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[公司新聞]內(nèi)置0.85/650V的超結(jié)硅電機(jī)驅(qū)動(dòng)器電源芯片U86232025年06月03日 11:38: ■功能描述電機(jī)驅(qū)動(dòng)器電源芯片U8623是一款峰值電流控制方式的PWM電源管理芯片，適用于離線型的反激拓?fù)溟_關(guān)變換器。U8623內(nèi)置合封一顆0.85Ω/650V的高壓MOS。芯片設(shè)計(jì)有完善的多種保護(hù)功能和自適應(yīng)選擇工作模式，使得適用U8623的電源系統(tǒng)具有全負(fù)載高效率、低空載損耗、低EMI干擾和高EMS抗干擾、極少外圍應(yīng)用元件。 ■系統(tǒng)啟動(dòng)和靜態(tài)電流電機(jī)驅(qū)動(dòng)器電源芯片U8623的啟動(dòng)電流低至10uA，啟動(dòng)電路的電阻值可以高達(dá)4M，這樣使電源系統(tǒng)擁有更低的損耗；芯片靜態(tài)電流; 閱讀（9）標(biāo)簽：

[公司新聞]65W集成EMI優(yōu)化技術(shù)的E-GaN電源芯片U8722FE2025年05月22日 14:24: E-GaN電源芯片U8722FE是U8722X系列最新增加的型號(hào)，ID(A)(TJ=125℃)4.0，耐壓700V，推薦功率60W，采用的是ESOP-7封裝，具體腳位如下： 1 CSI/O 電流采樣輸入、最高頻率選擇管腳 2 FB P 系統(tǒng)反饋輸入管腳 3 DEM I/O 消磁檢測(cè)、輸出 OVP 檢測(cè)、驅(qū)動(dòng)能力分檔判定管腳 4 VDD P 芯片供電管腳 5 SW P Boost 電路內(nèi)置 MOS 的漏極管腳 6,7 GND P 芯片參考地 8 DRAIN P 內(nèi)置高壓 GaN; 閱讀（9）標(biāo)簽：

[公司新聞]氮化鎵PD快充芯片U8722DAS可減少高頻噪聲和應(yīng)力沖擊2025年05月16日 11:48: 氮化鎵PD快充芯片U8722DAS集成輕載SR應(yīng)力優(yōu)化功能，在輕載模式下，芯片將原邊開通速度減半（如配置為特定驅(qū)動(dòng)電流檔位時(shí)），減緩開關(guān)動(dòng)作的瞬態(tài)變化，從而減小次級(jí)側(cè)SR器件的電壓尖峰，通過分壓電阻設(shè)置驅(qū)動(dòng)電流檔位（三檔可選），平衡EMI性能與效率。低驅(qū)動(dòng)電流檔位可降低SR開關(guān)速度，減少高頻噪聲和應(yīng)力沖擊。氮化鎵PD快充芯片U8722DAS特征： ▲集成高壓 E-GaN ▲集成高壓?jiǎn)?dòng)功能 ▲超低啟動(dòng)和工作電流，待機(jī)功耗 30mW ▲谷底鎖定模式，最高工作頻率兩檔可調(diào)(; 閱讀（0）標(biāo)簽：

[公司新聞]20V單高壓45W氮化鎵電源芯片U8726AHE2025年04月25日 14:31: EMI性能為高頻交直流轉(zhuǎn)換器的設(shè)計(jì)難點(diǎn)，為此氮化鎵電源芯片U8726AHE通過DEM管腳集成了驅(qū)動(dòng)電流分檔配置功能。通過配置DEM管腳分壓電阻值，可以選擇不同檔位的驅(qū)動(dòng)電流，進(jìn)而調(diào)節(jié)GaN FET的開通速度，系統(tǒng)設(shè)計(jì)者可以獲得最優(yōu)的EMI性能和系統(tǒng)效率的平衡。氮化鎵電源芯片U8726AHE引腳： 1 CS I/O 電流采樣輸入、最高頻率選擇管腳 2 FB I 系統(tǒng)反饋輸入管腳 3 DEM I/O 消磁檢測(cè)、輸出 OVP 檢測(cè)、驅(qū)動(dòng)能力分檔判定管腳 4 VDD P 芯片供電管; 閱讀（12）標(biāo)簽：

