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[公司新聞]ASOP7-T4封裝E-GaN快充電源芯片U8724AHS2025年05月29日 11:25: 芯片的腳位是芯片與外部電路進(jìn)行連接的橋梁。通過(guò)引腳，芯片可以與電路板上的其他組件進(jìn)行連接，構(gòu)成完整的電路。引腳用于為芯片提供電源和接地，還可以用于控制和指示芯片的工作狀態(tài)。今天，就請(qǐng)跟著銀聯(lián)寶小編的視角，一起看看關(guān)于快充電源芯片U8724AHS引腳的事！快充電源芯片U8724AHS封裝形式ASOP7-T4，引腳特征如下： 1 CS I/O 電流采樣輸入、最高頻率選擇管腳 2 FB I 系統(tǒng)反饋輸入管腳 3 DEM I/O 消磁檢測(cè)、輸出 OVP 檢測(cè)、驅(qū)動(dòng)能力分檔判定管腳; 閱讀（5）標(biāo)簽：

[公司新聞]22.5W PD快充電源芯片應(yīng)用方案之U8621+U7610B2025年05月28日 14:28: 受限于設(shè)備本身的體積和當(dāng)下電池技術(shù)的瓶頸，電池容量無(wú)法顯著突破，快速“補(bǔ)電”成為了眼下解決電量焦慮的最切實(shí)可行的解決辦法。深圳銀聯(lián)寶今天推薦的是22.5W快充電源芯片應(yīng)用方案之——U8621+U7610B！快充電源芯片U8621是一款峰值電流控制方式的PWM電源管理芯片，適用于離線(xiàn)型的反激拓?fù)溟_(kāi)關(guān)變換器。U8621內(nèi)置合封一顆1.9Ω/630V的高壓MOS。芯片設(shè)計(jì)有完善的多種保護(hù)功能和自適應(yīng)選擇工作模式，使得適用U8621; 閱讀（7）標(biāo)簽：

[公司新聞]耐壓650V氮化鎵快充芯片U8733L優(yōu)化能源利用效率2025年05月27日 11:34: 恒功率控制方式通過(guò)精確的控制策略和先進(jìn)的電子技術(shù)，實(shí)現(xiàn)了在各種工況下輸出功率的恒定。其基本原理是通過(guò)調(diào)節(jié)系統(tǒng)的輸入或輸出參數(shù)（如電壓、電流等），使得系統(tǒng)在負(fù)載變化時(shí)能夠維持輸出功率不變。銀聯(lián)寶氮化鎵快充芯片U8733L集成恒功率控制與主動(dòng)降功率控制功能，在恒功率區(qū)間，通過(guò)控制輸出電流隨輸出電壓變化，實(shí)現(xiàn)恒功率功能。氮化鎵快充芯片U8733L特征：集成 700V E-GaN 集成高壓?jiǎn)?dòng)功能超低啟動(dòng)和工作電流，待機(jī)功耗 30mW 谷底鎖定模式，最高工作頻率兩; 閱讀（5）標(biāo)簽：

[公司新聞]氮化鎵快充電源ic U8765全負(fù)載功率范圍內(nèi)效率優(yōu)化2025年05月26日 11:41: QR模式一般工作在變頻模式下，根據(jù)負(fù)載大小改變變換器的頻率。當(dāng)負(fù)載變輕時(shí)，變換器的頻率會(huì)增加，以適應(yīng)輕載條件下的高效運(yùn)行。QR模式通過(guò)檢測(cè)原邊電流和電壓的變化，實(shí)現(xiàn)開(kāi)關(guān)管的最佳開(kāi)通時(shí)機(jī)，從而減少開(kāi)關(guān)損耗。氮化鎵快充電源icU8765采用峰值電流控制模式，可以自適應(yīng)的工作在QR和降頻工作模式，從而實(shí)現(xiàn)全負(fù)載功率范圍內(nèi)的效率優(yōu)化！在滿(mǎn)載和重載工況下，系統(tǒng)工作在QR工作模式，可以大幅降低系統(tǒng)的開(kāi)關(guān)損耗。氮化鎵快充電源icU8765根據(jù)FB電壓值調(diào)節(jié)谷底個(gè)數(shù)，同時(shí)為了避免系統(tǒng)在臨界; 閱讀（10）標(biāo)簽：

