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: 副邊50W開(kāi)關(guān)電源芯片 SF1530

副邊反饋/外驅(qū)MOSFET,管腳浮空保護(hù)
系統(tǒng)頻率可編程，并內(nèi)置頻率抖動(dòng)EMI
內(nèi)置同步斜率補(bǔ)償
逐周期電流限制，內(nèi)置前沿消隱
內(nèi)置高低壓過(guò)流補(bǔ)償實(shí)現(xiàn)全電壓平坦OCP曲線
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: 原邊25W開(kāi)關(guān)電源芯片 SF6771T

原邊反饋/外置MOSFET
效率滿足六級(jí)能效要求
優(yōu)化降頻技術(shù)提率
零OCP恢復(fù)間隙控制避免低壓?jiǎn)?dòng)失敗
內(nèi)置頻率抖動(dòng)EMI
內(nèi)置同步斜率補(bǔ)償. 逐周期電流限制, 內(nèi)置前沿消隱
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: 副邊65W開(kāi)關(guān)電源芯片 SF5533

副邊反饋/外驅(qū)MOSFET
效率滿足六級(jí)能效要求
優(yōu)化降頻技術(shù)提率
無(wú)異音OCP補(bǔ)償?shù)蛪褐剌d異音
零OCP恢復(fù)間隙控制避免低壓?jiǎn)?dòng)失敗
內(nèi)置頻率抖動(dòng)EMI
內(nèi)置4mS軟啟動(dòng), 管腳浮空保護(hù)
內(nèi)置同步斜率補(bǔ)償. 逐周期電流限制, 內(nèi)置前沿消隱
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: 副邊18W開(kāi)關(guān)電源芯片 SF5549H

副邊反饋/內(nèi)置MOSFET
效率滿足六級(jí)能效要求
內(nèi)置650V 功率MOSFET
內(nèi)置65KHz 工作頻率
零OCP恢復(fù)間隙控制避免低壓?jiǎn)?dòng)失敗
電流啟動(dòng)
內(nèi)置4mS軟啟動(dòng), 管腳浮空保護(hù)
內(nèi)置頻率抖動(dòng)EMI
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: 隔離36W開(kāi)關(guān)電源芯片 SFL950

提高系統(tǒng)效率，異音。
內(nèi)置頻率抖動(dòng)EMI。
系統(tǒng)效率滿足 ‘DoE六級(jí)能效’ Tier2 要求。
內(nèi)置高低壓過(guò)流補(bǔ)償。
內(nèi)置軟啟動(dòng)，啟動(dòng)電流，管腳浮空保護(hù)。
待機(jī)功耗(≤75mW)
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: 副邊15W開(kāi)關(guān)電源芯片 SF5539H

效率滿足六級(jí)能效要求
副邊反饋/內(nèi)置600V 功率MOSFET
內(nèi)置65KHz 工作頻率
零OCP恢復(fù)間隙控制避免低壓?jiǎn)?dòng)失敗
內(nèi)置4mS軟啟動(dòng), 管腳浮空保護(hù)
內(nèi)置頻率抖動(dòng)EMI
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: 24W系列 12V2A能效六級(jí)方案

提高系統(tǒng)效率，異音
內(nèi)置軟啟動(dòng), 管腳浮空保護(hù)
效率滿足六級(jí)能效
啟動(dòng)電流
QR技術(shù)提高全負(fù)載效率,EMI和谷底切換異音
輸出過(guò)壓保護(hù)電壓可外部編程
逐周期電流限制, 內(nèi)置前沿消隱
VDD欠壓保護(hù)(ULVO), 過(guò)壓保護(hù)及鉗位
零電壓帶載啟動(dòng)減小OCP恢復(fù)間隙
內(nèi)置頻率抖動(dòng)EMI
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: 18W系列12V1.5A能效六級(jí)方案

效率滿足六級(jí)能效要求
內(nèi)置650V 功率MOSFET
內(nèi)置65KHz 工作頻率
零OCP恢復(fù)間隙控制避免低壓?jiǎn)?dòng)失敗
電流啟動(dòng)
內(nèi)置4mS軟啟動(dòng), 管腳浮空保護(hù)
內(nèi)置頻率抖動(dòng)EMI
內(nèi)置逐周期電流限制, 內(nèi)置前沿消隱
內(nèi)置高低壓過(guò)流補(bǔ)償實(shí)現(xiàn)全電壓平坦OCP曲線
VDD欠壓保護(hù)(ULVO), 過(guò)壓保護(hù)及鉗位
OLP可編程
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: 65W系列 19V3.42A能效六級(jí)方案