[公司新聞]25W帶恒功率12V單高壓氮化鎵快充芯片U8723AH2025年04月24日 10:17: 芯片內(nèi)置Boost電路將功率開關(guān)器件（如MOSFET）、驅(qū)動(dòng)電路、反饋網(wǎng)絡(luò)等集成于單一封裝，省去分立元件布局，顯著降低PCB面積需求。深圳銀聯(lián)寶氮化鎵快充芯片U8723AH內(nèi)置Boost供電電路，非常適用于寬輸出電壓的應(yīng)用場(chǎng)景。U8723AH集成峰值電流抖動(dòng)功能和驅(qū)動(dòng)電流配置功能，可極大的優(yōu)化系統(tǒng)EMI性能！氮化鎵快充芯片U8723AH特性： ●集成高壓 E-GaN ●集成高壓?jiǎn)?dòng)功能 ●超低啟動(dòng)和工作電流，待機(jī)功耗 30mW ●谷底鎖定模式，最高工作頻率兩檔可調(diào)(2; 閱讀（7）標(biāo)簽：

[公司新聞]700V/365mΩ高壓?jiǎn)?dòng)GaN快充芯片U86092025年04月21日 14:31: GaN快充芯片U8609最高工作頻率130kHz，700V/365mΩ，采用DASOP-7封裝，主推12V3A，合封第三代半導(dǎo)體GaN FET，有利于降低電源尺寸。U8609采用CS Jitter技術(shù)，通過調(diào)制峰值電流參考值實(shí)現(xiàn)頻率抖動(dòng)，以優(yōu)化系統(tǒng)EMI。 GaN快充芯片U8609復(fù)用CS管腳以設(shè)定系統(tǒng)最高工作頻率，CS管腳連接如圖所示。芯片啟動(dòng)時(shí)，U8609通過檢測(cè)RSEL電阻從而決定芯片最大工作頻率。設(shè)定不同的RSEL電阻值即可選擇兩檔不同的系統(tǒng)工作頻率上限。選檔判定結(jié)束; 閱讀（18）標(biāo)簽：

[公司新聞]E-GaN電源芯片U8722EE的45W、30W同步搭配推薦2025年04月03日 11:09: E-GaN電源芯片U8722EE，推薦搭配銀聯(lián)寶同步整流芯片U7110W、U7612A，分別可做PD 45W、PD 30W方案，可極大的優(yōu)化系統(tǒng)EMI性能，非常適用于寬輸出電壓的應(yīng)用場(chǎng)景！ ■PD45W方案：U8722EE+U7110W 針對(duì)寬輸出電壓應(yīng)用場(chǎng)合，為了滿足VDD的寬電壓應(yīng)用需求，往往需要添加額外的電路或者輔助繞組，導(dǎo)致系統(tǒng)功耗和電路成本的增加。E-GaN電源芯片U8722EE集成了Boost供電技術(shù)，僅在SW管腳添加一顆貼片電感即可，在輸出電壓較低時(shí)，Boos; 閱讀（17）標(biāo)簽：

[公司新聞]20W恒壓、恒功率、恒溫離線電源方案U8621+ U7610C2025年04月03日 10:37: 恒功率一般通過動(dòng)態(tài)補(bǔ)償和多模式切換等方式實(shí)現(xiàn)，通占空比動(dòng)態(tài)調(diào)整，確保輸入電壓波動(dòng)時(shí)輸出功率穩(wěn)定，另外根據(jù)FB腳電平自動(dòng)切換打嗝模式、變頻模式、恒功率模式，優(yōu)化全負(fù)載效率。銀聯(lián)寶電源芯片U8621支持快充適配器應(yīng)用，具有全負(fù)載高效率、低空載損耗、低EMI干擾和高EMS抗干擾、極少外圍應(yīng)用元件等優(yōu)點(diǎn)。再搭配同步整流芯片U7610C，打造出一款優(yōu)質(zhì)耐用的20W恒壓、恒功率、恒溫離線電源方案！銀聯(lián)寶電源芯片U8621特性： * 固定 65K 赫茲的開關(guān)頻率 * 內(nèi)置抖頻技; 閱讀（11）標(biāo)簽：

