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PFC肖特基 PFR2060CTF
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在相同的VR、IR和晶片尺寸下，VF較低
在相同的額定VR、VF和IF下，電流密度較大
在相同的EPI和晶片尺寸下，漏電電流較少
在較高的反向電壓下，開關速度更快
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PFC肖特基 PTR20100CTB
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在相同的VR、IR和晶片尺寸下，VF較低
在相同的額定VR、VF和IF下，電流密度較大
在相同的EPI和晶片尺寸下，漏電電流較少
在較高的反向電壓下，開關速度更快
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PFC肖特基 PTR20L100CT
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在相同的VR、IR和晶片尺寸下，VF較低
在相同的額定VR、VF和IF下，電流密度較大
在相同的EPI和晶片尺寸下，漏電電流較少
在較高的反向電壓下，開關速度更快
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PFC肖特基 PT20L100D
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在相同的VR、IR和晶片尺寸下，VF較低
在相同的額定VR、VF和IF下，電流密度較大
在相同的EPI和晶片尺寸下，漏電電流較少
在較高的反向電壓下，開關速度更快
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PFC肖特基 PFR20V45CT
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在相同的VR、IR和晶片尺寸下，VF較低
在相同的額定VR、VF和IF下，電流密度較大
在相同的EPI和晶片尺寸下，漏電電流較少
在較高的反向電壓下，開關速度更快
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PFC肖特基 PFS5L200
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在相同的VR、IR和晶片尺寸下，VF較低
在相同的額定VR、VF和IF下，電流密度較大
在相同的EPI和晶片尺寸下，漏電電流較少
在較高的反向電壓下，開關速度更快
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PFC肖特基 PFS5L150
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在相同的VR、IR和晶片尺寸下，VF較低
在相同的額定VR、VF和IF下，電流密度較大
在相同的EPI和晶片尺寸下，漏電電流較少
在較高的反向電壓下，開關速度更快
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PFC肖特基 PTR10100CTB
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在相同的VR、IR和晶片尺寸下，VF較低
在相同的額定VR、VF和IF下，電流密度較大
在相同的EPI和晶片尺寸下，漏電電流較少
在較高的反向電壓下，開關速度更快
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PFC肖特基 PFS5L40
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在相同的VR、IR和晶片尺寸下，VF較低
在相同的額定VR、VF和IF下，電流密度較大
在相同的EPI和晶片尺寸下，漏電電流較少
在較高的反向電壓下，開關速度更快
- [公司新聞]同步整流芯片U7116W/U7110W快充電源方案參考2025年06月24日 14:57
- 同步整流芯片U711XW系列（U7116W/U7110W）快充電源方案參考： 1.U7116W+U8722DE，可做PD30W快充電源方案；+U8722DH，可做非標PD30W方案；+U8722EE，可做到45W； 2.同步整流芯片U7110W+U8722DE，可做PD30W-36W快充電源方案；+U8722EE，可做50W-60W。 同步整流芯片U7116W/U7110W是一款高頻率、高性能、CCM同步整流開關，可以在GaN系統中替代肖特基整流二極管以提高系統效率。U7
- 閱讀（6） 標簽：
- [公司新聞]25W氮化鎵電源芯片方案U8723AH+U7612B輸出可選5V、9V、12V2025年06月13日 10:44
- 同一套電源芯片方案，可直接應用于不同的電壓輸出上，這不僅有效節省成本，更是大大縮短了開發時間，使項目收益最大化。深圳銀聯寶科技最新推出的25W氮化鎵電源芯片方案U8723AH+U7612B，輸出可選5V、9V、12V，注重空間布局和兼容性問題，通過了認證測試，低耗高效，值得推薦！ 同步整流芯片U7612B是一款高頻率、高性能、CCM同步整流開關，可以在GaN系統中替代肖特基整流二極管以提高系統效率。在VDD電壓上升到VDD開啟電壓VDD_ON (典型值4.5V)之前，芯片處于
- 閱讀（4） 標簽：
- [公司新聞]同步整流芯片U771XC系列型號包含：U7710SMC、U7710C、U7711C2025年06月10日 10:33
- 典型應用在反激變換器、充電器領域的高性能同步整流芯片U771XC系列，包含了U7710SMC、U7710C、U7711C這三個型號，主要差異表現在內部MOSFET導通阻抗不同，分別為U7710SMC-25m?、U7710C-19m?、U7711C-15m?，主要性能一起了解下！ ■產品描述 同步整流芯片U771XC是一款用于替代反激變換器中副邊肖特基二極管的低成本、高性能同步整流功率開關，內置超低導通阻抗功率MOSFET以提升系統效率。U771XC支持Low Side配置，