[公司新聞]同步整流芯片U7106在氮化鎵電源方案U8766中的應(yīng)用2025年05月23日 14:22: 氮化鎵器件開(kāi)關(guān)頻率升級(jí)，同步整流芯片需具備高速響應(yīng)能力，確保高頻工況下精準(zhǔn)控制同步整流管的開(kāi)通與關(guān)斷時(shí)。同步整流芯片U7106應(yīng)用在氮化鎵電源芯片U8766中可顯著減少功率損耗，提升轉(zhuǎn)換效率！同步整流芯片U7106是一款高頻率、高性能、CCM同步整流開(kāi)關(guān)，可以在GaN系統(tǒng)中替代肖特基整流二極管以提高系統(tǒng)效率。U7106內(nèi)置有VDD高壓供電模塊，無(wú)需輔助繞組供電可穩(wěn)定工作，系統(tǒng)上支持High Side和Low Side配置，兼顧了系統(tǒng)性能和成本。同步整流芯片U7106特性; 閱讀（6）標(biāo)簽：

[公司新聞]65W集成EMI優(yōu)化技術(shù)的E-GaN電源芯片U8722FE2025年05月22日 14:24: E-GaN電源芯片U8722FE是U8722X系列最新增加的型號(hào)，ID(A)(TJ=125℃)4.0，耐壓700V，推薦功率60W，采用的是ESOP-7封裝，具體腳位如下： 1 CSI/O 電流采樣輸入、最高頻率選擇管腳 2 FB P 系統(tǒng)反饋輸入管腳 3 DEM I/O 消磁檢測(cè)、輸出 OVP 檢測(cè)、驅(qū)動(dòng)能力分檔判定管腳 4 VDD P 芯片供電管腳 5 SW P Boost 電路內(nèi)置 MOS 的漏極管腳 6,7 GND P 芯片參考地 8 DRAIN P 內(nèi)置高壓 GaN; 閱讀（9）標(biāo)簽：

[公司新聞]全電壓！PD 20W氮化鎵電源方案認(rèn)證款：U8722BAS+U7612B2025年05月22日 10:39: 上次給大家介紹了20W氮化鎵單電壓的應(yīng)用方案，立馬就有小伙伴發(fā)出了全電壓應(yīng)用方案的需求。深圳銀聯(lián)寶科技有求必應(yīng)，PD 20W氮化鎵電源方案全電壓認(rèn)證款：U8722BAS+U7612B方案來(lái)咯！主控氮化鎵電源芯片U8722BAS是一款集成E-GaN的高頻高性能準(zhǔn)諧振模式交直流轉(zhuǎn)換功率開(kāi)關(guān)。芯片集成高壓?jiǎn)?dòng)電路，可獲得快速啟動(dòng)功能和超低的工作電流，實(shí)現(xiàn)小于30mW的超低待機(jī)功耗。U8722BAS的工作頻率最高可達(dá)220kHz，可全范圍工作在準(zhǔn)諧振模式。芯片集成峰值電流抖動(dòng)功能; 閱讀（15）標(biāo)簽：

[公司新聞]氮化鎵GaN快充芯片U8732輕松應(yīng)對(duì)充電問(wèn)題2025年05月21日 14:36: 氮化鎵充電器與普通充電器在充電效率方面對(duì)比，性能遙遙領(lǐng)先。它支持多種快充協(xié)議，如PD、QC等，能夠智能識(shí)別設(shè)備所需的充電功率，實(shí)現(xiàn)快速充電。無(wú)論是蘋(píng)果手機(jī)、安卓手機(jī)，還是筆記本電腦、平板電腦，氮化鎵充電器都能輕松應(yīng)對(duì)，一充搞定。充電器自然離不開(kāi)芯片的支持，今天主推的就是來(lái)自深圳銀聯(lián)寶科技的氮化鎵GaN快充芯片U8732！氮化鎵GaN快充芯片U8732特點(diǎn)： 1.集成 700V E-GaN 2.集成高壓?jiǎn)?dòng)功能 3.超低啟動(dòng)和工作電流，待機(jī)功耗 30mW 4.谷底鎖定模式，; 閱讀（18）標(biāo)簽：