[公司新聞]30W氮化鎵電源ic U8608靈活配置最優(yōu)工作模式2025年03月27日 14:57: 30W氮化鎵電源icU8608集成E-GaN和驅(qū)動(dòng)電流分檔功能，通過調(diào)節(jié)驅(qū)動(dòng)電流檔位，可以減少電磁干擾（EMI），優(yōu)化系統(tǒng)的整體性能和待機(jī)功耗。具體來了解一下！ ■ 集成E-GaN和驅(qū)動(dòng)電流分檔功能 30W氮化鎵電源icU8608集成高壓E-Mode GaN FET，為了保障GaN FET工作的可靠性和高系統(tǒng)效率，芯片內(nèi)置了高精度、高可靠性的驅(qū)動(dòng)電路，驅(qū)動(dòng)電壓為VDRV (典型值 6.35V)。EMI性能為高頻交直流轉(zhuǎn)換器的設(shè)計(jì)難點(diǎn)，為此U8608通過DEM管腳集成了驅(qū)動(dòng)電流; 閱讀（14）標(biāo)簽：

[公司新聞]恒壓模式可調(diào)線損補(bǔ)償小功率電源芯片U6215A2025年03月27日 10:56: 深圳銀聯(lián)寶電源芯片的特點(diǎn)包括高集成度、高效能、低待機(jī)功耗、多重保護(hù)功能等，適用于小型電子設(shè)備、便攜式設(shè)備等應(yīng)用場(chǎng)景。選擇合適的電源芯片需要根據(jù)具體的應(yīng)用需求和設(shè)計(jì)要求來決定，如果您正在尋找一顆小功率高性能、低成本的原邊控制功率開關(guān)芯片，試試銀聯(lián)寶6W小功率電源芯片U6215A！小功率電源芯片U6215A主要特性：內(nèi)置超高壓功率 BTJ 谷底開通、原邊控制、系統(tǒng)效率高多模式原邊控制方式優(yōu)異的動(dòng)態(tài)響應(yīng) 集成動(dòng)態(tài)三極管驅(qū)動(dòng)電路工作無異音優(yōu)化的 EMI 性能恒流、恒壓調(diào); 閱讀（14）標(biāo)簽：

[公司新聞]65W全壓700V底部無PAD氮化鎵快充芯片U87662025年03月20日 15:32: 深圳銀聯(lián)寶科技推出的氮化鎵快充芯片集成高頻高性能準(zhǔn)諧振模式，顯著降低磁性元件體積，同時(shí)通過同步整流技術(shù)將效率翻番。比如今天介紹的65W全壓700V底部無PAD氮化鎵快充芯片U8766，擁有超低啟動(dòng)和工作電流，可實(shí)現(xiàn)小于30mW的超低待機(jī)功耗，勢(shì)如破竹！氮化鎵快充芯片U8766集成高壓E-Mode GaN FET，為了保障GaN FET工作的可靠性和高系統(tǒng)效率，芯片內(nèi)置了高精度、高可靠性的驅(qū)動(dòng)電路，驅(qū)動(dòng)電壓為VDRV (典型值 6.2V)。EMI性能為高頻交直流轉(zhuǎn)換器的; 閱讀（21）標(biāo)簽：

[公司新聞]高效、安全管理電能轉(zhuǎn)換的手機(jī)充電器芯片U6107D2025年03月20日 14:44: 充電器芯片的核心是高效、安全的管理電能轉(zhuǎn)換與電池充電過程。充電器芯片U6107D是一種高性能的電流模式PWM離線反激變換器電源開關(guān)應(yīng)用。在U6107D中，內(nèi)部具有高精度65kHz開關(guān)頻率振蕩器，且?guī)в卸额l功能可優(yōu)化EMI性能。芯片采用綠色節(jié)能模式和打嗝模式工作，對(duì)于小于40W的應(yīng)用可以保證小于75mW的待機(jī)功耗。充電器芯片U6107D集成有完備的保護(hù)功能，包括：VDD欠壓保護(hù)（UVLO）、VDD過壓保護(hù)（OVP）、逐周期電流限制、短路保護(hù)（SCP）、過載保護(hù)（OLP）、過; 閱讀（10）標(biāo)簽：