優(yōu)化降頻技術(shù)提率
零OCP恢復(fù)間隙控制避免低壓?jiǎn)?dòng)失敗
效率滿足六級(jí)能效
內(nèi)置4mS軟啟動(dòng), 管腳浮空保護(hù)
無(wú)異音OCP補(bǔ)償?shù)蛪褐剌d異音
OLP時(shí)間可編程
VDD欠壓保護(hù)(ULVO), 過(guò)壓保護(hù)及鉗位
內(nèi)置同步斜率補(bǔ)償. 逐周期電流限制, 內(nèi)置前沿消隱
內(nèi)置頻率抖動(dòng)EMI
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: 48W系列 48W能效六級(jí)方案

提高系統(tǒng)效率，異音。
內(nèi)置頻率抖動(dòng)EMI。
系統(tǒng)效率滿足 ‘DoE六級(jí)能效’ Tier2 要求。
內(nèi)置高低壓過(guò)流補(bǔ)償。
內(nèi)置軟啟動(dòng)，啟動(dòng)電流，管腳浮空保護(hù)。
待機(jī)功耗(≤75mW)
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: 5W系列 5V1A能效六級(jí)方案

QR-PSR控制提高工作效率
內(nèi)置700V 功率三極管
效率滿足 ‘DoE六級(jí)能效’，待機(jī)＜75mW
±4％恒壓恒流精度，多模式PSR控制內(nèi)置頻率抖動(dòng)EMI
內(nèi)置快速動(dòng)態(tài)響應(yīng)控制，無(wú)異音工作
自動(dòng)補(bǔ)償輸入電壓.電感感量變化,實(shí)現(xiàn)高精度
逐周期電流限制, 內(nèi)置前沿消隱
VDD欠壓保護(hù)（UVLO）,過(guò)壓保護(hù)及鉗位
OTP過(guò)溫保護(hù)
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: 10W系列 5V2A能效六級(jí)方案

±4％恒壓恒流精度，多模式PSR控制。
內(nèi)置頻率抖動(dòng)EMI。
系統(tǒng)效率滿足 ‘DoE六級(jí)能效’ Tier2 要求。
內(nèi)置高低壓過(guò)流補(bǔ)償。
內(nèi)置快速動(dòng)態(tài)響應(yīng)控制，無(wú)異音工作。
輸出過(guò)壓保護(hù)，VDD欠壓保護(hù)，VDD過(guò)壓保護(hù)及鉗位。
QR-PSR控制提高工作效率。
內(nèi)置600V 功率MOSFET
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: 12W系列 12V1A能效六級(jí)方案

專利QR控制，提高系統(tǒng)效率，異音。
效率滿足六級(jí)能效要求。
內(nèi)置頻率抖動(dòng)EMI。
內(nèi)置高低壓過(guò)流補(bǔ)償。
內(nèi)置軟啟動(dòng)，啟動(dòng)電流，管腳浮空保護(hù)。
內(nèi)置專利的線損補(bǔ)償,提高量產(chǎn)精度。
內(nèi)置反饋腳(FB)短路保護(hù)
支持高50V 輸出電壓
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: 5W系列 5V1A能效六級(jí)方案

QR-PSR控制提高工作效率
內(nèi)置700V 功率三極管
效率滿足 ‘DoE六級(jí)能效’，待機(jī)＜75mW
±4％恒壓恒流精度，多模式PSR控制內(nèi)置頻率抖動(dòng)EMI
內(nèi)置快速動(dòng)態(tài)響應(yīng)控制，無(wú)異音工作
自動(dòng)補(bǔ)償輸入電壓.電感感量變化,實(shí)現(xiàn)高精度
逐周期電流限制, 內(nèi)置前沿消隱
VDD欠壓保護(hù)（UVLO）,過(guò)壓保護(hù)及鉗位
OTP過(guò)溫保護(hù)
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[公司新聞]銀聯(lián)寶20W快充電源方案：220V單電壓和90-264V全電壓通通都有！2025年07月02日 10:22: ■220V單電壓：主控PD快充芯片U8722AH+同步整流IC U7715 PD快充芯片U8722AH集成高壓E-Mode GaN FET，為了保障GaN FET工作的可靠性和高系統(tǒng)效率，芯片內(nèi)置了高精度、高可靠性的驅(qū)動(dòng)電路，驅(qū)動(dòng)電壓為VDRV(典型值6.2V)。EMI性能為高頻交直流轉(zhuǎn)換器的設(shè)計(jì)難點(diǎn)，為此U8722AH通過(guò)DEM管腳集成了驅(qū)動(dòng)電流分檔配置功能。通過(guò)配置DEM管腳分壓電阻值，可以選擇不同檔位的驅(qū)動(dòng)電流，進(jìn)而調(diào)節(jié)GaN FET的開(kāi)通速度，系統(tǒng)設(shè)計(jì)者可以獲得最優(yōu); 閱讀（4）標(biāo)簽：

