源方案
PSR控制模式，無光耦，無431。更多 +
±5% 的恒流恒壓精度。
專利的‘NC-Cap/PSR’技術(shù)。
系統(tǒng)效率滿足 ‘DoE六級能效’ Tier2 要求,待機＜75mW。
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24W系列 12V2A能效六級方案
提高系統(tǒng)效率，異音更多 +
內(nèi)置軟啟動, 管腳浮空保護
效率滿足 六級能效
啟動電流
QR技術(shù)提高全負載效率,EMI和谷底切換異音
輸出過壓保護電壓可外部編程
逐周期電流限制, 內(nèi)置前沿消隱
VDD欠壓保護(ULVO), 過壓保護及鉗位
零電壓帶載啟動減小OCP恢復間隙
內(nèi)置頻率抖動EMI
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18W系列12V1.5A能效六級方案
更多 +
效率滿足六級能效要求
內(nèi)置650V 功率MOSFET
內(nèi)置65KHz 工作頻率
零OCP恢復間隙控制避免低壓啟動失敗
電流啟動
內(nèi)置4mS軟啟動, 管腳浮空保護
內(nèi)置頻率抖動EMI
內(nèi)置逐周期電流限制, 內(nèi)置前沿消隱
內(nèi)置高低壓過流補償實現(xiàn)全電壓平坦OCP曲線
VDD欠壓保護(ULVO), 過壓保護及鉗位
OLP可編程
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65W系列 19V3.42A能效六級方案
優(yōu)化降頻技術(shù)提率更多 +
零OCP恢復間隙控制避免低壓啟動失敗
效率滿足 六級能效
內(nèi)置4mS軟啟動, 管腳浮空保護
無異音OCP補償?shù)蛪褐剌d異音
OLP時間可編程
VDD欠壓保護(ULVO), 過壓保護及鉗位
內(nèi)置同步斜率補償. 逐周期電流限制, 內(nèi)置前沿消隱
內(nèi)置頻率抖動EMI
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60W系列 12V5A能效六級方案
更多 +
±5％恒壓恒流精度, 快速動態(tài)響應控制
待機功耗小于75mW
自動補償輸入電壓.電感感量變化
自動補償輸入電壓.電感感量變化
啟動電流
前沿消隱
內(nèi)置斜率補償
逐周期電流限制
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48W系列 48W能效六級方案
提高系統(tǒng)效率，異音。更多 +
內(nèi)置頻率抖動EMI。
系統(tǒng)效率滿足 ‘DoE六級能效’ Tier2 要求。
內(nèi)置高低壓過流補償。
內(nèi)置軟啟動，啟動電流，管腳浮空保護。
待機功耗(≤75mW)
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10W系列5V2A能效六級方案
更多 +
效率滿足六級能效要求
內(nèi)置650V 功率MOSFET
自動補償輸入電壓.電感感量變化,實現(xiàn)高精度
多模式PSR 控制提高可靠性和效率
內(nèi)置軟啟動，啟動電流，管腳浮空保護
零電壓帶載啟動減小OCP恢復間隙
逐周期電流限制, 內(nèi)置前沿消隱
±5％恒壓恒流精度
內(nèi)置反饋腳(FB)短路保護
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5W系列 5V1A能效六級方案
QR-PSR控制提高工作效率更多 +
內(nèi)置700V 功率三極管
效率滿足 ‘DoE六級能效’，待機＜75mW
±4％恒壓恒流精度，多模式PSR控制內(nèi)置頻率抖動EMI
內(nèi)置快速動態(tài)響應控制，無異音工作
自動補償輸入電壓.電感感量變化,實現(xiàn)高精度