[公司新聞]電源管理IC U8623采用單邊漏極并聯(lián)封裝增加散熱效果2025年03月13日 14:52: 芯片在實(shí)現(xiàn)數(shù)據(jù)處理、存儲(chǔ)和傳輸?shù)裙δ艿倪^程中，會(huì)伴隨電阻、電容、電感等能量損耗，這些損耗會(huì)被轉(zhuǎn)化為熱能，因此會(huì)產(chǎn)生大量熱量。過高的溫度會(huì)影響電子設(shè)備工作性能，甚至導(dǎo)致電子設(shè)備損壞。今天推薦的電源管理ICU8623采用SOP-8封裝，并采用單邊漏極并聯(lián)封裝增加散熱效果，從而提高了散熱效率，積極保護(hù)電子設(shè)備。電源管理ICU8623是一款恒壓、恒功率、恒溫離線型電流模式PWM電源芯片，內(nèi)置0.85Ω/650V的超結(jié)硅功率 MOS。U8623具有全負(fù)載高效率、低空載損耗、低EMI; 閱讀（9）標(biāo)簽：

[公司新聞]開關(guān)電源芯片U6221深入探索優(yōu)化驅(qū)動(dòng)性能2025年03月06日 14:49: 電源電路的軟驅(qū)動(dòng)功能通過逐漸增加輸出電壓或電流，以消除啟動(dòng)時(shí)的沖擊電流，從而簡(jiǎn)化EMI問題，使系統(tǒng)能夠平滑啟動(dòng)，減少對(duì)系統(tǒng)的沖擊，開關(guān)電源芯片U6221設(shè)計(jì)的軟驅(qū)動(dòng)功能的驅(qū)動(dòng)電路優(yōu)化了系統(tǒng)EMI性能。芯片內(nèi)部設(shè)計(jì)有Gate高電平16V鉗位電路，以防止高VDD輸入時(shí)Gate受損。 PCB設(shè)計(jì)對(duì)電源的EMI，ESD等性能有顯著影響，開關(guān)電源芯片U6221設(shè)計(jì)原邊回路時(shí)建議參考以下的內(nèi)容（詳情可見規(guī)格書）： 1.原邊主功率環(huán)路(Loop1)的面積應(yīng)盡可能小，同時(shí)走線應(yīng)盡可能粗以; 閱讀（11）標(biāo)簽：

[公司新聞]典型應(yīng)用下空載功耗<75mW的5v2a充電器ic U521432025年03月06日 10:39: 想要在旅行途中閱讀，可以考慮使用電子書閱讀器或者手機(jī)閱讀軟件。深圳銀聯(lián)寶科技有一款專門為旅行配備的充電器icU52143，內(nèi)置功率BJT，可用于11W以內(nèi)的離線式開關(guān)電源產(chǎn)品，PWM+PFM 多模式混合控制，從而可以獲得高精度的恒壓恒流控制效果，且無需任何次級(jí)采樣和控制電路。同時(shí)，5v2a充電器ic U52143還內(nèi)置了輸入線電壓補(bǔ)償以及輸出線纜補(bǔ)償，從而可以獲得更好的電壓和電流調(diào)整率。U52143內(nèi)置了大量的補(bǔ)償以及保護(hù)功能，從而簡(jiǎn)化了外圍電路，利于PCB布局及EMI設(shè); 閱讀（15）標(biāo)簽：

[公司新聞]充電器芯片U6218C實(shí)現(xiàn)高效產(chǎn)品更高性能優(yōu)化設(shè)計(jì)2025年02月21日 14:42: 智能化設(shè)備的質(zhì)量與可靠性均與大多數(shù)的電磁兼容(EMC)、電磁干擾(EMI)問題有關(guān)，而PCB的布局和堆疊設(shè)計(jì)是這其中重要的一環(huán)。充電器芯片U6218C設(shè)計(jì)的軟驅(qū)動(dòng)功能的驅(qū)動(dòng)電路優(yōu)化了系統(tǒng)EMI性能。芯片內(nèi)部設(shè)計(jì)有Gate高電平16V鉗位電路，以防止高VDD輸入時(shí)Gate受損。 PCB設(shè)計(jì)對(duì)電源的EMI，ESD等性能有顯著影響，充電器芯片U6218C設(shè)計(jì)原邊回路時(shí)建議參考以下內(nèi)容（詳盡資料可參照規(guī)格書）： ●原邊主功率環(huán)路 (Loop1) 的面積應(yīng)盡可能小，同時(shí)走線應(yīng)盡可能粗; 閱讀（13）標(biāo)簽：