[公司新聞]30W單高壓耐壓700V氮化鎵電源ic U8724AH2025年05月20日 10:24: CS管腳通常用于采樣電感電流，實(shí)現(xiàn)峰值電流控制，并且可以限制最大輸入電流，從而實(shí)現(xiàn)過(guò)流保護(hù)功能。此外，CS管腳還可以用于設(shè)定系統(tǒng)的最高工作頻率。通過(guò)連接不同阻值的RSEL電阻，可以設(shè)定不同的系統(tǒng)工作頻率上限。氮化鎵電源icU8724AH復(fù)用CS管腳以設(shè)定系統(tǒng)最高工作頻率，CS管腳連接如圖所示。芯片啟動(dòng)時(shí)，氮化鎵電源icU8724AH通過(guò)檢測(cè)RSEL電阻從而決定芯片最大工作頻率。設(shè)定不同的RSEL電阻值即可選擇兩檔不同的系統(tǒng)工作頻率上限。選檔判定結(jié)束后系統(tǒng)鎖定，每一次啟; 閱讀（10）標(biāo)簽：

[公司新聞]氮化鎵PD快充ic U8608輸入過(guò)欠壓保護(hù)電路安全運(yùn)行2025年05月19日 11:36: 過(guò)壓保護(hù)和欠壓保護(hù)是維護(hù)芯片電路安全運(yùn)行的關(guān)鍵功能。有些芯片會(huì)提供一個(gè)欠壓保護(hù)引腳，當(dāng)欠壓保護(hù)被觸發(fā)時(shí)，該引腳會(huì)產(chǎn)生一個(gè)信號(hào)。通過(guò)檢測(cè)該引腳的狀態(tài)，可以判斷芯片是否處于欠壓保護(hù)狀態(tài)。深圳銀聯(lián)寶氮化鎵PD快充icU8608輸入過(guò)欠壓保護(hù) (Line OVP/BOP)，先來(lái)看看它的引腳。 PD快充icU8608引腳特征： 1 NTC I/O 外置過(guò)溫檢測(cè)管腳 2 COMP I/O 運(yùn)放輸出，在該 pin 腳和 GND 之間連接阻容網(wǎng)絡(luò)用于調(diào)節(jié)環(huán)路。 3 FB I/O 輸出反饋、; 閱讀（8）標(biāo)簽：

[公司新聞]氮化鎵PD快充芯片U8722DAS可減少高頻噪聲和應(yīng)力沖擊2025年05月16日 11:48: 氮化鎵PD快充芯片U8722DAS集成輕載SR應(yīng)力優(yōu)化功能，在輕載模式下，芯片將原邊開(kāi)通速度減半（如配置為特定驅(qū)動(dòng)電流檔位時(shí)），減緩開(kāi)關(guān)動(dòng)作的瞬態(tài)變化，從而減小次級(jí)側(cè)SR器件的電壓尖峰，通過(guò)分壓電阻設(shè)置驅(qū)動(dòng)電流檔位（三檔可選），平衡EMI性能與效率。低驅(qū)動(dòng)電流檔位可降低SR開(kāi)關(guān)速度，減少高頻噪聲和應(yīng)力沖擊。氮化鎵PD快充芯片U8722DAS特征： ▲集成高壓 E-GaN ▲集成高壓?jiǎn)?dòng)功能 ▲超低啟動(dòng)和工作電流，待機(jī)功耗 30mW ▲谷底鎖定模式，最高工作頻率兩檔可調(diào)(; 閱讀（0）標(biāo)簽：

[公司新聞]20W氮化鎵電源ic U8722SP谷底鎖定模式優(yōu)化損耗2025年05月15日 14:33: 谷底鎖定模式是一種應(yīng)用于開(kāi)關(guān)電源如反激式拓?fù)洹?zhǔn)諧振電源中的關(guān)鍵技術(shù)，其核心在于通過(guò)精確控制開(kāi)關(guān)管的導(dǎo)通時(shí)機(jī)以降低損耗和提升系統(tǒng)穩(wěn)定性。在深圳銀聯(lián)寶科技最新推出的20W氮化鎵電源icU8722SP中，谷底鎖定及降頻工作模式，可以有效避免負(fù)載變化時(shí)因谷底跳頻導(dǎo)致的變壓器工作不穩(wěn)定或噪聲問(wèn)題，延長(zhǎng)器件壽命，也為系統(tǒng)效率帶來(lái)了一定的提升！氮化鎵電源icU8722SP采用峰值電流控制模式，可以自適應(yīng)的工作在QR和降頻工作模式，從而實(shí)現(xiàn)全負(fù)載功率范圍內(nèi)的效率優(yōu)化。在滿(mǎn)載和重載工況下; 閱讀（11）標(biāo)簽：