逐周期電流限制, 內(nèi)置前沿消隱
VDD欠壓保護（UVLO）,過壓保護及鉗位
OTP過溫保護
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5V1.5A能效六級方案
QR-PSR控制提高工作效率。更多 +
±4% 的恒流恒壓精度,PSR控制模式。
系統(tǒng)效率滿足 ‘DoE六級能效’ Tier2 要求,待機＜70mW。
內(nèi)置專利的線損電壓補償。
內(nèi)置軟啟動，啟動電流，管腳浮空保護。
VDD欠壓保護，VDD過壓保護及鉗位。
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10W系列 5V2A能效六級方案
±4％恒壓恒流精度，多模式PSR控制。更多 +
內(nèi)置頻率抖動EMI。
系統(tǒng)效率滿足 ‘DoE六級能效’ Tier2 要求。
內(nèi)置高低壓過流補償。
內(nèi)置快速動態(tài)響應控制，無異音工作。
輸出過壓保護，VDD欠壓保護，VDD過壓保護及鉗位。
QR-PSR控制提高工作效率。
內(nèi)置600V 功率MOSFET
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12W系列 12V1A能效六級方案
專利QR控制，提高系統(tǒng)效率，異音。更多 +
效率滿足六級能效要求。
內(nèi)置頻率抖動EMI。
內(nèi)置高低壓過流補償。
內(nèi)置軟啟動，啟動電流，管腳浮空保護。
內(nèi)置專利的線損補償,提高量產(chǎn)精度。
內(nèi)置反饋腳(FB)短路保護
支持高50V 輸出電壓
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5W系列 5V1A能效六級方案
QR-PSR控制提高工作效率更多 +
內(nèi)置700V 功率三極管
效率滿足 ‘DoE六級能效’，待機＜75mW
±4％恒壓恒流精度，多模式PSR控制內(nèi)置頻率抖動EMI
內(nèi)置快速動態(tài)響應控制，無異音工作
自動補償輸入電壓.電感感量變化,實現(xiàn)高精度
逐周期電流限制, 內(nèi)置前沿消隱
VDD欠壓保護（UVLO）,過壓保護及鉗位
OTP過溫保護
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12W系列 5V2.4A能效六級方案
更多 +
效率滿足六級能效要求
內(nèi)置650V 功率MOSFET
自動補償輸入電壓.電感感量變化,實現(xiàn)高精度
多模式PSR 控制提高可靠性和效率
內(nèi)置軟啟動，啟動電流，管腳浮空保護
零電壓帶載啟動減小OCP恢復間隙
逐周期電流限制, 內(nèi)置前沿消隱
±5％恒壓恒流精度
內(nèi)置反饋腳(FB)短路保護
- [公司新聞]銀聯(lián)寶20W快充電源方案：220V單電壓和90-264V全電壓 通通都有！2025年07月02日 10:22
- ■220V單電壓：主控PD快充芯片U8722AH+同步整流IC U7715 PD快充芯片U8722AH集成高壓E-Mode GaN FET，為了保障GaN FET工作的可靠性和高系統(tǒng)效率，芯片內(nèi)置了高精度、高可靠性的驅(qū)動電路，驅(qū)動電壓為VDRV(典型值6.2V)。EMI性能為高頻交直流轉(zhuǎn)換器的設計難點，為此U8722AH通過DEM管腳集成了驅(qū)動電流分檔配置功能。通過配置DEM管腳分壓電阻值，可以選擇不同檔位的驅(qū)動電流，進而調(diào)節(jié)GaN FET的開通速度，系統(tǒng)設計者可以獲得最優(yōu)
- 閱讀（4） 標簽：
- [公司新聞]PD 40W氮化鎵快充電源方案：U8725AHE+U7110W2025年06月26日 10:50