[公司新聞]超結(jié)硅功率MOS電源管理芯片U8621展現(xiàn)低功耗特性2025年02月20日 10:08: 在全負(fù)載范圍內(nèi)，相比傳統(tǒng)功率器件，超結(jié)硅功率MOS電源管理芯片U8621能為用戶節(jié)省更多的電能。同時(shí)，在空載狀態(tài)下，U8621的低功耗特性得以體現(xiàn)，滿足了六級(jí)能效標(biāo)準(zhǔn)，有效避免了能源的無謂消耗，對(duì)于電子設(shè)備的應(yīng)用而言，是非常值得推薦的一顆芯片！電源管理芯片U8621是一款恒壓、恒功率、恒溫離線型電流模式PWM 電源管理芯片，內(nèi)置1.9Ω/630V的超結(jié)硅功率MOS。U8621具有全負(fù)載高效率、低空載損耗、低EMI干擾和高EMS抗干擾、極少外圍應(yīng)用元件等優(yōu)點(diǎn)。U8621在一; 閱讀（15）標(biāo)簽：

[公司新聞]35W PD快充芯片U8724AHS寬幅電壓輸出超穩(wěn)的2025年02月19日 10:42: 寬幅電源的輸出電壓范圍一般在85 ~ 265VAC的標(biāo)準(zhǔn)，而普通電源的輸出電壓范圍一般在180V-240V的標(biāo)準(zhǔn)。電源的寬幅越大，輸出電壓隨負(fù)載電流變化的程度就越小，輸出電壓就越穩(wěn)定。35W PD快充芯片U8724AHS內(nèi)置Boost供電電路，非常適用于寬輸出電壓的應(yīng)用場(chǎng)景。 35W PD快充芯片U8724AHS的工作頻率最高可達(dá)220kHz，可全范圍工作在準(zhǔn)諧振模式。芯片集成峰值電流抖動(dòng)功能和驅(qū)動(dòng)電流配置功能，可極大的優(yōu)化系統(tǒng)EMI性能。芯片集成高壓?jiǎn)?dòng)電路，可獲得快速啟動(dòng); 閱讀（19）標(biāo)簽：

[公司新聞]副邊開關(guān)電源芯片U6101S運(yùn)行平穩(wěn)功耗低2025年02月18日 14:54: 開關(guān)頻率影響電機(jī)的運(yùn)行平穩(wěn)性和效率，以及芯片的功耗和EMI性能。高頻開關(guān)可使電機(jī)運(yùn)行更平穩(wěn)、減小電感電容等元件尺寸，但會(huì)增加開關(guān)損耗。開關(guān)電源芯片U6101S集成電路內(nèi)置綠色和突發(fā)模式控制輕負(fù)載和零負(fù)載，被大量應(yīng)用在電機(jī)驅(qū)動(dòng)電源上，可實(shí)現(xiàn)小于75mW的待機(jī)功率。認(rèn)證可做到90W，不認(rèn)證做非標(biāo)的可以做150W！開關(guān)電源芯片U6101S輸出規(guī)格可選擇5V-12A/1A和12V-5A/1A，自帶恒流，適用于快充充電器，如QC 2.0快充、QC3.0快充等，還可以應(yīng)用于大功率的機(jī)頂; 閱讀（17）標(biāo)簽：

[公司新聞]氮化鎵電源芯片U8733推薦工作頻率130KHz/220KHz2025年02月13日 15:03: 氮化鎵電源芯片U8733集成恒功率控制與主動(dòng)降功率控制功能，在恒功率區(qū)間，通過控制輸出電流隨輸出電壓變化，實(shí)現(xiàn)恒功率功能。外置溫度檢測(cè)環(huán)境溫度，當(dāng)溫度過高主動(dòng)降功率以降低系統(tǒng)溫度，保證系統(tǒng)穩(wěn)定可靠工作。U8733的工作頻率最高可達(dá)220kHz，可全范圍工作在準(zhǔn)諧振模式。芯片集成峰值電流抖動(dòng)功能和驅(qū)動(dòng)電流配置功能，可極大的優(yōu)化系統(tǒng)EMI性能。推薦工作頻率130KHz/220KHz！氮化鎵電源芯片U8733主要特性：集成 700V E-GaN 集成高壓?jiǎn)?dòng)功能超低啟動(dòng)和工; 閱讀（19）標(biāo)簽：

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