[公司新聞]抗干擾、極簡(jiǎn)外圍的恒壓恒功率PD快充芯片U86232025年06月26日 14:55: 夏天來(lái)了，小風(fēng)扇成了我們手中的避暑神器。在各大購(gòu)物平臺(tái)，迷你小風(fēng)扇的搜索量日益上升，成為酷熱高溫里的外出必備單品。迷你小風(fēng)扇的電源配件銷量也在猛增。如果你正在找尋一顆優(yōu)質(zhì)的充電器芯片，建議了解下深圳銀聯(lián)寶科技的PD快充芯片U8623！ PD快充芯片U8623是一款恒壓、恒功率、恒溫離線型電流模式PWM電源芯片，內(nèi)置0.85Ω/650V的超結(jié)硅功率MOS。U8623具有全負(fù)載高效率、低空載損耗、低EMI干擾和高EMS抗干擾、極少外圍應(yīng)用元件等優(yōu)點(diǎn)。U8623在一定條件下適用于; 閱讀（7）標(biāo)簽：

[公司新聞]同步整流芯片U7610X搭配不同主控電源管理芯片方案推介！2025年06月20日 14:39: 同步整流技術(shù)是一種提高電源效率的技術(shù)。同步整流技術(shù)采用導(dǎo)通電阻極低的功率MOSFET管來(lái)代替二極管，以降低整流過(guò)程中的能量損耗。深圳銀聯(lián)寶科技推出了多套同步整流芯片U7610X系列快充電源方案，降耗提效，效果顯著！同步整流芯片U7610B+U8621，推薦功率22.5W！電源管理芯片U8621是一款恒壓、恒功率、恒溫離線型電流模式PWM電源管理芯片,內(nèi)置1.9Ω/630V的超結(jié)硅功率MOS。U8621具有全負(fù)載高效率、低空載損耗、低EMI干擾和高EMS抗干擾、極少外圍應(yīng)用; 閱讀（6）標(biāo)簽：

[公司新聞]高頻高性能帶恒功率氮化鎵電源IC U872XAHE系列2025年06月19日 14:44: 氮化鎵電源ICU872XAHE系列分為U8724AHE、U8725AHE、U8726AHE三個(gè)型號(hào)，都是20V單高壓帶恒功率，典型功率表如下：氮化鎵電源ICU872XAHE系列是一款集成E-GaN的高頻高性能準(zhǔn)諧振模式交直流轉(zhuǎn)換功率開(kāi)關(guān)。芯片集成高壓?jiǎn)?dòng)電路，可獲得快速啟動(dòng)功能和超低的工作電流，實(shí)現(xiàn)小于30mW的超低待機(jī)功耗。U872XAHE的工作頻率最高可達(dá)220kHz，可全范圍工作在準(zhǔn)諧振模式。芯片集成峰值電流抖動(dòng)功能和驅(qū)動(dòng)電流配置功能，可極大的優(yōu)化系統(tǒng)EMI性能。芯; 閱讀（6）標(biāo)簽：

[公司新聞]PD快充芯片U8766穩(wěn)定的電壓和頻率優(yōu)化電源設(shè)備2025年06月18日 10:11: 芯片工作頻率指芯片內(nèi)部時(shí)鐘信號(hào)的振蕩速率，是芯片性能的重要基礎(chǔ)。晶體管導(dǎo)通電阻越小、切換速度越快，信號(hào)傳輸效率越高。PD快充芯片U8766的工作頻率最高可達(dá)220kHz，可全范圍工作在準(zhǔn)諧振模式。芯片集成峰值電流抖動(dòng)功能和驅(qū)動(dòng)電流配置功能，可極大的優(yōu)化系統(tǒng)EMI性能。U8766內(nèi)置Boost供電電路，非常適用于寬輸出電壓的應(yīng)用場(chǎng)景。針對(duì)寬輸出電壓應(yīng)用場(chǎng)合，為了滿足VDD的寬電壓應(yīng)用需求，往往需要添加額外的電路或者輔助繞組，導(dǎo)致系統(tǒng)功耗和電路成本的增加。PD快充芯片U876; 閱讀（8）標(biāo)簽：

[公司新聞]45W單壓?jiǎn)蜟氮化鎵電源方案：主控U8722EE+同步U7116W2025年06月04日 10:28: 45W單壓?jiǎn)蜟氮化鎵電源方案推薦的主控芯片是來(lái)自深圳銀聯(lián)寶科技的氮化鎵電源芯片U8722EE，同步也是采用銀聯(lián)寶的同步整流芯片U7116W。為大家介紹下芯片的主要性能！氮化鎵電源芯片U8722EE特性：集成700V E-GaN 集成高壓?jiǎn)?dòng)功能超低啟動(dòng)和工作電流，待機(jī)功耗30mW 谷底鎖定模式，最高工作頻率兩檔可調(diào)(220kHz，130kHz) 集成EMI優(yōu)化技術(shù) 驅(qū)動(dòng)電流分檔配置集成 Boost 供電電路集成完備的保護(hù)功能： VDD過(guò)壓/欠壓保護(hù) (VDD OV; 閱讀（8）標(biāo)簽：