[公司新聞]45W集成高壓E-GaN快充電源方案U8726AHE+U72692025年05月15日 10:56: 氮化鎵電源電路由于減少了元件數(shù)量和功率轉(zhuǎn)換器占用的空間而更具吸引力。深圳銀聯(lián)寶科技作為E-GaN快充電源方案制造商，大量投入工程研發(fā)以應(yīng)對(duì)各類(lèi)技術(shù)挑戰(zhàn)，為市場(chǎng)提供了各種功率級(jí)和多種功能的集成解決方案，今天推薦的是銀聯(lián)寶45W集成高壓E-GaN快充電源方案U8726AHE+U7269！快充電源芯片U8726AHE集成高壓E-Mode GaN FET，為了保障GaN FET工作的可靠性和高系統(tǒng)效率，芯片內(nèi)置了高精度、高可靠性的驅(qū)動(dòng)電路，驅(qū)動(dòng)電壓為VDRV (典型值6.4V)。E; 閱讀（12）標(biāo)簽：

[公司新聞]30W E-GaN高頻高性能快充電源ic U87312025年05月14日 11:14: GaN器件采用二維電子氣結(jié)構(gòu)，能夠提供更高的電子遷移率和導(dǎo)電性能，因此適用于高頻應(yīng)用，可以實(shí)現(xiàn)更高效的功率轉(zhuǎn)換。深圳銀聯(lián)寶科技研發(fā)生產(chǎn)的快充電源icU8731，集成700VE-GaN，高頻高性能，推薦工作頻率130KHz/220KHz，推薦最大輸出功率30W，介紹給小伙伴們！快充電源icU8731采用的是HSOP-7封裝，管腳說(shuō)明如下： 1 CS I/O 電流采樣輸入、最高頻率選擇管腳 2 FB I 系統(tǒng)反饋輸入管腳 3 DEM I/O 消磁檢測(cè)、輸出 OVP 檢測(cè)、驅(qū)動(dòng)能; 閱讀（8）標(biāo)簽：

[公司新聞]12V2A/3A氮化鎵電源方案U8607/U8609+同步整流芯片U76132025年05月13日 10:54: 深圳銀聯(lián)寶科技最新上市的氮化鎵電源方案：U8607/U8609+同步整流芯片U7613，推薦輸出功率12V2A、12V3A，非標(biāo)共板，方案成熟，性能可靠，可滿(mǎn)足更高性能要求、更低成本需求！氮化鎵電源芯片U8607/U8609采用原邊反饋控制，可節(jié)省光耦和TL431，簡(jiǎn)化電源BOM。它合封第三代半導(dǎo)體GaN FET，最高工作頻率130kHz，有利于降低電源尺寸。特征如下： *原邊反饋控制，無(wú)需光耦和 TL431 *集成 700V GaN FET 驅(qū)動(dòng) *集成高壓?jiǎn)?dòng)功能 *; 閱讀（10）標(biāo)簽：

[公司新聞]33W全負(fù)載高效率超結(jié)硅電源管理方案：U8623+U7612B2025年05月12日 14:49: 由于芯片結(jié)構(gòu)的改變，超結(jié)MOS的結(jié)電容比傳統(tǒng)MOS有很大的降低，超結(jié)MOS具有極低的內(nèi)阻，在相同的芯片面積下，超結(jié)MOS芯片的內(nèi)阻甚至只有傳統(tǒng)MOS的一半以上。較低的內(nèi)阻，能降低損耗，減少發(fā)熱。今天深圳銀聯(lián)寶科技帶來(lái)的是33W全負(fù)載高效率超結(jié)硅電源管理方案：U8623+U7612B，可顯著提升產(chǎn)品的易用性和效率！電源管理芯片U8623是一款恒壓、恒功率、恒溫離線(xiàn)型電流模式PWM 電源管理芯片，內(nèi)置0.85Ω/650V的超結(jié)硅功率 MOS。U8623具有全負(fù)載高效率、低空載; 閱讀（11）標(biāo)簽：