- 芯片替代方案在選型時，需要選擇比原芯片參數(shù)更多或一樣的芯片。如果封裝能做到pin to pin，則無需更改PCB設計，否則就要重新設計PCB板，替換的步驟和成本將高許多。如果產(chǎn)品更新?lián)Q代的速度較快，在選型時就要考慮芯片的可升級性，為以后的長遠效益做打算。深圳銀聯(lián)寶科技新推出的PD 40W氮化鎵快充電源方案U8725AHE+U7110W，正被采用替代市面上常見的一些料號，感興趣的小伙伴可以多多了解一下！ 氮化鎵快充芯片U8725AHE集成了高壓啟動功能。如圖所示，在啟動階段，
- 閱讀（5） 標簽：
- [公司新聞]同步整流芯片U7116W/U7110W快充電源方案參考2025年06月24日 14:57
- 同步整流芯片U711XW系列（U7116W/U7110W）快充電源方案參考： 1.U7116W+U8722DE，可做PD30W快充電源方案；+U8722DH，可做非標PD30W方案；+U8722EE，可做到45W； 2.同步整流芯片U7110W+U8722DE，可做PD30W-36W快充電源方案；+U8722EE，可做50W-60W。 同步整流芯片U7116W/U7110W是一款高頻率、高性能、CCM同步整流開關(guān)，可以在GaN系統(tǒng)中替代肖特基整流二極管以提高系統(tǒng)效率。U7
- 閱讀（6） 標簽：
- [公司新聞]同步整流芯片U7610X搭配不同主控電源管理芯片方案推介！2025年06月20日 14:39
- 同步整流技術(shù)是一種提高電源效率的技術(shù)。同步整流技術(shù)采用導通電阻極低的功率MOSFET管來代替二極管，以降低整流過程中的能量損耗。深圳銀聯(lián)寶科技推出了多套同步整流芯片U7610X系列快充電源方案，降耗提效，效果顯著！ 同步整流芯片U7610B+U8621，推薦功率22.5W！ 電源管理芯片U8621是一款恒壓、恒功率、恒溫離線型電流模式PWM電源管理芯片,內(nèi)置1.9Ω/630V的超結(jié)硅功率MOS。U8621具有全負載高效率、低空載損耗、低EMI干擾和高EMS抗干擾、極少外圍應用
- 閱讀（6） 標簽：
- [公司新聞]PD快充A+C口：30W高效率氮化鎵電源方案U8722DE+U7110W2025年06月17日 14:40
- A+C口兼容雙接口電路，可滿足多設備充電需求，還可以兼容傳統(tǒng)USB-A設備，接口互補，場景覆蓋廣，依然是當前充電市場不可忽略的中堅力量。深圳銀聯(lián)寶科技推出的PD快充A+C口：30W高效率氮化鎵電源方案U8722DE+U7110W，最大程度簡化設計方案，易上手，低成本！ 氮化鎵電源ICU8722DE采用峰值電流控制模式，可以自適應的工作在QR和降頻工作模式，從而實現(xiàn)全負載功率范圍內(nèi)的效率優(yōu)化。在滿載和重載工況下，系統(tǒng)工作在QR工作模式，可以大幅降低系統(tǒng)的開關(guān)損耗。芯片根據(jù)FB電
- 閱讀（5） 標簽：
- [公司新聞]25W氮化鎵電源芯片方案U8723AH+U7612B輸出可選5V、9V、12V2025年06月13日 10:44
- 同一套電源芯片方案，可直接應用于不同的電壓輸出上，這不僅有效節(jié)省成本，更是大大縮短了開發(fā)時間，使項目收益最大化。深圳銀聯(lián)寶科技最新推出的25W氮化鎵電源芯片方案U8723AH+U7612B，輸出可選5V、9V、12V，注重空間布局和兼容性問題，通過了認證測試，低耗高效，值得推薦！ 同步整流芯片U7612B是一款高頻率、高性能、CCM同步整流開關(guān)，可以在GaN系統(tǒng)中替代肖特基整流二極管以提高系統(tǒng)效率。在VDD電壓上升到VDD開啟電壓VDD_ON (典型值4.5V)之前，芯片處于
- 閱讀（4） 標簽：
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