- 閱讀（5） 標簽：
- [公司新聞]同步整流芯片U7106在氮化鎵電源方案U8766中的應用2025年05月23日 14:22
- 氮化鎵器件開關頻率升級，同步整流芯片需具備高速響應能力，確保高頻工況下精準控制同步整流管的開通與關斷時。同步整流芯片U7106應用在氮化鎵電源芯片U8766中可顯著減少功率損耗，提升轉換效率！ 同步整流芯片U7106是一款高頻率、高性能、CCM同步整流開關，可以在GaN系統中替代肖特基整流二極管以提高系統效率。U7106內置有VDD高壓供電模塊，無需輔助繞組供電可穩定工作，系統上支持High Side和Low Side配置，兼顧了系統性能和成本。 同步整流芯片U7106特性
- 閱讀（6） 標簽：
- [公司新聞]30~65W快充應用CCM同步整流芯片U71062025年05月08日 09:31
- 同步整流芯片U7106采用PDFN5*6封裝，是一款高頻率、高性能、CCM 同步整流開關，典型應用于30~65W快充，無需輔助繞組供電可穩定工作，可以在GaN系統中替代肖特基整流二極管以提高系統效率。 同步整流芯片U7106電路設計參考如下： 1. 副邊主功率回路 Loop1 的面積盡可能小。 2. VDD 電容推薦使用 1μF 的貼片陶瓷電容，盡量緊靠 IC，Loop2的面積盡可能小。 3. HV 到Drain建議串聯30~200Ω的電阻，推薦典型值100Ω。HV連接到D
- 閱讀（9） 標簽：
- [公司新聞]具有雙LDO供電配置的同步整流ic U72682025年04月24日 14:29
- 同步整流icU7268是一款高性能副邊同步整流控制器，當配合外置MOS使用時，可以替代肖特基整流二極管以提高系統效率。U7268支持High Side和Low Side配置，且內置有VDD高壓供電模塊，無需輔助繞組供電，降低了系統成本。U7268具有快速關斷功能，支持斷續工作模式(DCM)、準諧振工作模式(QR)及連續工作模式(CCM)。U7268內部集成有智能的開通檢測功能，可以有效防止斷續工作模式(DCM)中由于Vds振蕩引起的SR誤開通。 PCB 設計對同步整流icU
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- [公司新聞]PD快充寬電壓應用同步整流芯片U7610B2025年03月19日 10:45
- 同步整流芯片在PD快充領域的應用主要體現在提升效率、降低損耗以及適配小型化設計等方面。深圳銀聯寶科技同步整流芯片U7610B采用低導阻MOSFET替代傳統肖特基二極管，顯著降低導通損耗，高集成度設計減少外圍元件需求，簡化了電路布局！ 在VDD電壓上升到VDD開啟電壓VDD_ON (典型值4.5V)之前，同步整流芯片U7610B處于關機狀態。內部Gate智能鉗位電路可以保證內置MOSFET不會發生高dv/dt導致的誤開通。當VDD電壓達到VDD_ON之后，芯片啟動，內部控制
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- [公司新聞]同步整流芯片U7612可搭配不同快充應用主控2025年02月17日 14:48
- 同步整流芯片與主控配合，使整流元件與主開關管同步工作，避免了二極管反向恢復時間產生的電流諧波，能有效減少電磁干擾，使產品更易通過電磁兼容性測試。同步整流芯片U7612是一款帶快速關斷功能的高性能副邊同步整流功率開關，可以替代肖特基整流二極管以提高系統效率。 同步整流芯片U7612內置有VDD高壓供電模塊，無需輔助繞組供電可穩定工作，系統上支持High Side和Low Side配置，兼顧了系統性能和成本。主要特征有： ●內置 60V MOSFET ●支持 DCM、QR 和
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- [公司新聞]銀聯寶同步整流芯片U7715精準控制、高效轉換2024年12月23日 14:30
- 同步整流芯片可以在不同的充電階段，精準地控制電流和電壓，使得充電過程更加安全、快速。例如，當手機電量較低時，同步整流芯片會調節充電器輸出較大的電流，以快速提升電量；而當手機電量接近充滿時，它又會自動減小電流，避免過充對電池造成損害。像蘋果、華為、小米等知名品牌的手機充電器中，都廣泛應用了同步整流芯片，這也是這些充電器能夠實現快速充電的重要原因之一。 深圳銀聯寶同步整流芯片U7715是一款帶快速關斷功能的高性能副邊同步整流功率開關，可以替代肖特基整流二極管以提高系統效率。U77
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- [公司新聞]集成高壓供電電路快充同步整流ic U77152024年10月18日 14:42
- 集成度的提高和微電子制造技術的進步使得同步整流ic在保持甚至提升性能的同時，體積也在不斷縮小，這為各種緊湊型電源設計提供了更多可能。另外，智能控制技術的應用，如基于AI的負載適應技術，將使同步整流ic能夠根據負載的實時變化動態調整工作狀態，進一步提升了系統的整體效率和適應性。 深圳銀聯寶科技的同步整流ic U7715，是一款帶快速關斷功能的高性能副邊同步整流功率開關，可以替代肖特基整流二極管以提高系統效率。U7715內置有VDD高壓供電模塊，無需輔助繞組供電可穩定工作，系統上
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- [公司新聞]同步整流ic U7613電源方案怎么搭都好用2024年09月25日 15:17
- 同步整流電路靠性高，可控性好。在低壓大電流趨勢下，同步整流驅動芯片被市場一致看好。深圳銀聯寶同步整流icU7613是一款帶快速關斷功能的高性能副邊同步整流功率開關，可以在系統中替代肖特基整流二極管以提高系統效率。 ■IC 的啟動和關機 在VDD電壓上升到VDD開啟電壓VDD_ON(典型值4.5V)之前，同步整流icU7613處于關機狀態。內部Gate智能鉗位電路可以保證內置MOSFET不會發生高dv/dt導致的誤開通。當VDD電壓達到VDD_ON之后，芯片啟動，內部控制電路開
- 閱讀（30） 標簽：
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