[公司新聞]氮化鎵PD快充芯片U8733集成恒功率與主動(dòng)降功率多控制功能2025年05月09日 11:32: 芯片恒功率控制，意味著無(wú)論負(fù)載變化如何，系統(tǒng)都能保持恒定的輸出功率，確保設(shè)備在各種工作條件下都能穩(wěn)定運(yùn)行。當(dāng)檢測(cè)到系統(tǒng)溫度過(guò)高時(shí)，主動(dòng)降功率功能會(huì)啟動(dòng)，以降低系統(tǒng)溫度，防止過(guò)熱。深圳銀聯(lián)寶科技的氮化鎵PD快充芯片U8733，就集成了恒功率控制和主動(dòng)降功率控制功能，一起來(lái)看看！氮化鎵PD快充芯片U8733集成恒功率控制與主動(dòng)降功率控制功能，在恒功率區(qū)間，通過(guò)控制輸出電流隨輸出電壓變化，實(shí)現(xiàn)恒功率功能。外置溫度檢測(cè)環(huán)境溫度，當(dāng)溫度過(guò)高主動(dòng)降功率以降低系統(tǒng)溫度，保證系統(tǒng)穩(wěn)定; 閱讀（9）標(biāo)簽：

[公司新聞]ESOP-10W封裝輸入欠壓保護(hù)氮化鎵快充芯片U87662025年05月08日 15:14: 在65W氮化鎵快充設(shè)計(jì)中，輸入欠壓保護(hù)與過(guò)壓保護(hù)協(xié)同工作，保障充電頭在電網(wǎng)波動(dòng)時(shí)仍能穩(wěn)定輸出，并避免因輸入異常導(dǎo)致次級(jí)電路損壞。今天介紹的65W全壓氮化鎵快充芯片U8766，輸入欠壓保護(hù)(BOP)，采用ESOP-10W封裝！氮化鎵快充芯片U8766通過(guò)HV管腳對(duì)母線(xiàn)電壓進(jìn)行采樣，當(dāng)母線(xiàn)電壓值小于BOP保護(hù)閾值VBOP (典型值 100V)時(shí)，芯片內(nèi)部的BOP延遲計(jì)時(shí)使能，計(jì)時(shí)時(shí)間為T(mén)BOP_DELAY(典型值 80ms)，計(jì)時(shí)結(jié)束后觸發(fā)BOP保護(hù)。如果母線(xiàn)電壓超過(guò)BOP恢復(fù); 閱讀（12）標(biāo)簽：

[公司新聞]30~65W快充應(yīng)用CCM同步整流芯片U71062025年05月08日 09:31: 同步整流芯片U7106采用PDFN5*6封裝，是一款高頻率、高性能、CCM 同步整流開(kāi)關(guān)，典型應(yīng)用于30~65W快充，無(wú)需輔助繞組供電可穩(wěn)定工作，可以在GaN系統(tǒng)中替代肖特基整流二極管以提高系統(tǒng)效率。同步整流芯片U7106電路設(shè)計(jì)參考如下： 1. 副邊主功率回路 Loop1 的面積盡可能小。 2. VDD 電容推薦使用 1μF 的貼片陶瓷電容，盡量緊靠 IC，Loop2的面積盡可能小。 3. HV 到Drain建議串聯(lián)30~200Ω的電阻，推薦典型值100Ω。HV連接到D; 閱讀（9）標(biāo)簽：

[公司新聞]PD 20W氮化鎵單電壓應(yīng)用方案：U8722AH+U77152025年05月07日 14:23: 深圳銀聯(lián)寶科技推出的PD20W氮化鎵單電壓應(yīng)用方案，主控芯片使用的是氮化鎵快充芯片U8722AH，同步整流芯片U7715，協(xié)議338E。輸入規(guī)格：180V-264V 50Hz，輸出規(guī)格：C口，PD20W：5V3A / 9V2.22A / 12V1.67A。氮化鎵快充芯片U8722AH特點(diǎn)： 1.集成 700V E-GaN 2.集成高壓?jiǎn)?dòng)功能 3.超低啟動(dòng)和工作電流，待機(jī)功耗 30mW 4.谷底鎖定模式，最高工作頻率兩檔可調(diào)(220kHz，130kHz) 5.集; 閱讀（16）標(biāo)簽：

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